英伟达首席执行官黄仁勋宣布，下一代人工智能芯片平台“Vera Rubin”已全面投产。由于Vera Rubin将搭载HBM4（第六代高带宽内存）和SOCAMM2，预计三大内存厂商（三星电子、SK海力士和美光）之间的市场份额竞争将进一步加剧。

在1月5日（当地时间）于美国拉斯维加斯枫丹白露酒店Bleau Live剧院举行的“CES 2026”特别发布会上，NVIDIA首席执行官黄仁勋表示：“Vera Rubin目前已进入全面量产阶段”，并补充道：“我们将在今年年底前向全球客户供货。” Vera Rubin最初预计将于今年下半年发布，NVIDIA已在官方舞台上再次确认了量产时间表。

Vera Rubin 是一款将六颗芯片（包括 Vera CPU（中央处理器）和 Rubin GPU（图形处理器））集成到单一平台上的产品。该公司采用了一种将多颗芯片连接起来以同时提升性能和效率的策略，摒弃了通过增加单颗芯片中的晶体管数量来提高性能的传统方法。

黄仁勋强调：“与 Blackwell 相比，Vera Rubin 将 AI 推理性能提高了 5 倍，训练性能提高了 3.5 倍。”他表示：“关键不在于单个芯片的性能，而在于系统架构，它允许多个芯片像一个整体一样运行，从而消除数据瓶颈，并提高针对 AI 工作负载的吞吐量。”

尤其值得一提的是，Rubin GPU将配备HBM4显存。鉴于NVIDIA是人工智能半导体领域最大的客户，业界预计HBM4将随着NVIDIA Rubin GPU的发布而迅速成为HBM市场的主流。

Vera CPU还将配备由NVIDIA主导开发的AI服务器内存模块SOCAMM2。该模块通过将低功耗DRAM（LPDDR5X）放置在CPU附近，旨在高效处理大规模计算。SOCAMM的功耗比现有的基于DDR（双倍数据速率）的服务器模块低三分之一。

随着NVIDIA正式公布Vera Rubin的发布时间表，HBM4和SOCAMM2内存市场的竞争预计将会更加激烈。三星电子计划通过将业界首个1c（10纳米级第六代）工艺应用于HBM4来卷土重来。三星电子的HBM4数据处理速度可达每秒11Gb（千兆比特），带宽高达2.8TB/s。据报道，其能效比上一代产品提升了40%。此外，三星电子也已向NVIDIA提供了SOCAMM2的定制样品。

三星电子设备解决方案事业部总裁兼副董事长全英贤在最近的新年致辞中表达了信心，他说：“HBM4 展现了差异化的竞争力，获得了客户的评价，称‘三星回来了’。”

继HBM3E之后，SK海力士有望继续保持HBM4市场最高的市场份额。今年第三季度，SK海力士在全球HBM市场占据57%的份额，位居榜首。在本次CES展会上，该公司计划首次发布其HBM4 16栈48GB产品。该产品是HBM4 12栈36GB的升级版，后者曾创下业界最高速度11.7Gbps，目前正按客户进度推进研发。此外，该公司还计划展示包括SOCAMM2在内的下一代内存解决方案。

一位业内人士表示：“不仅英伟达，像AMD这样的其他公司也在开发自己的AI芯片，因此从今年开始，内存公司之间的竞争将显著加剧。”