▍一、2026年2月价格回顾（Bloomberg，CFM闪存市场，TrendForce）

1）DRAM：在经历1月环比大涨后，2月DRAM现货和合约价格涨幅放缓。根据Bloomberg，2月主流颗粒现货价环比-3%~ 12%；DDR5-8Gb /DDR4-8Gb合约价环比 4%/ 8%。

2）NAND Flash：2月继续保持环比快速上涨，涨幅相对收敛。根据Bloomberg，2月主流颗粒现货价环比 10%~ 26%，合约价环比 37% ~ 67%。

3）模组：2月DDR4/5内存条现货价格环比基本走平，SSD环比0~ 13%，移动存储环比 10%~ 25%；2月DDR5内存条合约价格环比 4%~ 18%，DDR4价格走平；SSD环比 6%~ 18%。（注：由于当前现货市场价格波动较大，合约议价周期缩短，因此不同资料来源的存储价格存在差异）

▍二、价格展望（TrendForce Mar. 2026）

1）DRAM：预计Q1传统DRAM合约价上涨90%~95%（未调整）；2月底，据韩媒sedaily，三星电子和SK海力士已向客户发出通知，25Q2将继续大幅提高DRAM价格；据台媒“PCDIY！”报道，SK海力士于春节后向客户发出涨价通知，DDR5颗粒26Q2将涨价40%。

2）NAND Flash：由于AI服务器需求保持强劲，供需严重失衡，原厂涨价意愿强烈，上调Q1整体合约价涨幅至85%~90%（此前预期55% ~60%）。

3）利基存储：NOR Flash方面，台系厂商陆续减少中小容量NOR Flash产能，这将导致NOR产能收敛、供需改善，我们预计NOR Flash 26H1将保持上涨，Q1涨幅整体超过20%，中小容量NOR涨幅更大。SLC NAND Flash方面，海外原厂如美光、铠侠、三星陆续减少供应，我们预计在供给收缩下26H1价格上涨幅度有望接近主流TLC/QLC产品。

▍三、海外原厂对需求端判断

SK海力士：公司预计2026年DRAM bit需求同比增速20%以上，NAND bit需求同比增速15%~20%（high-teens）；DRAM及NAND库存仅剩约4周，2026年所有客户的需求都无法得到完全满足； 

闪迪：公司预计2026年数据中心bit需求增长将超过60%；

铠侠：公司预计NAND市场中长期bit需求将以约20% CAGR增长；HyperScaler LTA已经谈至2027-28年；公司指引FY4Q25（CY1Q26）营收环比成长55%~72%，超市场预期。

▍四、国内存储厂商业绩预期

佰维存储：公司预计1~2月营收40~45亿元，同比 340%~395%；预计1~2月归母净利润15~18亿元，同比 922%~1086%，归母扣非净利润13.5~16.0亿元，剔除股份支付后归母净利润15.3~18.3亿元，超市场预期。

▍风险因素：

海外CSP厂商AI CAPEX不及预期；消费电子下游需求走弱；存储价格提升不及预期；行业竞争加剧；技术革新风险；国际贸易摩擦风险等。

▍投资策略：

我们继续看好存储需求超预期，预计行业供不应求将持续至27H1，核心推荐：1）存储模组公司：短期业绩爆发能力强；2）存储设计公司：持续推荐存储原厂及贴近原厂的设计公司。