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股市情报:上述文章报告出品方/作者:半导体芯闻;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

美光HBM,大扩产

时间:2026-09-12 18:04
上述文章报告出品方/作者:半导体芯闻;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。
据韩国媒体报道,美国美光科技计划在今年年底前将其高带宽内存(HBM)产能提升至每月10万片晶圆。这一雄心勃勃的增产计划,几乎是去年每月4万至5万片晶圆产能的两倍。随着人工智能半导体市场的快速增长和HBM供应持续短缺,美光希望借助其产能优势,加速追赶三星电子和SK海力士等竞争对手。
 
HBM市场的竞争格局预计也将发生变化。目前,SK海力士占据市场主导地位,三星电子紧随其后,美光科技紧随其后。然而,如果美光科技将其产能提升至每月10万片晶圆,并迅速扩大其在下一代HBM4(第六代高带宽存储器)市场的份额,预计在目前由韩国企业主导的市场中,将会出现一场全面的“三方竞争”。
 
据业内人士14日透露,美光计划在今年年底前将其HBM晶圆月产能提升至10万片。这较去年的4万至5万片有了显著增长,并且该公司还计划在年底前将HBM月产能进一步提升至6万片。

由于人工智能数据中心市场的爆炸式增长,美光正在积极扩大HBM的产能。美光已在其下一代产品HBM4领域占据一席之地。去年3月,美光宣布已开始为Vera Rubin公司量产36GB 12层HBM4,并向客户提供了48GB 16层堆叠HBM4的样品。
 
随着美光科技快速提升HBM4的供应量并扩大产能,目前由国内企业主导的市场格局预计将会发生变化。市场研究公司Counterpoint Research的数据显示,SK海力士今年第二季度继续保持其在全球HBM市场的领先地位,营收份额高达50%。三星电子的市场份额也从第一季度的21%大幅增长至第二季度的33%。位居第三的美光科技的市场份额则从上一季度的21%略微下降至18%。

如果美光的产能扩张按计划进行,产能缺口可能会比现在更快地缩小。然而,在HBM市场,市场份额并非仅仅取决于晶圆投入量的增加。
 
由于HBM采用的是多个DRAM芯片垂直堆叠的结构,因此良率、堆叠技术、散热和能效以及产品可靠性都至关重要。此外,实际供货量只有在通过NVIDIA等主要客户的质量认证后才能增加。即使产能得到保障,如果没有稳定的客户供货,也很难扩大市场份额。
 
美光目前的HBM产品主要以12层HBM3E(第五代高带宽存储器)为主。然而,该公司今年一直在快速提升HBM4的产量。业界预计,美光12层HBM4产品在HBM总产量中的占比将从年初的20%-30%上升至年底的50%。

也有观察认为,如果美光在人工智能内存需求持续增长的情况下迅速增加其实际供应量,HBM 市场可能会摆脱以两家国内主要内存公司为中心的竞争格局,转变为一个成熟的三方竞争体系。

值得注意的是,供应稳定性正成为人工智能半导体市场的一个关键变量。这是因为,从人工智能加速器制造商的角度来看,过度依赖特定存储器供应商可能会增加供应中断的风险。

因此,如果主要客户转向多元化其HBM供应商,美光增产可能成为其扩大市场份额的重要一步。事实上,由于担心内存瓶颈,英伟达等大型科技公司正在寻求多元化其HBM供应商。

美光科技的目标是每月生产10万片晶圆,这使其产能较去年翻了一番,但这并不足以使其迅速赶上三星电子和SK海力士。业内估计,三星电子和SK海力士的HBM晶圆产能分别在每月15万至20万片之间。即使美光科技的产能提升至每月10万片,与这两家公司之间仍然存在产能差距。

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