美光于6月25日公布FY25Q3财报（注：截至5月31日的3个月期间），营收93亿美元，同比 37%/环比 15%；毛利率39%，同比 11pcts/环比 1pct。

评论：

1、FY25Q3收入同比高增长，单季毛利率和EPS超预期。

FY25Q3收入93亿美元，同比 37%/环比 15%，超指引上限（88±2亿美元）；毛利率39%，同比 11pcts/环比 1pct，超指引上限（36.5%±1pct）；净利率23.4%，同比 13pcts/环比 1.3pcts；EPS 1.91美金，超指引预期（1.61美金）。

2、DRAM和NAND位元环比持续增长，HBM收入环比增长近50%。

1）按产品划分：①DRAM收入70.7亿美金，同比 50.7%/环比 15.5%，创单季历史新高，位元出货量环比增长超20%，ASP环比下降低个位数百分比，价格下滑系消费级产品占比提高；②NAND收入21.55亿美金，同比 4.4%/环比 16.2%；位元出货量环比上升约25%，ASP环比下降高个位数百分比；2）按业务划分：①计算和网络部门（CNBU）收入50.7亿美金，同比 97%/环比 11%，HBM收入环比增长近50%，同时高容量和低功耗DRAM业务增长；存储部门（SBU）收入14.5亿美金，同比 7%/环比 4%，增长主要来自消费类市场；③移动部门（MBU）收入15.5亿美金，同比-2%/环比 45%，系客户库存减少及DRAM容量增长；④嵌入式部门（EBU）收入12.3亿美金，同比-5%/环比 20%，系工业和消费级市场驱动。

3、12Hi HBM3E良率和产能提升超预期，手机和PC出货量预计温和增长。

1）数据中心：维持2025年服务器市场规模增长中个位数百分比，预计AI服务器显著增长，12Hi HBM3E产能与良率提升远超预期，预计于FY25Q4批量出货；2）PC：下修2025年PC出货量增长至低个位数百分比，增长系Windows 11升级中AI PC加速普及；3）手机：维持2025年智能手机出货量增长低个位数百分比，预计搭载12GB以上内存智能手机占比显著提升；4）汽车：L2/L3 ADAS和AI车载娱乐系统推动内存需求。

4、FY25Q4收入和毛利率预计环比继续提升，HBM产品迭代顺利。

1）FY25Q4指引：按NON-GAAP口径，FY25Q4指引收入107±3亿美元，中值同比 38%/环比 15%；毛利42%±1pct，中值同比 5.5pcts/环比 3.0pcts；EPS 2.5±0.15美元。2）需求：预计2025年DRAM位元需求增长率高十位数百分比，NAND位元需求增长率达低十位数百分比，中期DRAM和NAND位元需求增长CAGR均达中十位数百分比。3）供给及库存：DRAM库存紧张，部分传统DRAM出现短缺；NAND供给减少，预计库存显著降低；FY25Q4公司DOI接近目标水位。4）资本支出：FY25Q3资本支出27亿美元，略低于预期，公司维持FY2025 Capex 140亿美金不变，预计FY25Q4显著增加投入。

风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。

附录：美光 FY2025Q3业绩说明会纪要

时间：2025年6月26日

出席：

Mark Murphy–执行副总裁兼首席财务官

Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO

Satya Kumar–副总裁、IR兼资管

会议纪要根据公开信息整理如下：

管理层介绍：

美光凭借强大的竞争地位和卓越的执行力，在FY25Q3实现了创纪录的营收，收入、毛利率和每股收益均超出指引区间上限。

数据中心业务收入同比增长逾一倍并达到历史新高，面向消费者的市场也实现强劲环比增长。尽管我们持续进行对长期增长至关重要的战略投资，FY25Q3仍产生了可观的自由现金流。第三财季，DRAM业务收入创下新纪录，其中HBM收入环比增长近50%。我们仍是数据中心领域唯一量产LP DRAM的供应商。在NAND闪存方面，数据中心固态硬盘和企业级固态硬盘在CY25Q1的市场份额双双刷新季度纪录。第三方数据显示，美光在CY25Q1首次成为数据中心固态硬盘市场份额第二的品牌。展望FY25Q4，我们观察到强劲的需求环境，预计收入将环比增长15%，按指引中值计算将达到创纪录的107亿美元。

