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股市情报:上述文章报告出品方/作者:财联社;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

存储涨价,闪现新信号

时间:2026-02-02 20:05
上述文章报告出品方/作者:财联社;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

遭受存储涨价潮重压的下游厂商们,或许能稍稍“喘口气”了。

据美银最新报告显示,在连涨多个月之后,上周DRAM现货价格走弱,这也是该价格自2025年9月以来首次出现回调。

随着DRAM现货价持续攀升,已有多家OEM反映,低阶PC、智能手机与平板中的DRAM成本占比已高于合理水准。一般而言,DRAM成本占比在终端产品售价中的比例低于一成,但按照目前现货价格计算,部分产品已难以吸收相关成本。

不过,现货价与合约价情况不同,一线OEM与普通OEM的成本也不尽相同。

美银指出,DRAM现货与合约价格仍存在明显落差。一线OEM拿到的DRAM合约价格仍大致在每GB 10~20美元区间,远低于现货市场水准,现货价格后续可能朝合约价格回归。

部分模组厂也表示,若DDR4或DDR5价格回落至20~30美元区间,不论容量或规格,市场仍具备明显追加采购动能。

美银指出,目前不好将这次回调定义为“产业反转”或是“硬着陆”的早期信号,但短期价格波动已开始反映终端成本。

回调是短暂的,从机构预期来看,涨价依旧是存储产业的“主旋律”。

TrendForce今日发布的存储产业调查显示,2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,原厂议价能力有增无减,全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格环比增幅,预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的55%~60%环比增幅,改为上涨90%~95%,NAND Flash合约价则从环比增幅33%~38%上调至55%~60%,并且不排除仍有进一步上调空间。

此外,美银已上调存储产业中期展望,将2026 年DRAM与NAND平均销售价格(ASP)预期上调20%以上,并小幅提高储存位元出货量成长假设,同时上修资本支出预估,主要反映HBM扩产,以及晶圆厂土木工程与电力等基础建设投资增加。

美银表示,在AI驱动需求与HBM扩产支撑下,存储产业中期基本面仍偏正向,后续关键仍在于价格修正幅度与终端需求消化速度。其仍看好存储产业具备多年成长周期,预期2026年第二季至下半年ASP将趋于稳定,2027年可能出现低于10%的价格回调。

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