1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。

此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。

此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。

同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。

士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。

国内8英寸SiC衬底企业已形成“头部引领、腰部跟进、尾部追赶”的明确产能梯队。

第一梯队以天岳先进、天科合达、三安光电为代表，具备大规模量产能力，产能规模超10万片/年，且产品通过国际主流客户验证，占据主要市场份额。其中天岳先进2024年以8英寸为主的衬底产能达46万片/年，2025年目标总产能提升至60万片/年，上海临港工厂2024年年中已提前达成年产30万片导电型衬底产能，目前正推进二阶段产能提升，济南、济宁基地与临港基地形成协同供应；天科合达2024年已实现8英寸衬底大规模生产，2025年衬底总产能规划达50-80万片（含8英寸），外延片产能25万片，北京、徐州基地为核心，深圳合资公司重投天科进一步补强6-8英寸衬底及外延产能，且8英寸产品已通过国内外主流器件厂商验证并获得多年LTA量产订单；2025年上半年，三安光电湖南基地8英寸衬底产能达1000片/月，外延产能2000片/月，重庆基地与意法半导体合资布局，规划8英寸衬底产能48万片/年，2025年2月已通线并交付样品验证。

第二梯队企业以烁科晶体、南砂晶圆、晶盛机电（子公司浙江晶瑞）为代表，已实现小批量或规模化生产，产能规模在5-10万片/年。烁科晶体2024年10月二期项目投产后，新增6-8英寸衬底20万片/年，4-8英寸总产能跃居全球前三，太原基地为核心生产阵地；南砂晶圆2024年济南北方基地8英寸项目正式投产，当年产能达5万片/年，2025年规划将8英寸产能提升至50万片/年，形成广州、中山、济南三地布局；晶盛机电2024年底8英寸衬底产能达3000片/月（约3.6万片/年），2025年规划提升至6万片/年，宁夏创盛年产60万片8英寸衬底配套项目于2025年7月开工，马来西亚槟城基地一期还规划24万片/年8英寸产能，国际国内产能协同推进。

第三梯队企业如科友半导体、天成半导体等，完成技术攻关后进入小批量试产或送样阶段，产能规模低于5万片/年。科友半导体2025年8英寸产能为5000片/年，二期规划扩至数万片/年，2023年已通过“8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收，具备批量制备能力；天成半导体2025年一季度实现8英寸批量生产，一期规划产能5万片/年（含6/8英寸），太原基地自研8英寸加工工艺，产品质量达国内领先水平