PCIM Asia 2026：东芝半导体联手本土功率厂商，剑指SiC高压全场景应用

电子发烧友网报道随着AI算力的快速增长，数据中心供电架构加速向高压直流（HVDC）、48V母线方向演进，功率半导体正迎来新一轮需求周期。

近日在PCIM Asia 2026上，东芝携手基本半导体，展出了面向数据中心、工业电源等场景的多款碳化硅产品与参考设计。电子发烧友网探访了东芝半导体展台，并与东芝半导体分立器件技术副总监屈兴国进行了深度交流，了解到东芝在第三代半导体、模块、以及SST等方面的新品与技术。

嵌入式功率模块：把碳化硅芯片直接做到PCB里

在东芝半导体展台最显眼的位置，是两款嵌入式功率模块样品，这款模块的最大特色是将碳化硅芯片直接嵌入PCB内部，而不是传统模块的芯片贴装+引线键合

这次东芝展出了1200V SiC全桥、半桥两款嵌入式封装模块，屈兴国介绍，模块内单颗裸芯片的RDS(on)为7.2mΩ，半桥模块内部以6颗芯片并联，整模块RDS(on)最终达到1.2mΩ。从结构上看，模块正面为驱动引脚、可与驱动板贴合，背面则为散热面，呼应了嵌入式封装对热路径的设计要求。

据了解，这种结构最大的好处，是能把热阻做小、散热能力做强；同时，由于取消了芯片表面键合引线，电路杂散电感显著降低，电路振荡减小，随之而来的过压应力与可靠性风险也相应降低。

总结下来，嵌入式功率模块的两个核心收益，是降温升与提高可靠性。

作为嵌入式方案的关键支撑，东芝第三代碳化硅MOSFET采用了内置SBD结构，正向压降VF典型值仅1.35V（竞品普遍3~5V），并抑制了双极退化，为嵌入式模块的高温、高频工作提供了底层保障。

在工业能源转换与电机驱动领域，高压、大功率应用对系统能效与小型化的需求不断升级，1200V及以上电压等级的功率模块正加速从传统IGBT向碳化硅等宽禁带半导体技术迁移，这也是本届展会东芝与基本半导体合作的产业大背景。

去年8月，东芝半导体与基本半导体正式签署战略合作协议。通过将双方拥有的先进碳化硅及IGBT芯片技术，与高性能、高可靠性功率模块技术相结合，为全球车载及工业市场提供更具竞争力的功率半导体解决方案。

屈兴国解释了双方合作的分工逻辑：“东芝在功率芯片上有多年积累，而基本半导体在功率模块封装、产品推进速度、在产品的落地能力上更强。两家强强联合，东芝供芯片，基本半导体做成不同应用的模块。”

因此，这次展会上展出了东芝与基本半导体合作开发的碳化硅模块，这些模块集成了双方的核心技术，兼顾高耐压、低损耗、强散热三大特性，正面向工业能源转换与电机驱动的高压、大功率应用。

随着数据中心向智算中心转型，固态变压器（SST）凭借高频隔离、电压灵活变换、主动补偿及多端口协同管理等优势，大幅简化配电拓扑，高度契合下一代智算中心建设需求；除数据中心外，SST在大型储能电站、功率超充、微电网等需要高效双向能量交互的场景同样前景广阔。

面向SST应用，东芝展出了完整的产品矩阵。碳化硅器件/模块及参考设计、大功率IEGT（栅极注入增强型晶体管，3300V~6500V电压等级）及PPI Stack（压接式封装堆叠）等产品，为SST实现高频化、小型化与高能效运行提供可靠支持。

同时东芝半导体的SiC产品线覆盖650V 到 3300V 全电压档位，包括650V、1200V、1700V、2200V、3300V等器件，能够满足未来SST对高压器件的需求。

而东芝传统优势的光耦产品，也能够在SST内的高压场景中有所应用。

此外，针对数据中心应用，东芝还推出了一系列电源参考方案。包括采用贴片式碳化硅MOSFET的3kW服务器和通信电源、适用于服务器的1.6kW LLC谐振AC-DC转换器，以及适用于服务器的1.1kW ITTF AC-DC转换器，呼应48V母线、高压直流（HVDC）及1U高功率密度电源方向。

对于SST，屈兴国也给出了更具体的落地节奏判断，他认为SST在国内最早规模化将出现在800V超充，超充追求快速落地和低成本，对于可靠性要求相对没那么极致；而真正对可靠性要求极高的数据中心场景会晚一步起量，“数据中心对模块可靠性的要求与汽车同级，不能宕机，否则数据中心停摆损失巨大”。

从技术结构看，SST由多个“前串后并”子模块构成：前端用1200V/2300V器件把中压交流串压降下来，后端DC-DC变800V并多个小模块提升电流，单机仅1200V/2300V就需要20~30颗以上功率器件，未来对于高压器件需求量非常可观。

在PCIM Asia 2026上可以看到，AI带来的数据中心电源和SST需求，正把东芝的碳化硅器件/模块、大功率IEGT与PPI Stack一并串入全新的高压功率半导体叙事。这家日本老牌功率半导体厂商正在用结构创新以及本土伙伴的组合，撬动AI数据中心市场驱动下的新一轮功率器件竞赛