周一（1月5日），据《韩国经济日报》援引行业匿名人士消息，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%至70%。报道称，两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。

此次提价策略基于企业对市场需求持续走强的预判。据悉，三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议，以灵活适应价格变动。行业预计，在AI算力需求爆发及数据中心投资扩大的推动下，DRAM价格有望在2027年前保持逐季度阶梯式上涨的态势。

1月5日，三星电子股价大涨近7.5%创历史新高，SK海力士同步走强涨近3%，两大存储巨头的强势表现直接提振了市场情绪，推动韩国首尔综指收涨3.43％，创收盘历史新高。

美股半导体股盘前延续强势，美光科技、阿斯麦涨超2%，上一交易日均创历史新高。

A股方面，存储芯片概念盘中走势活跃，截至收盘，恒烁股份、云汉芯城、普冉股份等20%涨停，江波龙涨近16%，中微公司涨超14%。

行业方面，Google、Meta、微软及亚马逊AWS等北美四大云厂（CSP）持续扩大AI基础建设投资，2026年总投资金额有望达到6000亿美元历史新高规模。在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR4 16Gb涨幅高达1800%，DDR5 16Gb涨幅高达500%，512Gb NAND闪存涨幅高达300%。

国金证券认为，2026年全年全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价，预计2026年DRAM的位元供应量增幅约为15%至20%，而需求增速预计将达到20%至25%。NAND位元供应量增幅为13%至18%，需求增速预计则达到18%至23%，2026年服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量将同比激增40%至50%，应用于AI服务器领域的增速更快。预测2026年一季度，存储合约价格继续攀升，涨幅将达到30%—40%。DDR5 RDIMM内存价格预计将上涨超过40%，NAND闪存价格预计将出现两位数百分比的涨幅。