▍光模块+NPO：向综合性光互联平台型企业加速演进。

国内光模块产业展现出跨越式发展态势，已完成从产能承接向技术引领的身份跃迁。行业形成量产、验证、预研的迭代节奏，800G为出货主力，1.6T进入规模化放量阶段，3.2T/6.4T NPO、12.8T XPO等前沿产品持续落地试点与展示。伴随高端光芯片、电芯片等上游短板补齐，叠加海外多地产能布局，国内产业实力大幅提升。同时行业格局持续优化，中际旭创等头部企业全面布局光互联技术，二线厂商也在不断追赶，整体正向综合性光互联平台型企业加速演进。

▍光芯片+硅光PIC：国产高功率化追赶加速，硅光渗透率持续提升。

国产CW光源正从"代际追赶"迈入"同步竞争"，此次光博会400mW级产品已有多家同台亮相，直接适配NPO/CPO场景。EML方面，主流厂商已实现100G EML量产，国产200G EML预计2027年进入批量出货阶段。VCSEL路线受益于低功耗和低成本优势，受到海思光电子、北方华创等同时押注，有望在AI集群内部短距互联场景获得重新定价。硅光PIC方面，国内厂商已展露1.6T可插拔、3.2T NPO/CPO的设计能力，制造端国产化也在加速补位。我们对国产光芯片在AI高端市场的份额提升保持乐观。

▍薄膜铌酸锂：巨头纷纷入局，产业链正在加速成熟。

伴随AI算力升级带动光模块迭代，薄膜铌酸锂（TFLN）凭借高带宽、低插损、低功耗等优异特性，成为3.2T（单波400G）及NPO/CPO高速光互联场景的核心增量方案。相较于硅光、磷化铟技术，TFLN材料优势显著。我们认为目前TFLN产业已脱离技术论证阶段，进入样品落地、产业化攻坚阶段。行业原有器件尺寸大、晶圆规格不匹配、产线不完善、成本偏高的痛点持续改善，小尺寸调制器、大尺寸铌酸锂晶圆逐步落地，国内外代工平台陆续建成，产业化进程正在持续提速。

▍无源器件：新技术驱动下，行业迎来量价齐升。

伴随NPO、CPO、OCS多技术路线快速迭代，无源光器件迎来用量与规格双升级，行业价值量显著提升。相较于往年聚焦高速光模块配套，今年无源器件向高密度、专用化、系统级方案演进，光纤阵列、小型化连接器、Shuffle布线、偏振光学组件等新品密集落地。AI算力Scale-up场景大幅提升光互联密度要求，倒逼无源器件在精度、插损、一致性上持续优化。国内厂商已实现AWG、FAU、连接器等核心产品规模化量产，全面配套高速模块与全光交换场景，产品覆盖多技术路线，国产替代加速，行业成长空间持续打开。

▍OCS：从谷歌定制到网络核心方案，行业空间持续升维。

全光交换产业迎来加速落地拐点，行业需求不再局限谷歌，英伟达、华为、新华三等海内外龙头纷纷入局，市场空间大幅打开。OCS凭借低时延、低功耗、高灵活度的优势，完美适配AI智算集群互联需求，Lumentum在2026年光博会上预测其市场规模将从2026年超25亿美元增至2030年超80亿美元。技术层面，MEMS为当前商用主流，PIC芯片级集成是未来核心演进方向。国内产业链已实现全面突破，腾景科技、光迅科技、光库科技等多家企业，覆盖核心器件至整机制造，具备自主量产能力，国产替代与产业规模化发展趋势明确。

▍风险因素：

全球云厂商AI资本开支不及预期；新技术商用进展不及预期；国产光芯片良率爬坡与可靠性验证不及预期；技术路径替代风险；地缘政治与出口管制风险；行业竞争加剧等。

▍投资策略：

2026年CIOE光博会显示，国内光互联产业实现跨越式升级，正式从产能代工迈向技术引领、全链自主的新阶段。算力网络迭代推动光模块梯队化落地，800G、1.6T规模出货，3.2T/6.4T NPO、12.8T XPO等前沿方案进入试点。产业链多点突破，薄膜铌酸锂产业化提速，OCS全光交换迎来全球巨头布局、市场空间显著扩容。国产光芯片、硅光技术持续追赶升级，NPO/CPO/OCS驱动无源器件向高端化迭代、价值量提升。整体国产替代逻辑明确，投资可聚焦两大主线：一是技术壁垒深厚的光模块龙头；二是TFLN、OCS、高端光芯片与无源器件升级的新技术赛道。