9月16日晚间，华邦电子宣布以全现金方式收购英飞凌旗下NOR Flash与F-RAM业务100%股权。这起交易将NOR Flash与F-RAM两类存储器产品重新推至市场关注的中心。在AI浪潮与汽车市场助力下，这两类此前稍显沉寂的存储器产品，有望迎来新一轮成长。

华邦电子宣布已与英飞凌旗下的Infineon Technologies LLC签署股份购买协议，将以全现金方式取得英飞凌NOR Flash与F-RAM业务100%股权，基础交易价格为11.2亿美元。该交易已获华邦电子董事会核准，预计于2027年下半年完成，仍需取得必要的主管机关核准。

据悉，此次出售的业务主要服务汽车、工业及基础设施客户，对存储器可靠性和长供货周期要求较高，属于专用存储器市场的核心应用场景。标的公司总部位于美国加州圣荷西，在存储器解决方案领域拥有逾30年经验，交易完成后将以“Spansion”为名独立运营。Spansion曾是NOR Flash领域的开创者，后因并购辗转归于英飞凌旗下。华邦电子董事长兼执行长焦佑钧表示，Spansion过去曾是存储器产业先驱，缔造多项创新成果与技术突破，华邦电子很荣幸能再次以Spansion之名传承这份使命。

华邦电子是全球领先的利基型存储解决方案供应商之一，采用IDM模式，布局覆盖存储芯片的设计、研发、晶圆制造及销售。其产品线以NOR Flash为核心，同时涵盖利基型DRAM、SLC NAND、安全闪存等，广泛应用于汽车电子、工业物联网、消费电子及AI服务器等场景。

业界分析认为，华邦电子此次收购的核心考量有三：

其一，英飞凌NOR Flash与F-RAM业务在汽车、工业等高壁垒市场拥有深厚的车规级认证积累和长周期供货能力，收购可直接获得进入全球头部客户供应链的通道；

其二，该业务拥有欧美市场成熟客户基础和长期稳定的客户关系，可省去重新开拓海外市场的认证周期；

其三，原Spansion业务在存储领域积累了30余年的技术、专利和品牌资产，保留原团队与技术路线有助于降低整合成本，维持产品线的连续性。

NOR Flash是一种非易失性闪存存储器，主要用于嵌入式设备的代码和固件存储。其核心特性包括支持芯片内执行，即设备可直接在芯片内读取并运行程序代码，无需将代码搬运到内存中；具备极快的随机读取速度和较高可靠性。由于容量偏小且单位成本较高，NOR Flash主要应用于路由器、汽车电子、AI服务器、边缘AI设备、低轨卫星等对启动速度和可靠性要求较高的场景。

在应用场景持续拓展的同时，NOR Flash的供需关系也在发生变化。需求端，AI服务器单台NOR Flash用量约为传统服务器的3至5倍，且AI服务器内部配备大量Retimer芯片，每颗Retimer均需独立NOR Flash加载微码，直接推升高容量及Octal SPI NOR需求。供给端，三星、美光等国际大厂逐步退出通用NOR市场，将产能向高毛利的HBM、DDR5倾斜，通用NOR产能持续收缩；新增产能从制程微缩、良率爬坡到客户验证周期较长，短期内无法快速填补供需缺口。

TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究指出，NOR Flash市场正经历近十年来最重要的供需结构转变。在AI占据多数产能的情况下，叠加高端应用需求升级，供应商NOR Flash位元产出增加有限，预估2026年下半年供需仍旧失衡，整体合约价格维持在高点，高容量产品价格甚至可能翻倍成长。【相关阅读】

集邦咨询称，2026年上半年NOR Flash合约价平均累计涨幅达100%—120%，预估下半年不同容量产品价格走势将分化。256Mb及以上高容量产品有AI Server、车用等强劲需求，加上供给主力厂商的新增位元有限，预估下半年平均价格仍有90%—110%的上涨空间。在128Mb及以下的中低容量市场，随着部分供应商产能逐步释出，消费类产品价格涨势趋缓，后续将进入高位盘整，预估2026年第四季涨幅落在10%—20%之间。

集邦咨询进一步指出，即便相关供应商皆已提高资本支出并扩产，新增产能必须经过制程微缩、良率爬坡、产品验证，以及纳入客户规格与设计导入，无法立即转化为市场可用供给，因此短期内中高容量市场的缺口仍无法获得满足。

从主要厂商供给情况来看，华邦电子2026年位元成长幅度最大，主要来自45nm制程NOR产品全面放量，以及转移至25nm/20nm带来的制程微缩效应；兆易创新产品线涵盖512Kb至2Gb全容量区间，2026年积极升级32Mb以上容量的制程，但转移部分NOR代工至海外晶圆厂，磨合期影响上半年的有效产出；旺宏电子因优先配置2026年新增12英寸产能于更紧缺的NAND与eMMC，NOR投片量增幅受限。

F-RAM（铁电随机存取存储器）是一种基于铁电材料铁电效应的非易失性存储器。它结合了非易失性存储器断电后数据不丢失和易失性存储器高速写入、高重写耐久性的优点，通过铁电晶体内部原子极化状态的变化来存储数据。

F-RAM的核心优势体现在四个方面。高速写入方面，写入速度达到纳秒级，无需像传统闪存那样进行擦除操作，支持直接覆盖写入，适合对实时性要求高的场景。高重写耐久性方面，读写次数可达万亿次级别，远超传统EEPROM和Flash，适合频繁写入的应用。低功耗方面，读写功耗极低，适合电池供电的便携设备。高可靠性方面，具有非易失性，抗辐射、耐高温，数据保持时间长。

从应用前景来看，F-RAM在多个细分领域具备不可替代性。汽车电子是核心增长极，新能源汽车的电池管理系统需要高频次记录电池数据，汽车事件数据记录器需要在瞬间记录碰撞数据，F-RAM的高速写入和高耐久性恰好匹配这些需求。

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物联网与工业自动化领域，智能电表、工业传感器等设备需要高频次记录数据且要求低功耗长寿命，F-RAM的写入功耗仅为EEPROM的几十分之一。医疗设备方面，呼吸机、植入式设备等对数据可靠性和抗辐射能力要求严苛，F-RAM的高可靠性使其成为理想选择。

在技术演进方面，F-RAM正朝着更高容量和更小尺寸方向突破。CEA-Leti于2026年在VLSI大会上展示了采用3D电容器架构的22纳米节点FeRAM，解决了长期限制FeRAM密度的瓶颈问题，为边缘AI、高性能计算及航空航天等领域的应用打开了新的空间。随着物联网、汽车电子和工业自动化等下游产业的持续升级，F-RAM的市场应用空间预计将进一步拓宽。