9月28日，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）发布了两项重大投资：一是投资241亿元开展技术研发工作，加速公司技术和产品迭代升级；二是投资108亿元建设存储器晶圆后道测试基地二期项目，累计投资总额达349亿元。

根据公告，技术研发项目将由长鑫科技作为实施主体，项目总投资241亿元，其中拟使用超募资金投入金额130亿元，实施地点为安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内，建设周期30个月。

存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元，其中长鑫科技拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金50亿元，由长鑫产品合肥负责实施建设。

据悉，该项目计划在合肥市肥西县创新大道与皋城路交叉口西南侧建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装，项目建设周期为37个月。

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长鑫科技是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，已完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进。

当前，在AI服务器、高性能计算等市场需求的推动下，存储芯片市场强劲复苏。长鑫科技在研发与产能上的重磅加码，进一步反映出DRAM产业景气度正持续高涨，其与产业链上下游企业的协同效应也愈发紧密。

同日，长鑫科技产业链核心伙伴兆易创新也发布公告表示，受DRAM产品代工价格随市场行情上行，以及公司陆续推出利基型DRAM和定制化存储新产品等因素影响，公司决定增加2026年度与长鑫科技及其控股子公司（以下合并简称“长鑫集团”）的日常关联交易预计额度。

根据公告，兆易创新本次预计增加额度人民币21.43亿元。增加后，兆易创新与长鑫集团2026年度的日常关联交易预计总额度由57.11亿元提升至78.54亿元。此外，兆易创新还进一步预计，2027年1-4月与长鑫集团的日常关联交易额度将达到人民币44.11亿元。

兆易创新是一家致力于开发存储器技术、MCU、传感器和模拟产品及解决方案的无晶圆厂半导体公司，其核心产品线包括存储器（Flash、利基型DRAM）、32位通用型MCU、智能人机交互传感器。

DRAM是兆易创新的重要产品线，公司在完成产品设计后，晶圆制造等环节需要外包给专门的晶圆代工厂完成。长鑫集团作为国内稀缺的 DRAM 存储产品 IDM 企业，是兆易创新在利基型DRAM业务领域重要的合作伙伴。

兆易创新表示，通过 DRAM 产品采购代工之合作方式，优势互补，优化资源配置，丰富公司产品线，有利于提高公司核心竞争力和行业地位。