天成半导体官微3月11日发布消息称，依托其自主研发的设备，成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30mm。

这一突破不仅填补了国内相关领域的技术空白，更标志着我国碳化硅产业在大尺寸材料领域，正式从“12英寸普及”向“14英寸破冰”跨越。

图片来源：天成半导体官微

此次14英寸产品主要应用于半导体制造设备的碳化硅部件，成功打破日韩欧企业在该领域的垄断格局，标志着国内企业在碳化硅大尺寸技术赛道上取得关键性突破，也为全球碳化硅半导体产业格局增添了新的变量。

天成半导体是国内知名碳化硅公司，其在2025年掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35mm厚。

大尺寸碳化硅衬底能显著降低成本、提升良品率、适配高端器件，是第三代半导体产业规模化的关键。12英寸面积约为6英寸的4倍，芯片产出为6英寸的3.8~4.4倍，14英寸将进一步放大此效应。

目前，碳化硅主流厂商仍停留在6英寸阶段，8英寸正快速上量。不过，近期国内多家碳化硅企业宣布在大尺寸升级上取得突破。

三安光电3月2日在投资者互动平台表示，公司12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证。

2月22日，露笑科技对外宣布，公司首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试。

1月23日，海目星旗下子公司海目芯微成功研制出直径12英寸碳化硅单晶晶锭，完成6英寸、8英寸、12英寸全尺寸长晶技术布局。

2025年9月，晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线。

天岳先进此前在投资者互动平台表示，公司已推出12英寸全系列衬底（半绝缘/导电P型/导电N型）。

3月12日，全球碳化硅知名企业Wolfspeed（沃孚半导体）官微宣布，公司近日推出基于300mm碳化硅技术的新一代AI数据中心先进封装基础平台，为先进AI和高性能计算封装解决方案提供可规模化的基础材料。

随着人工智能的工作负载快速增加，数据中心集成化正在将封装尺寸、功率密度和功能复杂性推向传统材料的极限之上，对封装尺寸、功率密度和集成复杂性的要求也在与日俱增。

该公司首席技术官表示，该平台旨在将碳化硅的材料优势与行业标准的制造基础设施相结合，并为下一代人工智能和高性能计算封装架构扩展解决方案空间。

Wolfspeed正与晶圆厂、OSAT（外包半导体封装和测试供应商）、系统架构师等生态伙伴合作，验证技术可行性、可靠性与集成路径，推动混合碳化硅—硅封装架构落地。

图片来源：Wolfspeed官微

碳化硅用于先进封装，主要为解决GPU芯片高散热问题。此前有媒体报道称，英伟达计划在其新一代Rubin处理器的开发蓝图中，将CoWoS先进封装环节的中介层材料，由硅换成12英寸碳化硅衬底，破解Rubin平台1000W功耗与高密度Chiplet封装的热管理、结构可靠性、互连密度三大瓶颈，最晚将在2027年导入。

碳化硅作为第三代半导体的核心代表，相比于硅，具有10倍的击穿电场强度、3倍的禁带宽度、2倍的极限工作温度、2倍的饱和电子漂移速率、3倍的热导率。凭借其独特的材料特性，碳化硅正逐步突破传统硅基半导体的性能瓶颈，成为新能源汽车、光伏储能、AI算力、高端工业等领域的关键核心材料。

集微咨询发布的《2025中国第三代半导体行业上市公司研究报告》显示，2024年全球碳化硅功率半导体器件市场为26亿美元，预计到2029年全球销售额有望达到136亿美元，年复合增长率预计为39.9%。

据证券时报·数据宝统计，A股碳化硅概念股有20余只，目前已有14家公司发布2025年业绩数据，但整体业绩表现不佳，其中亏损公司达到7家，业绩增长的公司仅士兰微、温州宏丰、维科精密等少数几家。

业绩下滑的原因，主要是国内碳化硅市场竞争激烈。天岳先进在业绩预告中表示，国内碳化硅衬底行业市场竞争加剧，公司为扩大市场占有率、巩固行业地位实施阶段性市场战略调整影响，产品平均销售价格下降，最终导致公司整体营收规模同比下滑。

从机构评级来看，有16股获得机构关注，扬杰科技、晶盛机电、华润微、斯达半导等关注机构数量居前，均在5家及以上。

立昂微、天岳先进、海目星、晶升股份等最获看好，机构一致预测未来两年业绩增速均值超100%。