存力觉醒：国内HBM重磅政策出台！一场关乎AI根基的重大战略转向？

电子发烧友网综合报道 9月15日，工业和信息化部、国家发展改革委联合印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》，明确提出“加快发展先进存力，推动以存强算、以存代算”，并要求“研发高带宽闪存、高带宽内存、铁电存储器、阻变存储器、磁电存储器等新型存储产品”。

这一政策表述将“存力”提升至与“算力”同等重要的战略地位，标志着国家对半导体产业的顶层设计正在从“算力单轮驱动”转向“算存协同”的新范式。

众所周知，长期以来，算力是AI叙事的主角，GPU的算力竞赛牵引着整个产业链的资源配置。然而，随着大模型从训练走向大规模推理部署，“内存墙”正在取代“算力墙”，成为制约AI系统性能的首要瓶颈。训练阶段数据量相对固定，对带宽的需求是刚性的；推理阶段则完全不同——成百上千万用户同时提问，模型参数、上下文缓存、用户数据全部需要实时存取，既要快，又要大，还得便宜。

SEMI中国总裁冯莉曾指出：“全球AI基础设施支出预计在2026年达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%。”这意味着存储能力正从AI系统的“配角”走向“关键瓶颈”。工业和信息化部、国家发展改革委此时将“先进存力”写入“十五五”规划，恰是对这一产业逻辑变化的精准回应。

一场从“造芯片”到“建体系”的系统性跃迁

这份政策文本值得逐层拆解，其核心逻辑远不止于“多造几种芯片”。

首先，是重新定义了存力与算力的关系。政策提出“以存强算、以存代算”，这两个表述的背后是一套系统级思维。“以存强算”意味着通过提升存储带宽和容量，让现有的算力资源发挥出更高的效率；“以存代算”则更为激进——通过将部分计算任务下沉到存储侧完成，减少数据在存储与计算单元之间的搬运损耗。这实质上是在回应“内存墙”这一困扰半导体行业多年的根本性问题。

在传统的冯·诺依曼架构下，数据在CPU/GPU与存储之间的频繁搬运消耗了大量时间和功耗，而存算一体、近存计算等新架构正是破局之道。政策将这一理念写入顶层设计，表明决策层已经认识到：AI竞争力的底座不只是算力芯片，更是数据流动的效率。

其次，构建了分级分层的存储体系。政策要求“提升分布式、超融合等存储系统的技术水平，完善分级分层数据存储架构及存储协议”，并“突破智能分层存储、数据稀疏化优化、键值缓存等技术”。这一表述的专业含量极高。在AI推理场景中，不同数据的访问频率和时效性差异巨大——模型权重需要高速读取，KV缓存需要低延迟访问，历史数据则可以存储在更廉价、更慢的介质中。

分级分层存储架构的核心，就是让“热数据”待在HBM里，“温数据”放在HBF中，“冷数据”沉入SSD或HDD，通过智能分层算法实现性能与成本的最优平衡。政策将存储协议和架构纳入攻关范围，说明它关注的不是单点突破，而是整个数据基础设施的系统效率。

最后，是新型存储产品的一场矩阵式布局。政策列举了高带宽闪存（HBF）、高带宽内存（HBM）、铁电存储器（FeRAM）、阻变存储器（RRAM）、磁电存储器（MRAM）五类产品，形成了一个覆盖“高性能-非易失-新型计算”的完整技术谱系。

HBM解决的是极致带宽问题，HBF解决的是大容量与高带宽的兼顾问题，FeRAM、RRAM、MRAM则代表着非易失存储和存算一体的未来方向。这种矩阵式布局的深意在于：不把鸡蛋放在一个篮子里，而是在多个技术路线上同时布点，以应对未来存储技术路线可能出现的分化与迭代。

