证券行业评估认为，2026 年存储半导体市场状况代表的并非短期上涨周期，而是存储行业的根本性转型（升级）。该评估表明，随着人工智能 (AI) 的普及改变存储行业的现状，以及新型封装形式的不断涌现，该行业仅仅是“周期性行业”的传统观点正受到挑战。

韩华投资证券分析师朴俊英在2月24日发布的一份报告中预测，2026年全球存储器市场规模将比上年增长159%，达到5749亿美元，是2018年1599亿美元的3.6倍。

他详细预测，DRAM市场将同比增长192%，达到4399亿美元，NAND市场将增长88%，达到1350亿美元。这种增长是典型的价格驱动现象；预计2026年DRAM平均售价（每Gb）将从2025年的0.52美元上涨138%至1.23美元，而NAND平均售价（每Gb）预计也将上涨超过65%，从2025年的0.07美元上涨至0.12美元。

分析师朴先生也将此次价格异常飙升归因于“需求增长”，但他认为供应限制的影响更大。他特别强调，高带宽内存（HBM）的普及可以降低存储器公司业绩的波动性，从而推动整个行业估值（甚至可能出现多次估值重估），使其成为一个盈利能力稳定的行业。

HBM 的竞争格局也被视为一项投资要点。分析师 Park 表示：“凭借 HBM，SK 海力士有望在 2026 年前连续三年实现显著的利润增长。” 他补充道：“我们评估认为，这一趋势极有可能延续至 2027 年。” 实际上，他暗示市场可能不再像过去那样呈现剧烈的周期性波动。

然而，他将三星电子列为首选。分析师朴先生评估认为，三星电子预计将于2026年开始向北美AI GPU客户供应HBM4，其稳定的1c工艺以及基于自有晶圆厂自主生产的4nm基础芯片，可能成为提升HBM4竞争力的“游戏规则改变者”。他还设定了26万韩元（约合179美元）的目标价，较当前股价有37%的上涨空间。

分析师朴先生表示：“可以肯定的是，2026年将是存储器行业的超级繁荣期，我们预计这一年国内存储器企业的根本竞争力也将发生根本性变化。”他补充道：“我们相信，这种繁荣和竞争力的提升并非昙花一现，而是具有可持续性的变革。”他还表示：“我们强烈建议大家充满信心地参与到国内半导体产业的这一历史性升级时期。”

在数字革命的层级结构中，存储芯片长期以来都是“默默奉献者”。虽然中央处理器（CPU）和图形处理器（GPU）作为个人电脑和人工智能时代的“大脑”备受瞩目，但内存，特别是动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存，历来都鲜为人知。几十年来，该行业遵循着一种可预测但又波动剧烈的繁荣与萧条周期，从20世纪90年代的互联网爆炸式增长和2010年代的智能手机普及，到2023年疫情后的调整期，莫不如此。

然而，当前的周期与以往截然不同。人工智能驱动的需求激增并非仅仅是又一次上涨行情——它正在重塑全球内存供应链的结构。

这场“人工智能超级周期”可谓天时地利人和。从2024年开始，主要内存厂商为了避免供过于求，纷纷减产传统DRAM（例如广泛应用于智能手机、PC和消费电子产品的DDR4）的产能。与此同时，随着云服务提供商和科技巨头迅速扩张人工智能数据中心和基础设施，对先进内存的需求，尤其是高带宽内存（HBM）和高容量DDR5的需求，也随之飙升。

这种影响已经显现，而且很可能会加剧。硅晶圆产能的这种战略性重新配置正在产生两个密切相关的效应，这可能会引发新一轮的全球供应链紧张局势。

首先，人工智能超级周期正在从结构上挤压传统行业的生存空间。随着生成式人工智能模型从训练阶段过渡到推理和部署阶段，它们需要强大的计算能力，而高速、大容量内存是其主要支撑，其产能消耗是传统内存的三倍。为了满足这一需求，主要的内存供应商三星、SK海力士和美光已经缩减了DDR4和其他用于笔记本电脑、智能手机、汽车和游戏设备的传统内存的产量。这导致依赖成熟但仍然至关重要的内存技术的消费电子和工业领域内存短缺问题日益严重。

这种转变背后的逻辑很简单。人工智能基础设施（数据中心、服务器）构建者——云服务提供商和大型科技公司——大量订购内存，而且对价格的敏感度远低于消费电子产品制造商。英伟达、谷歌、亚马逊、微软等公司在内存分配中占据优先位置。自2022年以来，利润率高达50%至70%的HBM内存一直供不应求，因为当时人工智能加速器的需求增长速度远远超过了内存产量。对于供应商而言，优先供应人工智能内存是理所当然的。

这种关系是相互促进的。如果没有充足的HBM内存，人工智能基础设施就无法扩展，这促使科技巨头们寻求长期供应协议。与此同时，内存生产商也享受着人工智能热潮带来的红利。2025年，美光科技的股价大幅上涨，三星的营业利润飙升至多年来的最高水平，SK海力士也受益于强劲的需求和全球投资者的关注。

其次，内存短缺有可能演变成更广泛的供应链问题。与疫情期间主要由物流和暂时性中断导致的芯片短缺不同，如今的短缺源于制造业的结构性调整。内存生产日益成为一场零和博弈：每生产用于人工智能服务器的HBM堆叠芯片，就意味着智能手机、个人电脑或汽车等产品缺少一块可用的晶圆。

市场信号凸显了这种压力。行业分析师估计，到2026年初，DRAM平均价格可能会出现前所未有的50%以上的涨幅，而DRAM和NAND的全球供应增长正在急剧放缓。内存占智能手机物料清单的15%至20%，这意味着芯片价格上涨最终将不可避免地转嫁给消费者。PC制造商已发出两位数涨幅的警告，而汽车制造商也面临着来自车用级内存成本飙升的巨大压力。

即使存储器制造商决定重建面向消费电子产品的产能，市场也难以迅速复苏。新建半导体制造厂至少需要两年时间进行建设和设备购置，而且业界仍然对过度投资保持警惕，因为一旦需求降温，过度投资可能会引发另一次崩盘。与此同时，从深圳到东京再到加利福尼亚，从街头小贩到大型制造商，各地市场都出现了囤积居奇的报道，加剧了市场波动。

地缘政治因素使情况更加复杂。关税和出口管制会放大成本，导致供应链碎片化，延长交货时间。贸易壁垒非但不能缓解短缺，反而可能使某些地区陷入长期的失衡状态。

展望未来，内存芯片短缺应被视为对全球供应链的结构性压力测试，而非暂时的中断。虽然产能扩张、供应链韧性提升以及技术突破（例如3D DRAM技术的进步或高带宽闪存等新兴替代方案）最终可能缓解压力，但这些调整需要时间且前景不明朗。当前内存超级周期的持久性最终取决于人工智能投资本身的可持续性：如果没有清晰且盈利的人工智能商业模式，需求增长可能会放缓。

此外，内存限制只是潜在瓶颈之一。即使内存供应有所改善，能源可用性和基础设施限制也可能制约人工智能的部署速度。

总而言之，内存瓶颈凸显了人工智能时代更广泛的现实。从人工智能数据中心到你的下一部智能手机，内存芯片已成为每个人都面临的问题。当前的短缺是否会演变成长期的全球供应链紧张，不仅取决于半导体制造，还取决于各国政府、企业和市场如何在数字化扩张并非一帆风顺的时代管理风险、投资和预期。