长电科技发布公告称，为满足公司业务发展的资金需求，增强公司的资本实力，提升盈利能力，公司拟向特定对象发行 A 股股票募集资金不超过 650,000.00 万元（含本数） ，用于高性能计算高端先进封装平台扩产项目、 高端电源模组先进封装测试产能升级项目、 晶圆级封装先进工艺平台升级扩能项目、 高密度大容量存储芯片系统级封测能力升级项目及补充流动资金和偿还银行贷款。公司对本次发行募集资金运用的可行性分析如下。

本次向特定对象发行A股股票募集资金总额不超过人民币650,000.00万元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额拟用于以下项目：

募集资金到位之前， 公司将根据项目进度的实际情况以自有资金或其它方式筹集的资金先行投入， 并在募集资金到位后根据相关法律法规规定予以置换。 募集资金到位后，在本次募集资金投资项目范围内，公司可根据项目的实际需求，对上述项目的募集资金投入顺序以及各项目的具体投资金额进行适当调整。 若本次发行实际募集资金净额低于拟投入项目的资金需求额， 不足部分由公司自筹解决。

本项目计划投资235,057.22万元，用于提升超高性能计算芯片、服务器网通设备芯片等高端先进封装测试芯片的产能。 本项目的实施将有利于提升公司在相关先进封装测试领域的制造能力， 实现大规模化高端先进封装集成， 优化产品结构， 提升公司的经营规模及盈利能力， 有效推进并巩固公司在先进封测领域的优势。

长电表示，随着大模型与生成式AI加速普及，人工智能及高性能计算正由“训练为主”向 “训练与推理并重” 演进， 算力需求呈指数级增长， 持续推动AI服务器与数据中心快速扩张， 并对AI芯片的性能与能效提出更高要求。 作为AI算力体系的核心载体， AI芯片的性能跃迁与能效优化逐步由制程主导转向对高端先进封装能力的高度依赖， 先进封装已成为决定系统级算力上限的关键环节， 匹配AI芯片发展的高端先进封装具备显著战略必要性。同时，受限于先进制程AI芯片的供应紧张，下游系统厂商与芯片设计公司对高端先进封装的依赖明显增强， 为属地化先进封装能力建设带来刚性需求与重要战略窗口期。

长电指出，公司XDFOI®技术平台是面向Chiplet与异构集成的核心先进封装平台，已形成覆盖研发、 量产与前沿探索的完整技术体系， 是国内对标高端先进封装的主力方案。

随着AI、HPC、端侧AI、消费电子及汽车等应用对异构集成需求快速提升，先进封装正由传统“芯片后道”向“系统级集成核心”升级，高性能计算要求极致带宽和低功耗、 数据中心的建设推动了光电融合的技术趋势、 消费与移动终端追求性能、 轻薄和成本兼具， 为满足上述趋势， XDFOI®平台需向更多芯片集成、多维封装形式、 更高互联密度、 更大封装尺寸及光电共封等方向持续演进，这些技术升级对新工艺、新设备、新材料提出迫切需求，加大投入具有显著必要性。

按照长电所说，公司具备体系化的技术储备，公司的XDFOI®平台已构建起“量产一代、验证一代、研发一代”的完整技术梯队，技术布局清晰、节奏可控，该技术平台作为面向芯粒的极高密度扇出型异构封装解决方案， 通过工艺设计协同优化实现高密度多维异质异构集成，已广泛应用于高性能计算、人工智能、5G通信及汽车电子等领域， 为客户提供兼具高性能与高能效比的芯片成品制造方案， 整体技术规划与国际顶尖封装厂商保持同步，具备持续演进的系统性基础。

在Chiplet、2.5D/3D等核心方向，公司XDFOI®技术能力对标国际先进水平，并在部分细分领域具备差异化优势。 在此基础上， 通过持续加大投入， 可进一步夯实前沿封装技术储备， 保障在关键技术节点上长期并跑、 局部领先， 具备清晰的技术落地路径与可执行性。

本项目总投资金额163,645.00万元， 用于扩充FCLGA封装及模组的产能建设，主要为高端电源芯片及电源模组头部厂商、 大型云服务商及数据中心运营商提供FCLGA封装及FCLGA模组配套，满足日益增长的AI数据中心高功率电源系统需求，项目的实施将有利于提升公司在相关封装测试领域的制造能力。

长电表示，当前全球人工智能产业进入爆发期，海内外云服务商人工智能数据中心资本支出均以约55%的复合增速高速扩张， 人工智能算力已成为数字经济核心生产力。人工智能算力的爆发式增长对电源系统提出极致要求：英伟达GPU功耗从A100的数百瓦跃升至GB200的近3000W，单机柜功率密度将从2024年的130-250kW提升至2029年的900-1000+kW， 传统电源方案已无法满足超高电流、 超低电压的供电需求。

