韩、中两国在存储芯片领域的技术差距已缩小，HBM差距3年、DRAM差2年，而NAND Flash仅差距1年。

令人惊讶的是，不久前这项差距还维持在约5年。三星和SK海力士于2025年开始生产300层NAND Flash，当时中国厂商正在生产270层NAND，预期到2027年将转向400层NAND，到时与三星等的差距将缩小至约1年。

DRAM部分，三星于2023年开始生产DDR5，但长鑫存储到2025年才开始生产DDR5模块，双方差距约2年。目前长鑫存储已大量生产LPDDR5X，近期也已开始生产LPDDR6。