（1）光刻胶为晶圆制造核心材料，受益于AI浪潮需求景气向上。光刻胶是一类对光或其他辐射敏感的高分子材料，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。按光源波长，半导体光刻胶可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及EUV（13.5nm） ，价值量与技术壁垒依次提升：g/i线主要用于功率器件、模拟芯片、MCU等成熟制程；KrF覆盖0.11μm至90nm节点；ArF覆盖90nm至7nm节点，是先进逻辑和存储芯片量产的主力光刻胶；EUV用于7nm及以下先进制程。根据彤程新材招股说明书（援引弗若斯特沙利文数据），2024年我国半导体光刻胶市场规模约56亿元，预计2026年达81亿元、2029年增至115亿元，2024-2029年CAGR约15.5%，增量主要来自ArF与KrF胶。

（2）全球供给格局高度集中，日本厂商占据主导，国内高端产品依赖进口。2025年前六大半导体光刻胶生产商合计占据全球约83.91%的市场份额，核心玩家包括东京应化TOK、JSR、信越化学、富士胶片、住友化学等。需求端，我国是全球最大的光刻胶消费市场，2025年占35.14%的份额；供给端，日本占全球53.87%的生产份额。2025M1-M9我国半导体光刻胶CR10收入为54.6亿元，其中日本厂商占比达76%，进口依赖度高企。

（3）日本出口管制持续趋严，供应不确定性上升，国产替代势在必行。2025年11月，日本修订《出口贸易管理令》，将ArF和EUV光刻胶纳入出口管制清单，实施“逐案审批”制度，审批周期从30天延长至90天，约110家中国半导体企业被列入重点核查清单；2025年12月30日，东京应化等日企又主动将i线和KrF光刻胶的审批周期延长至最长90天。我们认为，日本对华光刻胶出口持续趋紧，供应存在不确定性，国产替代紧迫性显著提升。

（4）国产光刻胶已突破g/i线，高端品类进入验证放量期，关注原料自研与验证领先的标的。当前g/i线光刻胶国产化率已超30%，KrF大致处在1%-8%，ArF不足1%，EUV基本空白。国产替代的核心难点在于原材料、配方与客户验证：1）树脂与光引发剂高度依赖进口，半导体光刻胶中树脂成本占比达40%-75%，ArF树脂合成工艺壁垒极高；2）配方需从数十种可选单体、上百种专利型光酸及多种功能性助剂中系统性筛选组合，难以逆向还原；3）下游客户导入需经过2-3年验证，海外龙头先发优势明显。

（5）我们从半导体光刻胶、显示与面板光刻胶、PCB光刻胶及上游材料四条线索梳理A股相关标的，重点关注具备核心原料自研能力、验证进展领先、产能释放节奏明确的企业。

风险提示

晶圆厂验证不及预期；高端原料与设备受限；下游景气及开工率波动；行业竞争加剧与价格下降；技术路线变化