钻石散热方案在高效能电子产品应用潜力广阔,未来每台电脑、汽车和手机都有望装上钻石。半导体领域,“钻石冷却”技术可让GPU、CPU计算能力提升3倍,温度降低60%,能耗降低40%,为数据中心节省数百万美元的冷却成本。新能源汽车领域,超薄钻石纳米膜助力电动汽车充电速度提升5倍,热负荷降低10倍。基于钻石技术的逆变器体积小6倍,性能更卓越。太空卫星领域,数据速率提升5-10倍,尺寸减小50%,并在严酷的太空环境中表现更稳定。无人机领域,无人机仅需1分钟就能充满电,金刚石吸收产生高密度激光束,解决续航问题。基于独特物理特性,钻石还在量子计算、核处理等方面打开应用潜力。
钻石散热产业链开启“从0到1”临界点,全球各项应用加速落地。美国Akash Systems公司获得美国芯片法案支持,体现了对钻石散热前景的充分认可;英伟达率先采用钻石散热GPU实验,性能是普通芯片的三倍;华为接连公布钻石散热专利,坚定入局,未来有望在高性能计算、5G通信、人工智能等领域广泛应用;国内公司化合积电已具备较为完整的金刚石半导体材料解决方案,并实现规模化生产(未上市,光莆股份有持股)。我们测算钻石散热市场规模有望由2025年0.5亿美元(渗透率不足0.1%)增长至152亿美元(渗透率约10%),复合增速214%,市场前景可观。我国人造钻石产业链具备绝对成本优势,人造金刚石产量占全球总产量的90%以上。国内培育钻石企业积极布局“钻石散热”技术,并在半导体衬底、热沉等方面取得突破。2024年8月,商务部、海关总署开始对人造金刚石设备和技术进行出口管制。
我们认为,钻石散热作为下一代散热技术,在AI时代具备划时代意义和产业化潜力。我国具备完整的产业链,同时对上游材料进行出口限制,产业化正处于“从0到1”阶段,开发进度毫不逊于海外。在全球高算力时代,我国有望站在科技制高点。受益标的:力量钻石、黄河旋风、光莆股份、沃尔德、国机精工、四方达、中兵红箭、惠丰钻石
风险提示
钻石散热产业化不及预期;供应链发展不及预期。
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正文
散热革命已成为AI、HPC时代的最大挑战。电流通过导体时会生成焦耳热,芯片在运行过程中不可避免地产生大量热量,若无法及时散发,芯片温度将急剧上升,进而影响其性能和可靠性。热流密度(热通量)指的是每单位面积传递的热量,随着半导体产业遵循着摩尔定律逐步迈向2纳米、1纳米甚至是埃米(Angstrom,1埃=十亿分之一米)级别迈进,尺寸不断缩小,功率不断增大,带来了前所未有的热管理挑战。同时,云计算、加密计算和人工智能等需求的增长,芯片的TDP(热设计功耗)持续上升,2023年已出现接近1000W的高功率芯片,未来的芯片热流密度可能达到1000W/cm²,热流密度越来越高,摩尔定律受到散热挑战。

芯片内部热量无法有效散发时,局部区域会形成“热点”,导致性能下降、硬件损坏及成本激增。(1)性能下降:据Cabontech Magazine,当电子设备温度过高时,工作性能会大幅度衰减,当芯片表面温度达到70-80℃时,温度每增加1℃,芯片的可靠性就会下降10%。AI硬件的高功率需求下,过热限制了硬件性能的发挥,阻碍了芯片的理论性能实现。(2)设备失效:芯片温度每升高10℃,其运行寿命减半,超过55%的设备故障与过热直接相关。(3)成本激增:企业每年需投入数亿美元在散热系统上,包括大量消耗能源和资源的冷却系统(如液冷、风冷等),不仅增加了运营成本,也加剧了能源消耗;(4)安全隐患:极端情况下,温度过高可能引发火灾等严重事故,给设备和人员安全带来威胁。