技术与运营：

六月，我们围绕关键市场领域完成了业务部门的战略重组，以把握未来人工智能领域的巨大增长机遇。随着HBM对推动AI创新变得日益重要，新架构通过将更多资源集中到AI相关业务，显著增强了美光与客户开展深度合作的能力。我们在1-gamma DRAM制程节点上取得重大进展，其良率提升速度已超越此前1-beta节点创下的纪录。FY25Q3完成了多个关键产品里程碑，包括首批基于1-gamma制程的LP5 DRAM认证样品出货。美光1-gamma DRAM采用EUV技术，相比1-beta制程可实现位元密度提升30%、功耗降低超20%、性能提升最高达15%。我们将把这一领先技术应用于全线DRAM产品组合。

在NAND业务方面， QLC存储位元占比达到历史新高。基于G9 2TB QLC NAND的全新高性能固态硬盘产品已启动认证流程，同时我们正按需求节奏稳步提升G9制程节点产能。

制造情况更新：

我们正在全球运营网络进行审慎投资，以逐步实现供需平衡。两周前，美光宣布计划未来20余年在美国投资约2000亿美元，其中1500亿美元用于制造业务，500亿美元用于研发。

作为这项2000亿美元投资计划的一部分，美光将在先前公布方案基础上追加300亿美元投资，包括：在爱达荷州博伊西建设第二座先进存储芯片晶圆厂；对弗吉尼亚州马纳萨斯现有晶圆厂进行扩建和现代化改造（该厂主要服务汽车、航空航天、国防及工业市场）；待美国本土DRAM晶圆产能达到规模后，引入先进封装技术以支持长期HBM增长计划。

博伊西的首座晶圆厂ID1于六月再次达成重要建设里程碑。预计该厂将于2027年下半年开始首批DRAM晶圆产出，随后启动客户认证流程。第二座博伊西晶圆厂ID2将与ID1形成规模效应，并通过研发协同布局实现更高效率与更快上市速度。为满足预期需求，ID2将先于纽约首座晶圆厂投产。预计今年晚些时候启动纽约厂区土地平整工作。

数据中心：预计2025自然年服务器市场规模将实现中个位数百分比增长，主要驱动力来自AI服务器的显著增长。得益于HBM业务的强劲增长与份额提升，以及行业领先的大容量DIMM内存条和低功耗服务器DRAM产品的出色表现，数据中心DRAM收入连续第四个季度创纪录。在HBM产能爬坡和产品路线图执行方面进展顺利，12Hi HBM3E的良率提升与量产进度远超预期，预计FY25Q4将实现批量出货。预计在2025自然年下半年某个时间点，HBM份额将达到与公司整体DRAM业务相当的水平。

在本月初AMD的"Advancing AI"活动上，我们宣布美光36GB 12Hi HBM3E高带宽内存已获采用于AMD Instinct MI355X GPU加速平台。目前我们正为四家客户大规模供应HBM产品，涵盖GPU和ASIC两大平台。随着生成式AI工作负载规模与复杂度持续提升，HBM性能需求不断攀升。美光HBM4基于成熟的1-beta DRAM技术，结合自主开发制造的先进CMOS逻辑核心芯片，可实现每秒超过2TB的单堆栈带宽，性能较前代提升超60%。

相较于已属业界领先的12Hi HBM3E能效表现，HBM4功耗再降20%，创下该品类能效新标杆。其扩展接口设计支持高速通信与高吞吐架构，可显著提升大语言模型的单元内运算与思维链推理系统的并行处理性能。美光已向多家客户交付HBM4样品，预计将于2026自然年启动量产，与客户产品规划保持同步。我们在HBM4产能爬坡方面具备显著优势。

