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股市情报:上述文章报告出品方/作者: 全球半导体观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

长江存储首席科学家:中国三维闪存芯片实现了跨越式发展

时间:2025-07-07 13:25
上述文章报告出品方/作者: 全球半导体观察;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

近日,在北京大学2025年研究生毕业典礼上,长江存储首席科学家、北大校友霍宗亮表示,我国的三维闪存芯片技术从无到有、从落后到赶超,实现了跨越式的发展。


资料显示,长江存储成立于2016年7月,是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业,主要为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。


2014年,长江存储3D NAND闪存项目正式启动;2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存;2020年4月,长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存,拥有发布之时业界最高的I/O速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。


此外,目前长江存储旗下零售存储品牌—致态,旗下产品主要包括固态硬盘、移动固态硬盘及存储卡等,均采用基于晶栈®Xtacking®创新架构的长江存储原厂颗粒。

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