英伟达Blackwell处理器面临的热挑战。2024年11月18日,《The Information》报道称,英伟达新一代Blackwell处理器在高容量服务器机架中存在严重的过热问题,导致设计调整和项目延期,引发了谷歌、Meta和微软等主要客户的担忧。Blackwell GPU专为人工智能(AI)和高性能计算(HPC)设计,配备72颗处理器的服务器中,过热限制了性能,并可能损坏硬件。每个机架的功耗高达120千瓦,给散热带来了巨大挑战,迫使英伟达多次重新评估服务器机架设计,以确保GPU性能和组件的稳定性。除了GPU和服务器机架的过热问题,英伟达还曾遇到HBM内存的过热问题。三星的HBM3和HBM3E内存面临过热和功耗问题,未能通过英伟达的测试,过热问题直到几个月后才解决。

发展新一代散热材料,减少散热风险、解决全生命周期散热成本,成为未来关键突破点。现有的散热材料、导热界面材料(TIM)、热管和均热板等具有一定的导热性能,但其热导率仍难以满足高功率器件的需求。发展新散热材料迫在眉睫,让芯片运行效率更快而没有过热的风险,并减少全生命周期的散热成本,已成为解决高算力设备散热问题的关键。

半导体材料发展演变之路:从“沙子”到“钻石”。自20世纪50年代以来,半导体行业经历了多个技术阶段,从第一代半导体材料硅(Si),逐步向第三代半导体金刚石(又称“第四代半导体”)、碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等演化。
第一代半导体材料(1950s-至今):自1959年硅晶片问世以来,硅和锗(Ge)成为了半导体材料的主力,广泛应用于集成电路和电子器件中。尽管硅材料为半导体技术的发展做出了巨大贡献,但其物理特性(如较低的带隙)限制了其在高频和高功率领域的应用。
第二代半导体材料(20世纪末):随着技术需求的升级,第二代半导体材料开始出现,代表材料包括砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)。这些材料具备较高的电子迁移率和更宽的带隙,使得其在高频、高速和光电应用中具有优势。然而,GaAs和InP的高成本和毒性问题限制了它们的广泛应用。
第三代半导体材料(21世纪初至今):进入21世纪后,半导体行业的研究焦点逐渐转向了第三代宽禁带半导体材料,这些材料具有更宽的带隙、更高的热导率和更强的抗电压击穿能力,以金刚石、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为主第三代半导体材料成为热点。

1.导热性:金刚石的热导率是已知最高的材料之一,达到2000 W/m·K,是硅(Si)、碳化硅(Sic)和砷化镓(GaAs)的13倍、4倍和43倍,铜和银4-5倍。在热导率要求为10~200 W/(m·K)之间时,金刚石是唯一可选的热沉材料。作为芯片基板时,金刚石也能更有效地将热量从处理器中带走,让器件拥有更高的性能,并实现轻量化和小型化。
2.禁带宽度与击穿电场:金刚石的禁带宽度达到5.47 eV,其击穿电场强度为10^9V/m,是砷化镓的17倍、氮化镓的2倍、碳化硅的2.5倍。宽禁带特性使金刚石在高温、高压、高频等极端环境下具有优异的耐电强度,能够承受更高的电压,广泛应用于高压电力设备、射频器件等高性能领域。
3.载流子迁移率:金刚石具有极高的载流子迁移率,电子迁移率为4500 cm²/V·s,空穴迁移率为3800 cm²/V·s,显著优于硅、砷化镓和氮化镓等常见半导体材料。其强大的共价键和稳定的晶格结构,使电子在金刚石中能够以极高的速度运动,大幅降低电阻和损耗,提升高频电子器件的性能,适用于高频通信、雷达系统等需要高速信号处理的应用。




2、 钻石散热:高算力时代的“终极”方案,打开AI潜力的钥匙
钻石基于独特电学和热导的优势,散热前景非常广阔。钻石散热方案有望在高效能电子产品、量子计算中发挥重要作用,未来每台电脑、汽车和手机都有望装上钻石。
2.1、AI、HPC:钻石芯片性能提升三倍,温度降低60%
钻石散热技术可让GPU计算能力提升三倍,温度降低60%。随着芯片性能的提升,功率增加导致的积热问题成为制约CPU、GPU性能的瓶颈,钻石冷却技术被视为有效的解决方案。钻石基板具有超高的热导性,可以大幅提升芯片散热效果。根据DF公司描述,钻石晶圆通过在芯片内提供超高速的热量通道,有助于将热量更快速地从活跃硅层传递到铜层,提升人工智能和云计算领域的芯片速度3倍。Akash Systems提出的“钻石冷却GPU”技术可以有效降低GPU热点温度10-20摄氏度,风扇速度减少50%,超频能力提升25%,并延长服务器寿命一倍,预计可为数据中心节省数百万美元的冷却成本,同时温度降低高达60%,能耗降低40%。