依托HBM3E的成功量产经验，我们拥有经过实地验证的高品质技术，并已完成HBM制造产能的大规模扩充。我们与几乎所有主要HBM客户都建立了深度合作关系，通过交付全球最低功耗、最高性能的HBM产品赢得了客户信任。FY25Q3大容量DIMM内存条与低功耗服务器DRAM解决方案再创营收纪录。美光率先将LP DRAM引入服务器市场，目前仍保持该领域独家供应商地位。2025财年至今，这两类产品合计已产生数十亿美元营收，较去年同期实现惊人的五倍增长。

得益于通过垂直整合实现的差异化产品组合，CY25Q1美光数据中心固态硬盘市场份额连续第三个季度创下历史新高。FY25Q3入选NVIDIA GB200 NVL72推荐供应商名单的9550高性能固态硬盘，已在多家OEM厂商完成额外客户认证。美光9550固态硬盘为AI服务器系统提供业界领先的性能与高能效第五代数据中心存储解决方案。我们正在为6550 ION 60TB大容量固态硬盘推进更多客户认证并提升营收规模。

PC领域：预计2025自然年PC出货量将实现低个位数百分比增长。未来几个季度，Windows 11升级周期中AI PC的加速普及将成为关键增长催化剂。美光致力于为PC市场带来差异化高性能产品，凭借强大的固态硬盘产品组合，在CY25Q1创下客户端固态硬盘市场份额的历史新高。明日将发布基于G9 QLC 2TB闪存的新款固态硬盘，搭载独家自适应写入技术，可实现4倍写入性能提升，该技术通过使QLC固态硬盘在多数消费级应用场景达到TLC NAND同等性能，显著扩展了QLC产品的目标市场。

智能手机领域：预计2025自然年智能手机出货量将维持低个位数增长。AI功能普及仍是智能手机DRAM容量增长的核心驱动力，预计搭载12GB及以上内存的智能手机机型占比将显著提升（当前行业平均水平为8GB）。美光专注于为高端智能手机市场提供解决方案，采用领先的1-beta和1-gamma制程节点生产LP5X DRAM，并运用G8与G9制程节点制造UFS NAND产品。

本季度我们开始送样业界首款基于1-gamma制程节点的LP5X内存认证样品，该产品提供多种容量选择及业界领先的速度等级，专为2026年旗舰智能手机打造。美光1-gamma LP5X DRAM经过特殊设计，可加速高端设备的AI应用，在多个使用场景中实现推荐速度提升超25%，同时降低20%功耗，并保持适合移动设备的超薄形态。在NAND领域，我们成功获得关键客户设计方案，并实现基于G9制程的UFS产品大规模量产。本季度我们的移动产品组合实力进一步获得认可，共斩获七家智能手机OEM厂商颁发的顶级质量奖项。

汽车与工业领域：预计L2/L3级ADAS功能及支持AI的车载信息娱乐系统加速普及，将持续推高内存/存储容量需求及带宽要求。美光通过推出创新产品在汽车市场奠定长期优势，例如本季度实现量产准备的业界首款1-beta双通道LP5 DRAM，其支持9.6Gbps高速传输。工业领域，随着客户加大AI应用投资（包括工厂自动化等关键领域），我们业务重现增长势头。在当前D4与LP4供应受限、经销商渠道库存较低的背景下，美光正持续推动产品价格改善。

市场展望：

各终端市场的客户库存水平总体健康，部分客户可能因关税因素提前采购。客户普遍对今年剩余时间的需求环境持建设性态度，我们将保持灵活应对可能因宏观环境或关税形势变化导致的突发需求波动。预计2025自然年行业DRAM位元需求增长率将达high-teens，NAND位元需求增长率将处于low double-digit。

