埃隆·马斯克表示，特斯拉公司需要建造并运营一座他称之为“TeraFab”的半导体制造厂。这项浩大的工程将耗资数十亿美元，标志着该公司业务范围的进一步扩张，不再局限于其核心的电动汽车业务。

“为了消除未来三四年内可能出现的产能瓶颈，我们必须建造一座特斯拉TeraFab，”马斯克周三在特斯拉财报电话会议上表示，“一座规模庞大的工厂，涵盖逻辑电路、存储器和封装等各个环节，而且将在美国本土生产。”

作为全球市值最高的汽车制造商，特斯拉将未来押注于人工智能、自动驾驶和机器人技术。这些项目对芯片的需求量巨大，而这家总部位于奥斯汀的公司目前主要从三星电子和台积电采购芯片。

马斯克指出，包括台积电、三星和美光科技在内的现有供应商无法满足特斯拉的供货需求。

“这对于确保我们免受地缘政治风险的影响至关重要，”马斯克说道。 “我认为人们可能低估了一些地缘政治风险，这些风险将在几年内成为一个重要因素。”

世界对台湾台积电及其国内产能的依赖程度很高，这直接关系到尖端芯片的供应。

最近几周，世界首富暗示特斯拉可能会自行生产芯片，以解决他认为在竞争激烈的AI竞赛中，芯片供应不足这一主要瓶颈问题。

“如果我们不建晶圆厂（fab），就会遇到芯片瓶颈，”马斯克在最近与X Prize基金会创始人彼得·迪亚曼迪斯（Peter Diamandis）的播客节目中说道。他指的是芯片工厂的行业术语。“我们只有两个选择：要么遇到芯片瓶颈，要么建晶圆厂。”

去年11月，马斯克也曾向特斯拉股东表示，公司可能需要建造一座“TeraFab”（万亿级晶圆厂），他说：“我看不出还有什么其他方法可以达到我们所需的芯片产量。”

芯片制造的经济成本非常高昂。建造一座尖端工厂需要数百亿美元的固定成本，而且从投产到全面运营也需要很长时间。

这还需要从多家供应商采购复杂的机器设备，尤其是欧洲的ASML控股公司，该公司在制造过程中一个关键环节占据市场主导地位。

尽管建设芯片工厂难度很大，但这符合马斯克一贯的垂直整合策略。将关键部件纳入公司内部生产，使其旗下企业能够比供应链更快地运转。特斯拉、SpaceX、xAI、Neuralink和Boring Company的业务重叠也日益增多。

目前尚不清楚该工厂将建在美国的哪个地区，以及具体的建设时间表。

特斯拉预计今年将在其现有工厂的资本支出超过200亿美元。太阳能电池制造厂和芯片工厂等“基础设施”的建设资金来源还有待观察。

首席财务官Vaibhav Taneja表示：“我们账面上拥有超过440亿美元的现金和投资。因此，我们将利用内部资源，但我们也有其他融资渠道。”

他补充说：“只要现金流稳定，你就可以去银行贷款。”

“我们已经就此与银行进行过洽谈，”塔内贾说。“我们还需要进一步研究融资方式，无论是通过增加债务还是其他途径。”

马斯克表示，特斯拉未来将就 TeraFab 项目发布“更重要的公告”。

特斯拉CEO马斯克在股东大会上表示，为满足快速成长的AI 芯片需求，正考虑自建规模超越台积电「千兆工厂」的「TeraFab」。不过，芯片制造涉及极高技术门槛与巨额投入，英伟达CEO黄仁勋提醒，先进制程并非砸钱就能复制，难度相当高。

