2026年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。

依托创新的四重曝光技术，G5平台把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

据长鑫存储介绍，G5微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

本次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

事实上，在此前的9月16日，号称全球首款AI智能体手机的努比亚NaviX Ultra正式发布。长鑫存储在其官方微博发文称，努比亚NaviX Ultra搭载长鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X内存。这也是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。

资料显示，长鑫存储成立于2016年，专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。2026年7月27日，长鑫存储成功登陆科创板。

受全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势，带动长鑫存储主要DRAM产品销售毛利大幅增长。

2026年上半年，长鑫存储实现营收1503.1亿元，同比大增873.64%，归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润787.93亿元。