本项目聚焦人工智能数据中心全链路电源解决方案， 解决人工智能算力扩张的供电瓶颈， 为人工智能大模型、 智能制造等产业提供核心硬件撑， 夯实数字经济发展底座。

人工智能算力技术迭代加速， 电源方案的技术窗口期极短， 若无法及时布局，将错失市场机遇。 本项目可帮助企业抓住人工智能算力扩张的关键窗口期， 快速实现技术落地与产能布局， 深度绑定头部云服务商、 人工智能企业， 巩固企业在数据中心电源市场的重要地位，在激烈的市场竞争中抢占先机。

本项目聚焦FCLGA及FCLGA模组先进封装、多相供电集成等核心技术，有助于提升人工智能算力产业链的整体完善程度与发展韧性。

按照长电所说，公司在人工智能电源应用FCLGA封装及FCLGA模组领域已实现大批量出货，稳居全球供应第一梯队，技术实力行业领先。当前公司的FCLGA封装产能已趋近饱和， 而下游整体客户需求仍趋于旺盛， 高端模组需求持续攀升， 本次项目建设主要为满足高端电源芯片及电源模组头部厂商的确定性发展趋势， 市场需求明确、 增长确定性强， 产能扩张具备坚实的市场基础。 公司已顺利通过多家头部客户与终端审厂稽核，方案实力与交付能力获得市场充分认可。

长电指出，公司FCLGA封装及FCLGA模组产品可支持多种异质集成结构，实现多次真空回流焊接，兼容多类型基板/PCB，灵活适配基板/PCB与电感、变压器的多种互连方式， 同时掌握激光割切、 散热盖贴装及变压器高精度定位等关键艺。 在后摩尔时代，公司持续深耕核心技术，探索先进工艺，以更低寄生、更高频、更高密度的技术优势， 在性能与功耗的极限赛道发挥关键作用； 同时， 公司在低损基板和介质、 高导热材料有相关技术储备， 较好的技术迭代能力有助于高功率SiP模组及Power FCLGA产品实现规模化突破，可充分满足人工智能电源升级需求。

本项目计划投资183,173.74万元，用于晶圆级封装扩产项目，项目的实施将有利于提升公司在相关封装测试领域的制造能力， 优化产品结构， 提升公司的市场竞争力和盈利能力，进一步巩固行业地位。

长电表示，Bumping产品广泛应用于消费电子、通讯电子、 车载、 5G基站、 云端等终端，且行业正在从传统封装向FC、 FIWLP、 FOWLP等先进封装转型。 随着FC、 WLCSP、Fan-Out、SiP等先进封装渗透率提升，Bumping已从配套工序升级为中道核心产能瓶颈。FC封装更有高性能、低功耗、高芯片封装尺寸比等优势，Bumping作为FC关键环节， 市场份额保持稳定增长， 2026年至2035年全球Bumping市场增长率预计为6.9%。在消费电子、车载、AI、功率器件等领域，客户对高密度、高一致性bump的需求持续增长，现有产能难以支撑中长期放量，扩产具备刚性需求。

Bumping产能扩产有助于提升公司综合竞争力结合公司现有Bumping产能情况综合评估， 只有扩充产能才能满足客户及市场的发展需求，而且Bumping通常与封装和测试深度绑定，产能不足将直接导致客户订单外流。通过扩产Bumping产能，可增加“Bumping+封装+测试”一体化的交付能力， 提升客户切换成本， 稳固核心客户与中长期订单， 是公司作为OSA T厂参与客户项目竞争的关键筹码。

本次新增Bumping产能具备清晰分配逻辑，与客户需求分配方案、潜在项目机会、公司Turn-key协同路径绑定。产能消化不仅仅依赖单点客户，而是通过同类产品群形成互补与替代，增强持续灌满能力。最重要的是Bumping在封装工序中， 其工艺属于技术壁垒高、 毛利率相对较优的工序， 具备规模效应与平台化复制能力。扩产Bumping产能还可支撑Cu pillar、微间距bump、差异化的材料等高附加值工艺导入，从而优化产品结构、提升整体盈利水平。

在长电看来，晶圆级封测本质上承接了“更小间距、更高I/O密度、更高集成度”的系统趋势。 公司基于应用端从消费电子向工业、 运算、 汽车迁移的结构性判断，持续向工业电子、运算电子及汽车电子布局。在这种结构变化下，Bumping逐步向更高附加值、更高性能封装耦合的互连基础能力延伸。