马斯克指出，为因应公司在人工智能（AI）领域的庞大半导体需求，可能直接投入自建芯片生产业务，并需要建立一座名为「TeraFab」（太级工厂）的芯片制造基地。

他将其与台积电月产能逾10 万片晶圆的「Gigafab」（千兆工厂）相比，并强调新工厂规模将「大得多」。

目前台积电将月产3 万至10 万片晶圆的厂区称为「Megafab」（兆级工厂），而超过10 万片则为「Gigafab」。

若特斯拉建成TeraFab，其月产能将远超过10 万片晶圆，远超现今主流晶圆大厂，甚至可跻身全球最大芯片制造商之一。

以参考范例来看，台积电位于美国亚利桑那州、总投资1,650 亿美元的Fab 21，未来有望成为Gigafab 级园区，但马斯克称，特斯拉的计划将比此更具规模。

然而，对于马斯克的构想，英伟达CEO黄仁勋于日前一场台积电相关活动上回应指出，芯片制造的复杂程度常被外界低估。

他直言：「建立先进芯片制造能力极其困难。除了厂房本身，台积电累积的工程技术、科学研究与工艺经验，都是高度挑战。」

作为同时拥有AI 超级电脑与大量车用运算需求的企业，特斯拉采购大量英伟达GPU，且在Dojo 项目停止后，正推动自研AI5 处理器，用于自动驾驶汽车、机器人与资料中心。

为确保稳定供应，特斯拉目前采与台积电、三星「双来源代工」的方式。马斯克还表示，英特尔( INTC-US ) 也可能成为合作对象，但目前尚未签署任何协议。

马斯克强调，随着特斯拉AI 应用持续扩大，外部供应将难以满足需求，因此必须考虑成为类似台积电、三星那样的垂直整合制造商（IDM）。

马斯克表示：「即便我们以供应商芯片生产的最佳情况预估，未来的芯片供应量仍然不足。因此，我们可能必须建造一座TeraFab，这势在必行。」

要掌握先进芯片制造，所需投入的资金与技术远超外界想像。以目前业界水准来看，一座月产能约2 万片晶圆、可量产尖端制程的晶圆厂，动辄需要数百亿美元的投资，而且这还不包含后续的工艺开发与量产调校成本。

作为范例，日本新创芯片制造商Rapidus 就正试图挑战这道高墙。

该公司计划在未来数年内建立2 nm制程的量产能力，并预估至2027 年完成可商用生产的厂房，整体支出约达5 兆日元（约320 亿美元）。

这项目标固然展现出强烈企图心，但在全球半导体竞赛已高度成熟的今天，全新玩家要想直接切入最先进节点，能否成功仍充满变数。

分析指出，先进工艺的研发流程本身就是一场漫长且高度跨领域的挑战。从工艺路线制定、材料与电晶体架构设计开始，到透过大量TCAD 模拟验证电性、应力及漏电行为，任何一环出现偏差都可能使整条制程重来一次，因此光是「起步」阶段往往就要耗费数年。

Rapidus 虽已取得IBM授权的2 nm GAA 电晶体架构，并可从比利时imec 与法国CEA-Leti 获得部分技术合作，但电晶体架构只是整条研发链的起点。

接下来，工程团队还需设计并调校成千上万道工艺步骤，包括前段电晶体成形（FEOL）、中段接触层（MOL）与后段金属互连（BEOL），其中沉积、蚀刻、微影与退火等制程皆要求达到原子等级的精度。

每个步骤都包含大量参数，需要极为深厚的工程经验与反覆试验才能确保量产可靠性与良率。

即使前述工艺流程已经串接完成，还需要建立PDK（工艺设计套件）、SPICE 模型与标准单元库，确保芯片设计团队能实际使用该制程进行电路设计。

此时工厂端又必须同步调整生产线设备设定，使其能在真实量产环境中维持稳定输出，这同样并非砸钱就能加速的过程。

最终，真正的考验在于「良率」。一家新进厂商能否在短时间内让先进制程达到可盈利的高良率，是决定能否站稳市场的关键。而这往往需要资深工程团队长期驻厂、反覆调整与无数次失败。

至于Rapidus 能否在2027 年交出成果，业界普遍抱持观望态度。结果如何，仍需时间验证。