美光宣布其位于印度古吉拉特邦萨南德的半导体封装测试工厂正式开业。这座先进工厂将把美光全球制造网络生产的高端DRAM与NAND晶圆，加工成成品存储产品。

萨南德工厂一期项目全面投产后，洁净室面积将超过50万平方英尺，成为全球面积最大的单层封装测试洁净室之一。该工厂将服务全球客户，以满足由人工智能驱动、持续增长的全球存储产品需求。该工厂由美光与印度政府合作伙伴共同投资约27.5亿美元建设，旨在提升印度的半导体制造能力。

美光科技总裁兼首席执行官桑杰・梅赫罗特拉表示：“对美光和印度蓬勃发展的半导体产业而言，这都是一个值得自豪的时刻。这座具有开创意义的工厂是印度境内首座同类封装测试基地，有助于构建支撑全球人工智能经济的韧性产业生态。我们衷心感谢印度中央政府、古吉拉特邦政府及所有合作方的坚定支持，让这一成果得以实现。”

萨南德工厂已获得 ISO 9001:2015 认证，并已启动商业化生产。为庆祝工厂正式开业，美光将首批印度本土制造的内存模组交付给戴尔科技，用于其面向印度市场生产的笔记本电脑。美光预计，2026年萨南德工厂将完成数千万颗芯片的封装测试，2027年产能将提升至数亿颗。此次在印度扩充传统封装测试业务，与美光计划在美国发展的先进制造与封装能力形成互补，进一步强化了公司的全球封装测试网络。

印度电子和信息技术部部长阿什维尼・瓦什瑙表示：“美光萨南德半导体工厂的落成，标志着印度正式开启本土商用半导体芯片生产，这是一个历史性里程碑。”他表示，这是朝着构建可信、韧性、自主的半导体生态系统迈出的决定性一步。印度正从芯片消费国，转型为全球半导体制造与创新中心。

此外，美光正为印度培养下一代半导体人才，以支撑其在印业务运营。通过与PDEU、Namtech、印度国内顶尖高校及政府技能发展项目合作，美光支持STEM教育、专业技能培训、先进制造业人才储备，并推动社区项目，包括面向当地的数字与人工智能素养教育。

如今正处于存储超级周期，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，TrendForce据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

美光此前在财报会议上透露，2026年（日历年）全年高带宽内存（HBM）的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄；并且，公司还预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年将达到1000亿美元（2025年为350亿美元），较此前指引提前两年。

而在供应方面，美光管理层表示，“中期来看，我们仅能满足部分关键客户约50%至三分之二的需求。”在这种背景下，我们看到进入2026年，美光在产能扩张方面有多个动作。

今年1月，美光宣布与力积电签署独家合作意向书，将以18亿美元收购力积电位于中国台湾苗栗县铜锣乡的晶圆厂（不含生产相关机器设备），其中包含了一座面积达30万平方英尺的300mm晶圆洁净室，同时双方将建立长期的DRAM先进封装代工关系，美光将协助力积电在新竹P3工厂进一步提升现有DRAM工艺技术。这次交易有利于美光提升先进制程DRAM产能，并提升力积电的成熟制程DRAM供应，预计能提升2027年全球DRAM供应量。

同月，美光位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约240亿美元（约合人民币1,670亿元），预计2028年下半年投产。据悉，该工厂将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，建成后将提供约70万平方英尺的无尘室空间，将有助于美光满足由人工智能和数据驱动应用迅速扩张所带动的对NAND闪存不断增长的市场需求。

美光在美国纽约州奥农达加县投资1000亿美元的先进存储芯片制造综合体，也在今年正式动工。该项目规划最多建设四座晶圆厂，将成为美国规模最大的半导体制造基地，预计2030年开始投产，并在2030年代逐步提升产能。根据此前规划，美光将在美国投资2000亿美元进行整体扩张，其中包括在爱达荷州新建两座先进高产能晶圆厂、对弗吉尼亚州现有晶圆厂进行扩建与现代化改造、布局先进高带宽内存（HBM）封装能力，以及开展研发工作。美光的目标是实现40%动态随机存取存储器（DRAM）在美国本土生产。

此外，美光之前还宣布将在日本广岛投资96亿美元建设一座专门生产HBM芯片的新工厂。该工厂将设于美光现有的广岛厂区内，预计于2026年5月动工，并于2028年左右开始出货HBM芯片