预计美光在非HBM DRAM和NAND领域的位元供给增速将低于行业需求增速。中期来看，我们预判DRAM和NAND的行业位元需求将保持中十位数百分比的年增长率。高效的制程节点转换将导致截至2025财年末，我们的NAND晶圆产能结构性地缩减10%（相较于2024财年末水平）。此外，鉴于NAND技术迭代能显著提升总体位元产出，美光计划根据需求情况审慎控制制程转换节奏。

近期D4和LP4产品的停产计划，需要说明的是，美光先进DRAM制程节点（如1-beta和1-gamma）专注于新一代产品（如D5、LP5和HBM），并不用于生产D4和LP4。这两类产品主要基于1-alpha DRAM节点制造。数月前，我们已向移动设备、客户端、数据中心及消费电子等大批量应用领域的客户发出停产通知，最终出货将在未来两到三个季度内完成。此次停产流程与此前代际切换保持一致，按照惯例，我们仍将为汽车、工业、国防及网络设备等长生命周期应用领域的客户持续供应1-alpha DRAM产品数年，以满足其长期、小批量的特殊需求。短期来看，大批量应用领域的客户已开始面临D4产品供应日趋紧张的局面。

目前我们对D4产品已实施配额供应机制，与客户密切合作，优先保障其近期的关键需求。2025财年下半年，D4产品营收占比预计将维持在低个位数百分比水平。随着停产计划推进，LP4产品的供应短缺状况可能也将加剧。

总结而言，美光FY25Q3创纪录的营收表现及强劲的FY25Q4展望，源于我们持续的战略聚焦与高效执行。当AI技术推动高性能内存与存储需求达到前所未有的高度时，美光凭借独特优势正充分把握这一变革性机遇。

我们在HBM、1-gamma DRAM和G9 NAND等领域的技术领先地位，配合全球制造体系的精准投资，为持续增长奠定了坚实基础。通过明确的战略方向、卓越的创新能力和团队执行力，将继续为股东、客户及员工创造显著价值。在2025财年，我们有望实现营收创新高，同时保持稳健的盈利能力和自由现金流，并通过战略性投资巩固我们在AI驱动型内存需求领域的领导地位。

FY25Q3财务状况：

美光在FY25Q3表现强劲，营收、毛利率和每股收益均超出指引区间上限。FY25Q3总营收达93亿美元，环比增长15%，同比增长37%，创下季度营收新高。环比增长主要得益于各终端市场的全面增长，包括创纪录的数据中心业务收入以及消费类市场的强劲环比表现。

分产品

DRAM：第三财季营收71亿美元，同比增长51%，占总营收76%，环比增长15%，位元出货量增长20%，价格下降低个位数百分比，主要受消费类产品收入占比提升影响。

NAND：第三财季营收22亿美元，同比增长4%，占总营收23%，环比增长16%，位元出货量增长25%，价格下降高个位数百分比区间。

分部门

计算与网络业务部门：第三财季营收51亿美元，环比增长11%，创季度纪录。这一表现主要得益于HBM业务近50%的环比增长，以及大容量DRAM和低功耗服务器DRAM的增长。

