随着GPU/ASIC单芯片功耗及整柜功率持续提升，若供电电压保持不变，传输电流将同步上升，而线路损耗与电流平方成正比，铜耗、发热、线缆及空间约束随之加剧。另一方面，GPU/ASIC核心电压长期维持在约1V附近，芯片侧无法再通过提高电压降低电流。因此，AI电源升级沿两条路径展开：前端通过升压降低远距离传输电流，后端通过缩短低压大电流传输路径降低PDN电阻。

第一场战役：升压降电流，800VDC推动供电架构由设施侧向服务器内部持续高压化。柜外侧，Sidecar通过兼容现有480Vac基础设施实现800VDC快速导入，巴拿马通过中压侧一体化压缩传统供电链路，SST则以中压直转800VDC为长期演进方向。随着800V进一步进入ITRack，柜内又形成Shelf级800V→50V与Tray级800V→12V/6V两类路径，前者更强调对现有服务器供电体系的兼容，后者则将高压进一步推近ComputeTray甚至GPU，通过减少中间转换级和低压大电流传输距离提升功率密度。

第二场战役：近距降电阻，800V向板级下沉,三次电源由分立走向模块/VPD。800V板级直降需要在显著小于传统机架电源的板级空间内完成高变比转换，为压缩磁性器件体积，开关频率由数百kHz向接近1MHz提升，高频工况进一步放大GaN低开关损耗和高功率密度优势。更重要的是，50V、12V、6V中间母线目前尚未收敛，但无论最终采用哪种方案，800V输入侧均需要新增高频高变比DC/DC。

低压大电流推动三次电源由分立式向模块化、垂直供电及更高集成度演进。当供电电压最终降至GPU/ASIC核心所需的约1V附近后，进一步升压难度较高，降低PDN阻抗成为控制损耗的主要手段。传统横向供电需要大电流在PCB上进行较长距离传输，而模块化电源通过提升器件集成度压缩供电面积，VPD进一步将电源移动至芯片背面、直接缩短VRM至芯片的供电路径，长期IVR/SIVR则有望将电压调节继续向封装和芯片内部迁移。

两场战役共同推动AI电源价值量由传统PSU向完整Grid-to-Chip供电链路扩散。前端800V升级带来HVDCPowerRack、SST、碳化硅等新增需求，后端则推动DrMOS、芯片电感、MLCC电容、PCB及二/三次电源模块价值量提升。

投资建议

AI电源升级沿“前端升压降电流、后端近距降电阻”两条主线展开，建议关注受益于技术迭代的电源及零部件公司。

风险提示

资本开支不及预期；芯片功率提升不及预期；技术路线变化；客户认证和订单放量不及预期等