英伟达率先采用钻石散热GPU进行测试实验,性能是普通芯片的三倍。据Diamond Foundry官网,图中显示英伟达钻石散热GPU,可使AI及云计算性能提升三倍。据报道,英伟达率先在未发布的高端GPU进行采用金刚石散热方案的测试实验,其性能是基于标准制造材料的普通芯片的三倍。

2.2、电动汽车:钻石纳米膜,将电动汽车充电速度提升五倍
超薄钻石纳米膜助力电动汽车充电速度提升5倍,热负荷降低10倍。2024年3月,弗劳恩霍夫研究所的工程师开发了一种超薄钻石纳米膜,用于冷却电子元件,从而显著提升电动汽车的充电速度。钻石因其卓越的导热性和电绝缘性,可以替代传统散热器中的中间层。该钻石纳米膜仅1微米厚,能够轻松粘合到电子元件上。研究人员估计,钻石纳米膜可以将电子元件的热负荷降低10倍,这当然会提高这些元件和整个设备的能源效率和使用寿命。研究小组表示,如果将这种薄膜整合到充电系统中,可以将电动汽车的充电速度提高五倍。由于金刚石纳米膜可以在硅晶片上制造,因此其生产过程具有较强的规模化潜力,适合工业应用。该团队已为该技术申请了专利,并计划未来在电动汽车和电信领域的逆变器及变压器上进行测试。

基于钻石技术的逆变器体积小六倍,性能更卓越。在电动汽车领域,逆变器是关键组件之一。目前,特斯拉的Model 3逆变器被认为是业界最小型的逆变器。然而,基于钻石晶圆的卓越导热性和电绝缘性,创新的逆变器架构能够显著提升小型化、效率和稳定性。据DF公司称,他们所开发的新型逆变器比特斯拉Model 3的逆变器小了六倍,同时在性能和效率上也有所超越。DF Perseus原型的第一批样品已在主要汽车OEM实验室中成功测试。

Orbray与丰田旗下车载半导体研发企业Mirise Technologies签订协议,共同研发钻金刚石功率半导体。日本Orbray宣布与丰田旗下的Mirise Technologies签订三年合作协议,共同研发基于金刚石的功率半导体,专为电动车需求而设计。根据协议,Orbray将负责开发P型导电性金刚石晶圆基板,而Mirise将专注于功率元件中的持续耐电压结构。作为合作的一部分,Orbray将投资100亿日元(约5亿元人民币)建设新的工厂,生产金刚石晶圆基板等电动汽车零部件。此外,Diamfab公司也致力于推广金刚石在电动汽车中的应用,近期为电动汽车研发了全金刚石电容器,并预计在未来十年所有电动汽车都会出现钻石。

2.3、 太空卫星:增强通讯速度,数据速率提高5-10倍

2.4、 无人机:解决无人机续航问题,无需大电池也能飞行
人造钻石解决无人机续航问题,无需大电池也能飞行。2018年11月,瑞士公司LakeDiamond利用自制的人造钻石和激光发生器相结合,成功实现了无人机的远程无线充电。通过激光激发钻石,产生的光束能够在远距离内保持高质量的照射效果。该技术使得电源地面供电网络增强,避免了无人机携带大电池所带来的能量浪费,从而实现更远的飞行距离。如果激光充电技术按此效果运行,无人机将在不依赖重型电池的情况下飞行数百英里。LakeDiamond表示,一架手掌大小、耗电2到3瓦、飞行时间为30分钟的无人机,仅需1分钟就能充满电。