从公司经营口径看， 公司加快先进封装业务升级和产能建设步伐， 整体产能利用率持续提升， 其中晶圆级封装产线接近满产， 同时强调优先保障高毛利产品的产能分配，持续提升盈利能力。公司正在把Bumping产能资源向高附加值、需求更确定的方向倾斜， 进一步巩固成本竞争力、 交付稳定性和新工艺导入的能力，进而实现客户份额的整体提升。

长电指出，本项目的实施基于清晰的市场需求， 结合公司先进封装产能趋于饱和、 高毛利产品优先的资源导向， 产能的提升有利于公司产品质量、 交付周期、 成本效益的提升，并对于公司围绕新工艺与Turnkey模式的导入扩大工业、运算、汽车的增量客户具有重要意义。

公司具有20年的晶圆级封测技术开发与制造经验、6/8/12寸全尺寸兼容、全集团Full Turnkey服务，已形成成熟稳定的量产能力。本次扩产是在既有平台上做产能复制与工艺组合升级， 技术路径可控， 在既有流程、 既有质量体系、既有客户产品组合上做产能补充和效率提升， 较新建整线更易控风险、 也更容易在质量/良率上实现平滑爬坡。

从工艺成熟度的角度看，Bumping属于晶圆级成熟工艺模块，其核心流程包括溅射（Seed Layer） 、光刻、刻蚀、电镀、去胶、AOI等，均为公司已长期运行的标准化工艺单元。 在现有产线中， 相关工艺参数、 工艺窗口、良率控制方法已完成从工程批到量产批的充分验证。从长期技术可行性看，Bumping并非绑定某一单一应用， 而是先进封装体系中的基础能力模块。 现有技术平台已经支持电源管理、 显示驱动、 消费电子、 车载等多类产品形态， 且可与FC、 WLCSP、 Fan-out、SiP等后续封装形态无缝衔接。因此Bumping的互联能力是公司未来实现多产品线协同发展的底座能力， 本次扩产不仅是数量扩张， 更是为后续更高密度封装的导入提供产能与工艺窗口。

本项目计划投资185,094.81万元，用于高密度大容量存储芯片系统级封装测试的制造能力升级。本次投资采用成熟的Wire Bonding与Flip Chip封装技术，布局FBGA、FCCSP等存储封装形式，通过多芯片堆叠实现高密度、大容量存储解决方案， 重点服务国内存储客户。 项目实施将有助于公司进一步扩大相关封装测试的产能规模， 优化存储类产品结构， 提升经营韧性和抗风险能力， 持续巩固并增强公司在存储封装测试领域的竞争优势。

在AI蓬勃发展的背景下， 数据的处理量呈现爆发式增长。 根据IDC预测， 2025年全球将产生213.56ZB数据， 到2029年将增长一倍以上达到527.47ZB。 海量数据的高效处理与实时传输， 离不开存储芯片的支撑。 存储芯片对于数据的处理速度与效率具有重要影响， 是AI时代下满足高吞吐、 低延时数据需求的基础硬件， 海量数据的存储与读写需求进一步催生了存储芯片广阔的市场空间， 为半导体存储芯片行业带来了历史性的发展机遇。

随着高性能计算、 存储等领域的需求蓬勃发展， 全球集成电路制造和封装企业资本开支创历史新高，2028年全球半导体设备支出预计达2,290亿美元；台积电、 三星、 英特尔等头部厂商大幅加码资本开支， 其中台积电2026年资本开支上调至600-640亿美元。同时，美国、日本、欧盟、韩国均推出千亿级芯片补贴计划， 叠加北美云厂商资本开支的快速增长， 直接拉动芯片全产业链融资需求爆发，其中80%以上新增资本开支聚焦AI算力相关领域，涵盖先进逻辑、HBM存储、先进封装等核心环节。

公司所从事的封装测试作为集成电路产业链的后道核心环节， 是芯片实现功能、 保障可靠性的关键步骤， 也是承接前端芯片设计、 制造与下游终端应用的重要枢纽。近年来，在人工智能、汽车电子、高性能计算等下游需求爆发式增长、先进封装技术快速迭代以及自主可控持续深化的多重驱动下， 封测行业迎来规模化发展机遇，头部企业持续高额资本支出。

在AI技术革命持续驱动下， 全球存储封测市场进入加速增长通道。 在AI算力革命持续推进的背景下，全球存储市场正经历由需求结构变化驱动的深度重塑，发展模式由传统的周期性波动， 逐步转向以AI为核心牵引的 “超级周期” 增长阶段。

一方面， AI大模型训练与推理对高带宽、 高容量、 高可靠性存储提出持续放大的需求， 推动AI数据中心存储需求增速超过30%， 成为全球存储市场增长的核心引擎；另一方面，企业级存储需求保持约25%的高速增长，显著高于消费级存储8%-10%的温和增长水平， 需求结构持续向高端、 集中化方向演进。 整体来看，存储产业增长逻辑已由“消费电子周期”转向“算力与数据驱动”，结构性、长期性增长特征日益显现。