将如何推动国内高带宽存储产业发展？

政策的落地效应，需要结合国内存储产业的实际进展来评估。

从产能侧来看，该政策为扩产提供了确定性锚点。如今，国内两大存储龙头正在经历一轮大规模产能扩张。CXMT的HBM目前在合肥工厂生产，上海新工厂计划2027年投产，届时整体产能将扩大至现有水平的两倍以上。长江存储正在武汉建设第三家工厂，力争将量产时间从原定的2027年提前至2026年底，并计划再建两家工厂。

据业内人士判断，CXMT在2027年可生产约300至400万颗HBM3E堆栈，虽良率仍有提升空间，但足以支撑国内AI GPU的基本需求。在产能爬坡的关键窗口期，国家层面的政策定调为企业的资本开支决策提供了“政策底”，也向资本市场传递了明确的信号。

从技术侧来看。政策将加速国产HBM的代际追赶。当前，CXMT已向国内某AI芯片大厂交付16nm HBM3样品，计划2026年内量产，但行业普遍判断其在HBM上落后头部厂商约3到4年。三星和SK海力士已进入HBM4主导权的争夺，而CXMT正在全力冲击HBM3和HBM3E。政策明确将HBM列为攻关重点，意味着相关企业有望在研发投入、人才引进、设备采购等环节获得更大力度的支持，从而缩短与海外龙头的代际差距。

从产业路线侧来看。HBF为国产存储开辟了“换道”的可能性。2026年8月，SK海力士与闪迪联合发布了HBF首个开放技术规范，定义了8层和16层NAND堆叠配置，单模组容量最高可达512GB，带宽覆盖0.4TB/s至3.0TB/s，通过UCIe标准接口与AI加速器连接。HBF的定位介于HBM与SSD之间——带宽接近HBM，容量是HBM的8到16倍，成本则大幅降低，旨在与HBM在同一系统中共存而非取代HBM。

对于长江存储而言，其在3D NAND领域积累的Xtacking架构经验和294层量产能力，使其在HBF的技术路线上具备天然优势。2026年第一季度，长江存储的全球NAND市场份额已从一年前的8%跃升至13%，追平了美光和西部数据。政策将“高带宽闪存”与HBM并列写入规划，本质上是在为国产存储企业在这条新兴赛道上抢占先机提供政策背书。

除此之外，新型存储产品的多元化布局同样值得关注。国内企业已在多个前沿方向取得实质性进展：在铁电存储器领域，国内企业已实现氧化铪基FeRAM的商业化量产，制程节点从130纳米推进至55纳米，存储密度提升近三倍，全球FeRAM市场规模预计在2026年至2030年间维持18%以上的复合增长率。

在阻变存储器领域，合肥睿科微电子以纯自主研发的ReRAM技术为核心，依托55nm成熟CMOS制程，在大语言模型推理和边缘AI感知两大场景同时实现突破；铭芯启睿则完成超亿元Pre-A轮融资，专注于高密度RRAM与存算一体技术，直指“内存墙”瓶颈。政策对这些新型存储产品方向的明确支持，将为这些尚处于早期阶段的技术提供宝贵的产业化窗口。

小结

总之，“十五五”规划将“先进存力”提升到与算力并重的战略高度，其意义不亚于几年前“集成电路自主可控”写入国家战略。从产业逻辑上来看，AI竞争的下半场正在从“堆算力”转向“拼存力”，谁能在带宽、容量、成本的三维平衡中率先找到最优解，谁就能掌握AI基础设施的定义权。从政策设计看，“以存强算、以存代算”的系统思维、分级分层的架构理念、覆盖五类新型存储产品的矩阵布局，体现出决策层对存储产业的理解正在从“补短板”走向“建体系”。

从产业基础方面来看，长鑫存储和长江存储的产能扩张与技术突破已为政策落地提供了现实支点，而HBF这一新兴赛道则为国产存储的换道超车打开了一扇窗口。当然，政策的成效最终取决于执行层面的资源配置效率与产业协同能力。但方向已经明确——存力，正在成为AI时代国家科技竞争力的新基石。