存储行业概览

存储芯片是半导体的核心组件，作为电子设备的“数据仓库”，主要实现数据的存储与读取。

作为AI系统核心硬件，近年来存储在服务器内部价值量持续提升。

存储产业链包括从上游原材料设备、中游芯片设计和制造，下游供应到终端应用的完整生态。

存储产业链：

存储芯片分类：主要由DRAM和NAND Flash两大核心品类构成。

DRAM占据主导地位，市场份额约为56%；NAND Flash市场份额仅次于DRAM，应用于固态硬盘和移动设备等领域；NorFlash再位居其后，其他类型的存储芯片占比较小。

从技术端来看，当前 NAND 向超高层堆叠、DRAM 向 HBM 等高带宽方向迭代，接口标准持续升级，带动产品价值持续提升。

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DRAM

DRAM是动态随机存取存储器，在计算系统中占据核心位置，其容量和带宽直接影响到计算效率和性能，主要用于PC、服务器和移动端。

DDR5: DRAM第二代及后续引入了双倍数据速率（DDR）技术。DDR技术进一步细分为DDR、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5等不同版本，速度逐渐提高。DD5作为新一代内存技术，相较于DDR4具有更高的起始速度（4800MHz）、更低的功耗（1.1V）以及更高的数据传输效率，在服务器和PC等高性能计算领域广泛应用。

当前从2D平面结构转向3D堆叠，HBM成为核心增量市场。

HBM：HBM即高带宽内存，是AI存储的核心技术方向之一。HBM通过3D TSV堆叠和2.5D/3D异构集成技术，将多个DDR芯片与GPU封装在一起，实现超高带宽、低功耗和小体积高集成度。

HBM单价是传统DRAM的5-6倍，随着堆叠层数增加，单芯片容量和带宽持续提升，推动服务器内存价值量增长。

HBM市场竞争格局&产业链

全球DRAM市场核心参与者主要包括三星、美光、SK海力士，另外再加上南亚科技、力积电等，高端HBM同样由几大巨头垄断。

2025 年 SK 海力士已出货全球首批 HBM4 样品，三星计划在 2025 年底实现 HBM4 的量产，美光计划于 2026 年推 出 HBM4。

关键的键合工艺流程方面，根据 Market and technology Trends， 2026 年 HBM4（12 层）和 HBM4e（16 层）可能开始逐步采用 W2W 键 合，从 2028 年的 HBM5（20 层）开始，W2W 或将成为主流。

HBM产业链由五大核心环节构成，包括IP授权、上游材料、设备、晶粒设计制造、晶片制造以及封装测试等。

IP授权：提供HBM设计所需的核心知识产权，涉及内存控制器、接口协议等关键技术，主要厂商包括芯原、牛芯、奎芯等。

材料：环氧塑封料需要大量添加核心材料low-α球硅和low-α球铝，成本占GMC中的70%~90%。HBM由于3D堆叠导致芯片厚度较高，因此需要用特殊的颗粒状环氧塑封料GMC封装。全球GMC量产只有2家日系公司掌握，分别是日本住友和日本昭和。日本住友和日本昭和这两家的国内供应商是联瑞新材，联瑞新材前身是东海硅微粉厂，专注于硅微粉的研发。华海诚科通过收购衡所华威，年产销量有望突破2.5万吨，有望跃居全球第二位，与日系企业展开竞争，产品已通过客户验证，进入送样阶段，有望突破技术封锁。

设备：中微公司是TSV设备主要供应商。芯碁微装、芯源微（临时键合 解键合）、华海清科（减薄 CMP）、中微公司（刻蚀 沉积）、拓荆科技（沉积 混合键合）、北方华创（刻蚀 沉积）、盛美上海（电镀 清洗）等公司也提供生产HBM所需的关键设备。HBM对检测和量测设备需求提升，国外科磊半导体在国内市场占比最高，国内有一批优秀的量检测企业，如精测电子、中科飞测、赛腾股份、睿励科学等。

晶粒设计制造：设计HBM内存颗粒的电路结构，优化堆叠层数与带宽性能。国际大厂如SK海力士、三星等采用IDM模式，自主完成设计至制造全流程。国内部分企业通过技术突破或合作参与关键环节，兆易创新、紫光国微的IP设计能力提升HBM带宽性能；国芯科技的Chiplet技术降低堆叠成本。

先进封装：HBM生产的核心难点在于晶圆级先进封装技术，先进封装技术TSV、凸点制造、堆叠键合是HBM制备的关键。中国大陆独立封测第一梯队代表企业有长电科技、通富微电、华天科技等，三家厂商在全球前十大OSAT（封测企业）排名中，分别占据了第三、第四、第六的位置。主要参与厂商包括甬矽电子、晶方科技、兴森科技、深科技、太极实业、鼎龙股份等通过差异化技术路线参与关键环节。

国内除了本土大厂在DRAM领域取得了较为显著的进展，紫光国微、兆易创新、东芯股份等众多产业链厂商近年来也在细分环节加速布局。

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NAND Flash

NAND Flash是非易失性存储器，数据以电荷形式存储，主要用于固态硬盘、嵌入式存储和移动存储。

3D NAND技术通过垂直堆叠提升存储密度，降低单位成本，同时提升耐用性。

当前在不断向超高层堆叠演进，128层3D NAND闪存已进入大生产，200层以上闪存已处于批量生产阶段，行业正朝着突破千层的目标迈进。

全球市场格局来看，NAND Flash的供给主要由海外厂商主导，三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士几大原厂组成的稳定市场格局，合计占比超95%。