公司本次拟投资建设存储产品封装扩产项目， 聚焦高密度大容量存储芯片系统级封测能力升级方向， 通过新增高端产能与升级工艺平台， 进一步夯实公司在高密度存储封装领域的技术领先优势， 提升核心技术自主创新能力与高端产品供给能力， 推动技术平台向更高集成度、 更高可靠性方向迭代升级， 助力公司巩固全球封测行业龙头地位， 更好支撑人工智能、 高性能计算、 汽车电子等下游领域的快速发展。

根据Mordor Intelligence市场数据，2025年全球存储封测市场规模约308.6亿美元，预计2030年将提升至约403.3亿美元，CAGR达5.5%。中国市场增长更为突出，2025年中国存储封测市场规模约648.1亿元人民币，占全球比重30%以上；

预计2030年将增长至约1,411.6亿元，CAGR约16.8%，成为全球存储封测产业增长的核心引擎。

公司在存储封测领域拥有20余年规模化量产经验，能够同时覆盖NANDFlash与DRAM全系列存储芯片封测需求。依托于公司整体资源与深厚技术积累，公司已成长为全球存储封测市场的重要参与者， 并确立了其在中国存储封测领域的重要地位。

公司构建了覆盖封装设计、结构/热/电多物理场仿真、工艺开发及量产测试的完整技术平台， 可为客户提供从方案定义到规模化交付的一站式封测服务， 形成了成熟、 稳定、 可复制的量产体系， 可提供多种混合存储封装解决方案。在关键技术能力方面，公司在高密度存储封装、多芯片与超高层堆叠、FC+WB混合封装等方向具备行业领先的工艺能力与量产经验，相关产品已在AI/HPC、新能源汽车、信息与消费终端、物联网及工业控制等领域实现规模化应用。

当前主流存储芯片封装中，NAND Flash以采用Wire Bonding的FBGA（多芯片堆叠）为主，而DRAM则主要采用Wire Bonding的FBGA（多层LPDDR堆叠）及Flip Chip形式的FCCSP（单芯片DRAM封装） ，分别对应不同性能、容量与成本需求。Wire Bonding（引线键合）是NAND与LPDDR堆叠封装中最成熟、应用最广泛的互连技术。 该技术通过金、 铜或铝等金属细丝实现芯片与芯片、 芯片与基板之间的电气连接， 具备工艺成熟、 成本可控、 良率稳定等显著优势，尤其在中低堆叠层数（≤16层）的NAND封装中占据主导地位，广泛应用于消费级SSD、移动存储与嵌入式存储场景。FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array，细间距球栅阵列）是BGA技术的重要演进形态，属于芯片尺寸封装（CSP）的核心分支。其通过高密度焊球阵列实现芯片与基板的高效互连， 兼具小型化、 良好散热性能及低寄生参数等优势， 是NAND与LPDDR存储芯片的主流封装形式之一。在NAND与LPDDR多芯片垂直堆叠应用中， FBGA凭借细间距焊球与超薄结构设计， 成为实现高储密度的首选方案，尤其适用于移动终端、嵌入式系统等对空间与性能高度敏感的应用场景。采用Wire Bonding的FBGA封装，已成为小型化、高性能存储解决方案的核心形态。其在封装厚度、I/O密度及散热能力方面的综合优势，使其广泛应用于移动设备、 嵌入式系统与工业控制领域。 随着3D NAND与DRAM技术持续演进，FBGA封装的堆叠层数、 容量与性能将进一步提升， 为AI、 物联网与5G应用提供更强的存储支撑。

FCCSP （Flip Chip Chip Scale Package， 倒装芯片级封装） 是倒装芯片技术与CSP封装形式的结合，其核心特征为芯片正面朝下，通过微凸块（Bump）直接与基板互连，封装尺寸接近裸芯片（通常不超过裸芯片面积的1.2倍） 。FCCSP通过缩短信号路径、降低寄生电感与电阻，可支持更高I/O数与更高带宽需求，已成为DRAM，尤其是DDR5高速内存的主流封装形式之一，可满足新一代高性能计算与服务器平台需求。

综上所述， 长电强调本次向特定对象发行A股股票募集资金投资项目的建设符合国家产业发展规划政策，是公司紧抓行业发展契机、发挥自身竞争优势的重要举措，符合产业发展的需求和公司的战略发展目标，具有良好的市场前景和经济效益。通过本次募集资金投资项目的实施， 有利于进一步扩大公司业务规模， 增强公司的综合竞争力， 巩固公司行业领先地位， 符合全体股东的利益。 因此，本次募集资金投资项目是必要的、可行的