三星电子在其4纳米工艺晶圆厂中，用于量产第六代高带宽内存（HBM4）基础芯片的比例最近已超过50%。这被解读为三星为在今年下半年扩大HBM4的供应，以满足英伟达、博通和AMD等全球大型科技公司的需求而采取的先发制人举措。

据业内人士7日透露，三星电子的晶圆代工业务计划在今年下半年将超过一半的4nm工艺晶圆用于制造HBM4的基础芯片。

HBM4是目前已商业化的最新一代HBM显存芯片。它被应用于NVIDIA的尖端AI加速器、Vera Rubin加速器以及其他产品中。三星电子于去年2月开始批量生产HBM4，成为业内首家实现量产出货的公司。由于这是初期量产阶段，预计今年上半年的供应量并不大。

三星电子计划从今年第三季度开始大幅提升HBM4的供应量。为此，该公司自今年年中以来已大幅增加HBM4芯片的晶圆投入，以进行大规模量产。该芯片采用三星晶圆代工的4nm（SF4）工艺制造。

据三星电子内外消息人士透露，截至上个月，三星电子 4nm 总产能的 50% 以上都分配给了 HBM4 芯片。

一位知情人士表示：“三星电子的 4nm 工艺目前已全面投产，据我了解， HBM4 的基础芯片占总产量的 50% 到 60% 。”他还补充道：“这一高比例将在今年下半年保持下去。”

三星电子正在其位于平泽园区2号（P2）和园区3号（P3）的晶圆代工厂（S5、S6）大规模生产4纳米至7纳米工艺的芯片。其中，4纳米工艺的产能估计约为每月3万片晶圆。据此推算，每月约有1.5万片晶圆用于生产HBM4芯片的基础芯片。

基片位于核心片下方，核心片由多个垂直堆叠的HBM DRAM构成，负责支持存储器和系统半导体之间的数据传输。随着HBM技术的演进， 基片的重要性也日益凸显。

因此，三星电子正通过其内部的系统级芯片（System LSI）和晶圆代工（Codey）部门进一步提升其芯片基础技术能力。尤其是在HBM4芯片方面，三星采用了领先于竞争对手的4纳米工艺。

基础芯片量产规模的扩大被视为三星电子今年实现扩大 HBM 业务目标的一个积极信号。

此前，三星电子在第二季度财报电话会议上解释说：“我们预计今年第三季度 HBM4 的销量将比上一季度增长三倍以上”，并补充说：“下半年，HBM4 的销量将轻松超过我们 HBM 总销量的 60%”