三星电子预测今年内存半导体将持续短缺。由于第一季度DRAM和NAND闪存的出货量均有所增长，价格上涨预计不可避免。

特别是，高带宽存储器（HBM）难以满足全球因人工智能基础设施投资而激增的需求。三星电子已设定目标，今年其HBM销量将比去年增长三倍以上。容量方面，预计将超过100亿吉比特（Gb）。

29日，三星电子通过电话会议公布了其2025年第四季度收益，并宣布了其对今年存储器市场的展望。

由于去年下半年供应严重短缺，存储器供应商正在迅速提高DRAM和NAND闪存的盈利能力。三星电子报告称，去年第四季度其DRAM平均售价（ASP）较上一季度增长了40%。NAND闪存的平均售价也较上一季度增长了20%。

今年第一季度，存储器出货量（位数）的增长预计仍将受到限制。与上一季度相比，DRAM 和 NAND 的出货量预计分别保持在个位数低段和个位数中段的水平。因此，存储器价格将面临进一步的上涨压力。

三星电子解释说：“由于近期人工智能领域的需求快速增长，内存供应扩张受到限制，这种情况在短期内仍将持续，无论是通用内存还是高带宽内存（HBM）。因此，我们正在接受来自大型客户（例如GPU和ASIC（专用集成电路）公司以及超大规模数据中心运营商）的多年期合同。”

因此，三星电子计划今年加快基于尖端工艺的DRAM和NAND产能扩张。预计新增投资和产能转换将集中于1C DRAM和第九代NAND。

三星电子也对今年扩大其HBM业务充满信心。该公司表示： “HBM4正在使用去年提供的样品进行顺利的客户评估，无需任何重新设计”，并且“目前已进入质量测试 的最后阶段” 。

该公司补充道：“我们正在正常推进 HBM4 产品的量产”，并且“应主要客户的要求，我们计划从 2 月份开始量产 HBM4 产品，包括顶级的 11.7 Gbps 产品”。

三星电子今年的HBM销售目标比去年高出三倍以上。考虑到三星电子去年的HBM总供应量估计为40亿Gb，今年的供应量预计将超过100亿Gb。

三星电子表示：“尽管我们努力扩大供应，但今年对 HBM 的需求超过了我们的产能。”并表示：“我们希望主要客户能够尽早敲定 2027 年及以后的供货协议。”