2.5、 量子计算、核处理等领域应用潜力突出
除了半导体和电动汽车外,钻石散热还在量子计算、核处理等方面打开应用潜力。

3、 产业化进入“从0到1”阶段,培育钻石产业链大放异彩
3.1、全球加速钻石散热应用落地,产业化进入“从0到1”阶段
3.1.1、钻石散热产业化曾受到技术、成本双重挑战
金刚石芯片产业化曾受制于技术、成本两方面的挑战:
(1)并非所有类型的金刚石都适合用于制造芯片。金刚石分为不同的等级,如量子级、电子级、光学级、热学级和力学级,主要依据位错密度和含氮量等参数来区分。用于芯片的金刚石必须达到电子级以上的纯度要求,这对材料的选择和提纯工艺提出了较高的要求。
(2)金刚石芯片的掺杂技术仍存在瓶颈。纯净的金刚石本身是绝缘体,必须通过掺杂来实现半导体性质。尽管p型掺杂技术已经相对成熟,主要采用硼(B)作为掺杂元素,但n型掺杂仍是难以突破的产业化难题。由于n型掺杂元素在金刚石中的电离能较高,且合适的施主元素尚未找到,这使得n型掺杂的技术进展缓慢,阻碍了金刚石芯片的进一步发展。


3.1.2、 应用落地加速,获美国芯片法案支持,华为坚定入局
Akash Systems已获得美国芯片法案支持,体现了对钻石散热前景的充分认可。2024年11月,Akash Systems公司与美国商务部,签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),根据《芯片与科学法案》提供1820万美元的直接资助和5000万美元的联邦和州税收抵免。Akash Systems钻石冷却技术将GPU温度降低20度,超频潜力提升25%,并计划生产人造钻石晶圆。CHIPS法案为美国半导体行业大规模投资,小公司和初创公司常不在资助名单上,体现了对钻石散热前景的充分认可。




(1)数据中心:我们预计钻石散热在数据中心市场规模由2025年的0.2亿美元(渗透率0.1%),增长至2030年的48亿美元(渗透率12%),年复合增速202%。数据中心运算量大,散热需求比较靠前,我们对钻石散热在数据中心领域的市场测算分析如下:

在数据中心的建造成本中,冷却系统(热管理)占比15%-20%,随着算力的发展,冷却系统的价值量还有望持续提升。温控系统的能耗占数据中心非IT能耗的80%,是其运营成本中的主要组成部分。随着双碳目标的推进,PUE(电能使用效率)的要求逐步趋严。

2024年全球数据中心热管理市场规模166亿美元,液冷技术渗透率约17%。根据R&M数据,2024年全球数据中心热管理市场规模为165.6亿美元,到2029年预计将增长至345.1亿美元,2024-2029年CAGR为15.8%。从技术渗透率来看,Omdia预计2023年数据中心风冷和液冷市场规模为76.7亿美元,其中液冷的渗透率约为17%。



(2)新能源汽车:我们预计钻石散热在新能源市场规模由2025年的0.1亿美元(渗透率0.05%),增长至2030年的52亿美元(渗透率10%),年复合增速241%。



(3)消费电子:我们预计钻石散热在消费电子市场规模由2025年的0.16亿美元(渗透率0.05%),增长至2030年的38亿美元(渗透率10%),年复合增速197%。



(4)卫星通讯:我们预计钻石散热在卫星通信市场规模由2025年的0.02亿美元(渗透率0.05%),增长至2030年的11亿美元(渗透率10%),年复合增速265%。
2024年全球卫星通信设备市场规模为379.4亿美元。卫星通信设备的应用领域广泛,涵盖了军事、航空、航天、海洋、交通、能源和通信等多个行业。据贝哲斯咨询的数据,2024年全球卫星通信(SATCOM)设备市场的规模预计为379.4亿美元,并预计到2029年将增长至918.8亿美元。


(5)无人机:我们预计钻石散热在无人机市场规模由2025年的0.01亿美元(渗透率0.1%),增长至2030年的2.6亿美元(渗透率10%),年复合增速184%


(6)人形机器人:我们预计钻石散热在人形机器人市场规模2030年约1亿美元。




3.3、 培育钻石产业链有望大放异彩
3.3.1、中国人造钻石产能全球第一,极致成本优势助力金刚石散热产业化


培育钻石产业链包括“设备制造 毛坯生产”两大环节。
1、设备制造端主要公司:国机精工、辽宁鑫源等。培育钻石HTHP法(高温高压法)的核心设备是六面顶压机,中国在该领域的技术水平居全球领先地位,但由于设备厂商扩产意愿受限,压机的供应量相对稳定。CVD法(化学气相沉积法)主要采用MPCVD流派(日本SEKI技术较为先进),全球设备数量增长迅速,国产设备技术水平也显著提升。