存储业务部门：第三财季营收15亿美元，环比增长4%，增长主要来自消费类业务收入提升。

移动业务部门：第三财季营收16亿美元，环比增长45%，环比增长主要得益于客户库存水平下降及DRAM容量增长带来的强劲需求。

嵌入式业务部门：第三财季营收12亿美元，环比增长20%，主要受工业及消费类嵌入式市场增长推动。

运营业绩

毛利率：第三财季综合毛利率达39%，环比上升110个基点，较指引中值高出250个基点主要受益于DRAM和NAND产品价格改善，但部分被消费类产品占比提升所抵消。

Opex：第三财季运营支出11亿美元，环比增加8700万美元，符合指引区间。支出增长主要源于研发投入增加及人力成本上升。

运营利润：第三财季25亿美元，运营利润率26.8%，环比提升约190个基点，同比提升13个百分点。

税费：第三财季所得税费用3.06亿美元，实际税率12.3%，低于指引主要由于当季一次性离散项目影响。

每股收益：第三财季非GAAP摊薄每股收益1.91美元，超出指引区间上限，环比增长22%，同比增幅超200%。

现金流：第三财季运营现金流超46亿美元，资本支出27亿美元。当季自由现金流超19亿美元，创六年来单季新高。

库存：截至第三财季末库存87亿美元，库存周转天数139天，环比下降2.8亿美元，库存周转天数环比减少19天，主要由于DRAM和NAND位元出货量强劲增长。

现金及债务总额：在资产负债表方面，季度末现金投资规模达创纪录的122亿美元，包括未动用信贷额度在内的总流动性为157亿美元。第三财季期间，我们完成9亿美元2027年到期票据的再融资，新发行17亿美元票据分别于2033和2036财年到期。季度末总债务155亿美元，保持较低净杠杆率，债务加权平均到期日为2032年。

业绩展望

营收与毛利率：预计第四财季营收增长将主要由DRAM业务驱动，这得益于强劲的定价策略、有利的产品组合及持续的成本改善，这些因素都将对毛利率产生积极影响。

运营支出：预计第四财季运营支出约为12亿美元，环比增加主要源于对未来技术节点和HBM产品研发的规划性投入。

资本支出：2025财年资本支出计划保持不变，仍为约140亿美元，其中绝大部分将用于支持HBM产能建设，以及晶圆厂建造、后端制造和研发投资。

税率：预计FY25Q4税率约为13%。随着新加坡实施全球最低税率，2026财年税率预计将升至十位数高端区间。

当前指引未包含任何潜在新关税可能带来的影响。

FY25Q3 Non-GAAP 业绩指引:

预计营收107亿美元（±3亿美元），毛利率42%（±100个基点），运营支出约12亿美元（±2000万美元），税率维持13%左右。基于约11.5亿股的流通股数，预计每股收益2.50美元（±0.15美元）。随着FY25Q4出货量持续增长，预计2025财年末DRAM库存将保持紧张，NAND库存显著降低，公司整体库存周转天数接近目标水平。在NAND低库存和需求环境向好的背景下，我们将继续专注于改善定价并进一步优化产品组合。

结束语：

FY25Q3美光实现了超指引的盈利表现，创下营收新高，并持续推进业界领先的HBM产品量产。同时我们启动了面向细分市场的新业务架构转型，自FY25Q4起将按新业务单元披露营收、毛利率及运营利润率指标。凭借卓越的执行力和差异化的产品组合，美光完全有能力在FY25Q4再次保持行业领先地位，实现创纪录营收和显著提升的盈利能力。

Q&A：

Q：HBM TAM将如何随加速器TAM市场同步扩展？在GPU及定制ASIC的HBM配置比例上，是否将触及某种限制或不对称性？

A：预期HBM需求未来将会增长。HBM营收已经从CY2024约180亿美元增长至CY2025约350亿美元。HBM位元需求增长将在CY2026显著超越整个DRAM行业的需求增长。CY2026 HBM将从8Hi转向12Hi，同时过渡到HBM4。

我们的客户正高度专注于与我们合作，基于他们的平台需求，评估12Hi HBM4的组合。CY2027将进入HBM 4E，CY2028年还将在HBM中引入定制化。预期HBM发展轨迹将持续保持强劲和健康。公司目前已开始打造HBM4产品样品。

Q：毛利率环比增长的驱动因素是什么呢？是否构成毛利率的新基准线？

A：第三财季我们实现了强劲的环比销量增长，决定性因素虽然在于价格下降，但实际定价优于预期，推动毛利率超预期改善。我们成本管控表现良好，这将延续到第四季度的基准调整中。此前公司原本计划努力扭转价格走势，但几周后的解放日关税事件使环境更具挑战性，此后市场状况超预期好转，并在本季度持续走强。