NAND分为利基与主流：

SLCNAND、MLC/TLCNAND容量<=4GB的属于利基产品

MLC/TLCNAND容量D>4GB的属于主流产品。

SLC NAND是国内设计公司发力点：台系厂商华邦、旺宏占据SLCNAND的主要份额。大陆如兆易创新、东芯股份、北京君正均发力SLC NAND。

当前企业级和消费级SSD（固态硬盘）是目前NANDFlash主要应用领域，其中在企业级SSD包括忆联、忆恒创源、江波龙、浪潮、同有科技、开普云等都有所布局。

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NOR Flash

NORFlash是除DRAM、NANDFlash之外最大规模的利基型存储。

常被用于存储相关数据和代码程序，具有读取速度快、芯片内执行等特点，主要应用于智能手机、可穿戴和物联网等领域。

“即时启动”是NORFlash下游需求的一个重要特性，当前AI端侧加速开拓新应用场景，AI眼镜等新品逐步落地，加速带动整体NOR需求提升。

市场格局方面，NOR行业头部厂商经历多次洗牌，国际存储巨头相继退出NORFlash市场。2017年之后，全球NORFlash市场被旺宏、华邦电子、赛普拉斯（英飞凌收购）、美光和中国大陆厂商兆易创新占据。

由于NOR Flash市场规模较小竞争日趋激烈，以及DRAM、NANDFlash需求爆发，海大厂逐步退出中低端NOR市场，转向高毛利DRAM/和NAND，目前市场主要以中国大陆和中国台湾厂商为主。

根据Web-FeetResearch报告显示，兆易创新领跑SerialNORFlash市场，2024年通过近存计算技术研发，将芯片延迟降低至5ns以下，车规级产品已进入比亚迪、蔚来等车企的供应链。普冉股份为下游蓝牙、音频、WIFI等主控SoC芯片厂商提供配套的NORFlash芯片。此外，复旦微电、东芯股份、恒烁科技、佰维存储等也是NORFlash市场核心布局厂商。

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存储模组&主控

存储芯片接口标准升级，DDR5渗透率的提升的同时也带来各细分环节的需求增长。

存储产业价值链紧凑，核心原材料除了存储晶圆。其它原材料包括主控芯片、内存接口芯片以及各类辅料。

存储模组与各环节协同工作以实现数据的高效存储、读取与管理。

存储模组

存储模组通过集成存储芯片、主控芯片、内存接口芯片、缓存芯片等，并添加封装和测试环节，形成具有特定功能和接口标准的存储产品。

当前AI服务器对内存容量的需求显著增加，须配置更多内存模组。

通常一台主流AI服务器配置的内存模组数量是通用服务器的2倍左右。

据弗若斯特沙利文，从渗透率来看，2025年预估全球服务器DDR5模组渗透率为85%。

模组厂作为原厂下游，根据客户需求进行主控芯片设计、固件开发、存储晶圆匹配等，并独立完成或委托专业厂商完成封装测试等后端环节，将标准化存储晶圆转化为存储模组产品。

国产头部模组厂商发展各具鲜明特色，例如，江波龙具备品牌优势、德明利从自研主控芯片切入、佰维存储构筑研发封测一体化的经营模式、朗科科技拥有20年专业存储品牌的行业基础。此外，香农芯创代理销售包括存储模组在内的各类电子元器件产品，拥有全球顶级主控芯片、存储器代理权；协创数据使用的存储芯片包含采购和自研，SSD包括多种容量和规格的产品。

主控芯片

主控芯片是存储器核心零部件之一，负责将数据准确地写入存储芯片的指定位置，并在需要时快速读取数据。

全球SSD主控芯片厂商主要可以分为三类：

第一类为NAND原厂自研自用SSD主控芯片厂商，其主控芯片产品搭配自有的NAND颗粒直接加工为自有品牌模组出售，通常不单独对外出售，主要包括三星、海力士、美光、Solidigm、铠侠、西部数据等NAND颗粒原厂。

第二类为非NAND原厂自研自用SSD主控芯片厂商（主要为群联电子），主要是通过外采NAND颗粒，搭配自有的主控芯片产品直接用于自有品牌模组出售或给其他品牌厂商贴牌，同时也向市场出售一部分SSD主控芯片。

第三类为独立SSD主控芯片厂商。独立SSD主控芯片厂商通常单独对外销售主控芯片，主要包括慧荣科技、联芸科技、Marvell、瑞昱、英韧科技、得一微等。近年来国内得一微、联芸科技等第三方厂商崛起，加速降低对美日韩依赖。

内存接口芯片

在大型数据中心中，服务器需要处理海量的数据请求。

内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，主要对信号进行缓冲和放大，以避免数据在传输过程中可能会出现丢失或错误。

DRAM接口从DDR4升级至DDR5，带宽提升近一倍，支持AI训练等高负载场景。

DDR5渗透率的提升推动了内存接口芯片量价齐升，服务器领域DDR5 LRDIMM接口从“1 9”升级为“1 10”是这一趋势的核心驱动力。

DDR5内存接口芯片的竞争格局与DDR4世代类似，全球只有三家供应商可提供DDR5第一子代的量产产品，分别是国内厂商澜起科技、日本厂商瑞萨电子和美国厂商Rambus，澜起在内存接口芯片的市场份额保持稳定。在配套芯片上，SPD和TS主要的两家供应商是澜起科技和瑞萨电子；PMIC的竞争对手更多，竞争态势更复杂。聚辰股份与澜起科技合作开发DDR5内存模组配套芯片，如SPD5EEPROM、SPD5 TSEEPROM产品。

当前AI浪潮成为存储需求可持续性增长的关键支撑，服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，国产替代机遇有望加全部速。