我国培育钻石生产企业积极布局培育钻石产能。从我国培育钻石主要企业产能规划看,目前我国培育钻石产能规划最多的公司为力量钻石,2022年规划产能超200万克拉。此外,国内多家培育钻石企业推进新产能项目,力量钻石、中晶公司、沃尔德、国机精工、富耐克等公司积极布局培育钻石新增产能项目。中晶公司、沃尔德、国机精工、富耐克等公司也纷纷扩产培育钻石生产领域。其中沃尔德计划投资3.3亿元,重点建设一条年产20万克拉的培育钻石生产线。力量钻石在2022年发布的股票募投项目中,计划利用募集资金采购1800台六面顶压机(生产金刚石的核心设备),投入培育钻石生产制造,旨在加快提高产量。


3.3.2、 国内培育钻石企业积极布局“钻石散热”技术,并取得突破
国内培育钻石积极布局“钻石散热”技术,在半导体衬底、薄膜及热沉方面取得突破。国内培育钻石企业在散热领域加速布局,依托CVD和HTHP技术,广泛应用于半导体芯片、5G射频、AI等高端领域的散热材料开发。力量钻石、沃尔德、国机精工、中兵红箭、黄河旋风、惠丰钻石及四方达等公司,依托金刚石优异的特性,在人造钻石用于半导体衬底、薄膜及热沉方面的应用取得突破。

3.4、 人造金刚石设备和技术已开始出口管制
2024年8月,我国对人造金刚石设备和技术进行出口管制。2024年8月15日,商务部、海关总署决定对锑、超硬材料相关物项实施出口管制。超硬材料相关物项包括:(1)六面顶压机设备;(2)六面顶压机专用关键零部件,包括铰链梁、顶锤、合成压力大于5千兆帕的高压控制系统;(3)微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)设备;(4)金刚石窗口材料;(5)用六面顶压机合成人造金刚石单晶或立方氮化硼单晶工艺技术;(6)用于制造已列管的六面顶压机设备的技术。超硬材料又被称为最硬最锋利的“工业牙齿”或“材料之王”,通常是指金刚石和立方氮化硼,立方氮化硼的硬度仅次于金刚石(硬度分别为9.5、10)。
4、 投资建议
我们认为,钻石散热作为下一代散热技术,在AI时代具有划时代意义和产业化潜力。我国具备完整的产业链,同时对上游材料进行出口限制,产业化正处于“从0到1”阶段,开发进度毫不逊于海外。在全球高算力时代,我国有望站在科技制高点。受益标的:力量钻石、黄河旋风、光莆股份、沃尔德、国机精工、四方达、中兵红箭、惠丰钻石


(1)钻石散热产业化不及预期。金刚石的当前价格较高,且散热技术的大规模产业化仍面临诸多挑战,如低成本金刚石生产方法的突破、低温高质量键合技术的实现,以及三维集成兼容工艺的优化等。若相关技术进展不及预期,可能影响钻石散热技术的产业化进程。
(2)供应链发展不及预期。钻石散热技术依赖于上游高质量金刚石材料的供应。如果上游材料降本进程缓慢或无法有效扩产,将可能导致国内供应链的发展滞后,进而影响整体产业的成熟与发展。
报告发布时间:2024年12月8日
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孟鹏飞,开源证券机械行业首席分析师,7年高端装备产业经验 5年证券从业经验。2008-2015年先后任职欧洲知名光伏设备企业和全球最大的机器人、数控企业日本FANUC。2015-2019年任职于国金证券,先后负责新兴产业高端装备研究、机械行业智能制造研究等。2019水晶球机械行业第三名团队成员;新浪金麒麟机械行业第三名。2020年-2022年任职于新时代证券研究所。2022年6月加入开源证券研究所。
熊亚威,开源证券机械行业分析师,复旦大学金融硕士。7年行研经验,曾任职于中泰证券、远川研究等机构。2022年8月加入开源证券研究所。
罗悦,开源证券机械行业分析师,南京大学经济学学士、硕士;CPA,CFA,FRM。曾任职于东吴证券,4年机械行业研究经验。2024年9月加入开源证券。
张健,开源证券机械行业分析师,上海交通大学硕士,动力工程及工程热物理专业。2年电力行业咨询经验,2年卖方研究经验,曾任职于莫尼塔咨询、德邦证券等机构。2023年4月加入开源证券研究所。
孙垲林,开源证券机械行业研究员,香港中文大学管理学硕士。2023年4月加入开源证券研究所。
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