第三季度至第四季度，DRAM增长超过NAND，形成有利组合，进一步提升了毛利率；同时数据中心需求优于消费端组合（后者在第三季度拖累了毛利率）。

综上，市场背景持续向好，未来我们将继续聚焦定价策略，Q3到Q4公司毛利率预计升至当前指引的42%。

Q：除此之外还有哪些因素呢？未来几个季度，是否存在利好或利空变量？这是否可视为新基准线，还是完全取决于价格走势？

A：当前公司对市场环境整体仍具建设性持积极态度，尤其是在DRAM和NAND领域。当前库存非常紧张，先进制程产品尤甚，部分传统DRAM产品甚至出现局部短缺。因此，25Q1面临位元供应限制，公司会通过侧重DRAM分配策略，提升高价值DRAM与高价值NAND产品比重，确保位元产能精准投放。基于此，我们相信毛利率有望提升。

Q：CY2026 HBM的增长驱动因素是什么？

A：基于FY25Q3表现，当前HBM业务季度化营收已突破60亿美元。公司正持续提升HBM产能，并将生产转向12Hi HBM产品。因此相较于此前的预期，HBM市场份额有望提前与DRAM份额持平。

公司的高执行力使得产能与良率提升的表现都超预期，且12-Hi产品良率提升速度甚至快于8-Hi。团队在产能提升方面也做得非常出色。

我们对当前进展感到满意，不仅因为现有的产能良率控制能力提升以及在此过程中与客户建立高度信任，更因HBM技术路线图的前瞻性。随着2026年临近，我们将深度协同客户厘清其产品组合需求，上述优势将发挥关键作用。

Q：公司HBM份额目标已提前达成，是否可说明明年常态化份额预期？鉴于部分竞品认证受阻，若此状况延续到明年，公司能否继续提升产能？当前NAND产能利用率处于何种水平？内部位元结构调整使部分产能离线，对此明年的计划是怎样的呢？

A：公司对HBM份额目标提前达成感到满意。当前HBM业务已实现规模化量产，市场份额健康且交付稳定。该业务现已成为公司整体产品组合的核心构成，公司将持续优化产品组合配置，根据终端细分市场的需求浮动性动态调整份额。

我们的HBM产品均采用已验证的1β技术节点，成本效益好。公司也一直在投资扩大HBM后端产能，新加坡工厂封装产线目标于2027年投产使用。

基于1β技术的通用化产能特性，使HBM能够与其余产品组合的其他部分互换，具备产能调配灵活性，这给公司保留了充分的业务管理灵活性。

关于NAND产能利用率的问题：公司此前已表明，到FY25末期NAND总产能将较FY24末缩减约10%。该举措旨在实现资本高效的下一代节点过渡（如G9节点过渡）。随着产能下降，产能利用率不足状况已相应改善，但部分NAND产线仍存在利用率不足。特别说明，先进制程NAND产能当前已得到充分利用。

Q：一年前公司曾明确表示2025全年HBM产能已售罄，且大部分供应量已锁定定价。目前关于2026年HBM供应与定价谈判进展如何？当前团队对明年的供应规划是否已完全敲定？考虑到HBM3E 12Hi及HBM4的认证周期可能延长，若参照客户2026年的HBM需求预测，这是否已超过公司的预期供应能力？

A：公司对2025年HBM业务的承诺正稳步兑现，当前产能确已售罄。公司正紧密协同客户推进其AI加速平台（含GPU/ASIC）的迭代，优化12-Hi HBM3E及HBM4的产品组合。2026年HBM需求增速将显著超越传统DRAM，为此公司已送样HBM4并加速客户认证，同时HBM3E 12Hi良率爬坡顺利且量产稳定。团队正全力保障2026年客户需求。

Q：长期资本支出占营收35%的基准是否仍适用于FY2026？考虑到技术变革机遇，公司会否启动超前投资布局？

A：在代际技术转型机遇前，公司已做好充分战略布局。当前库存水平持续优化，尤其是先进制程产品供应极为紧张。考虑到HBM的硅晶圆需求及其产能转换率我们必须推进新建产线计划。从资本支出来看，本季度实际支出27亿美元略低于预期，但根据指引，第四季度将显著增加投入，全年总额仍将维持在约140亿美元。

