随着人工智能（AI）数据中心投资的不断扩大加剧了高带宽内存（HBM）的供需失衡，三星电子和SK海力士正在加快其生产时间表。由于预计明年需求将继续超过供应，这两家芯片制造商正采取行动大幅扩大产能，远超原定计划，以巩固其在市场中的地位。

三星的举措尤为激进。该公司正计划将明年第六代HBM（HBM4）及其后续产品HBM4E的产量提高至今年水平的大约两倍。为了支持这一扩张，三星计划将HBM晶圆的月投入量从今年的18万片增加到明年的25万片，增幅达40%，同时将其HBM4系列产品在HBM总出货量中的比例提升至80%。由于HBM4在量产初期的良率一直低于60%，而近期已提高至80%左右，从而提升了盈利能力和出货量，这一扩张努力正获得更大的动力。

三星的激进扩张已在市场份额数据中显现。根据Counterpoint Research的数据，三星的HBM营收份额从第一季度的21%攀升至第二季度的33%。在同一时期，SK海力士的份额从58%降至50%，使两家公司之间的差距在短短一个季度内从37个百分点缩小至17个百分点。三星正试图在HBM4市场超越SK海力士，其策略是利用涵盖存储、代工和先进封装的垂直整合业务结构，在内部优化如4纳米基础芯片（base-die）等工艺技术。

与此同时，SK海力士正在推进大规模投资以捍卫其领先地位。该公司计划将清州M15X工厂的晶圆月投入量从约1万片扩大至8万片，同时提前完成其龙仁半导体集群首座晶圆厂的建设，目标是明年投入运营。SK海力士曾单独表示，正在加快M15X的量产时间表，并准备在2027年初龙仁集群首个无尘室启用后迅速扩大产能。不过，一些分析师警告称，三星供应量的全面提升可能会削弱SK海力士迄今为止享有的部分供应商定价权和高盈利能力。

尽管两家公司都在积极扩充产能，但市场并不普遍担心供过于求。预计明年HBM需求增长率为56%，高于预期50%的供应增长率。包括英伟达和AMD在内的主要客户在推出下一代AI加速器时，也在增加每颗芯片的HBM用量，这进一步收紧了供需平衡。在此背景下，普遍观点认为，明年HBM4的价格将比今年高出约65%。

HBM的短缺也蔓延到了传统存储市场。由于韩国制造商将有限的产能优先用于HBM和服务器产品，PC和智能手机的DRAM供应变得紧张。TrendForce集邦咨询预测，第三季度传统DRAM的固定合约价格环比涨幅可能高达18%。

专家表示，扩大产能并确立技术领先地位，对于韩国半导体产业在AI周期中保持前沿地位至关重要。“随着三星和SK之间竞争的加剧，在需求强劲的情况下占据市场，将使韩国能够在美中两国不断缩小差距的同时保持领先地位，”祥明大学系统半导体工程系教授Lee Jong-hwan表示。然而，韩元走强导致的汇兑损失以及AI投资步伐的不确定性等风险，预计仍将是可能影响未来业绩的变数。