随着新建产线逐步落地及新制程节点设备安装，支出节奏可能出现波动，但我们预期第四季度将实现正向自由现金流。产能扩张计划将坚定不移地推进。

同时，本季度我们持续优化资产负债表：净负债已压降至30亿美元，并通过赎回9亿美元票息27美元的短期票据、发行17.5亿美元长期票据来减轻短期债务压力。凭借当前高度灵活的财务结构，公司将聚焦三大目标：一是确保技术领先性的业务投资；二是强化产能基础；三是通过分红与择机回购回馈股东。

Q：针对HBM4的双倍IO数量与Silicon VIA，其产能转换率预期值是多少？ GPU客户与ASIC客户的HBM位元需求及利润结构是否存在差异？A：关于HBM4的产能转换率，其数值高于3倍。此前公司披露HBM3E的转换率约为3倍，而HBM4因采用更大芯片尺寸及更高性能（带宽接口性能提升60%），转换率进一步上升。展望HBM 4E，其产能转换率将突破4倍，这种增长必然对行业非HBM产能供给形成压力。

至于GPU与ASIC客户的利润差异问题：无论应用于GPU还是ASIC加速器，HBM均具备高附加值，且该价值主张持续增强。未来随着GPU和ASIC平台升级（如显存容量从当前200GB增至288GB，堆叠层数从8 Hi转向12 Hi），单设备HBM配置量将持续提升。因此，两类客户均呈现强劲价值潜力。

Q：您指出部分客户可能因关税影响存在一定程度的前置拉货行为，这暗示客户库存水平正趋于合理区间。请具体说明该判断对客户库存动态的影响，及其对下半年位元需求的潜在传导效应？

A：整体而言各终端市场的客户库存处于健康状态，尽管存在部分关税相关的前置拉货，但其影响程度相对有限——客户持续传递对今年剩余时间需求环境的建设性预期。这种需求趋势由多重动力驱动：首先是AI数据中心需求的强劲增长，其次是汽车与工业领域的需求复苏及增长重启，再者分销渠道恢复活力；与此同时智能手机和PC领域随着AI渗透率提升，其存储配置量与关键性能指标持续强化。因此我们看到客户与我们共同构建的建设性需求环境，前置拉货效应在此背景下仍相对有限。

Q：HBM4认证进展如何？美光在HBM3E上展现的能效领先优势，是否也将在 HBM4 上延续？

A：

我们已向多家客户交付HBM4早期样品，对其满足各项技术规格的表现非常满意。我们不仅关注性能提升，更会延续在HBM产品线中确立的能效优势。

当前客户认证流程仍在推进，但美光已做好充分准备，将按计划2026年满足客户量产需求。HBM4采用成熟可靠、具成本效益的1β技术节点，并集成自主研发与制造的分离式先进CMOS逻辑芯片，这为我们奠定坚实基础。

从HBM3E量产经验看，从8Hi升级至12Hi的良率爬坡速度远超预期：实际良率与产出均优于原计划，且爬坡周期较8-Hi大幅缩短。这些成功实践增强了我们对HBM4量产进程的信心，确保我们能全面把握2026年HBM4的市场机遇。

Q：鉴于贵公司聚焦AI服务器领域，是否观察到AI服务器对SSD也产生了实质性需求拉动？

A：2024年末至2025年初的数据中心SSD市场，确实经历了阶段性库存消化周期。这主要源于此前需求激增导致的供应过剩。公司认为2025年下半年市场表现将显著优于受库存调整影响的上半年。美光新一代数据中心SSD已深度适配近期发布的AI加速器平台（如NVIDIA H系列GPU及配套服务器），这将为业务增长提供持续动能。

当前，第三方报告显示我们在数据中心SSD领域斩获创纪录份额，并已跃居第二大品牌。我们将持续优化产品组合，推动NAND业务向高附加值领域（如大容量PCIe 5.0 SSD及AI定制化存储方案）战略转型。