存储巨头，押注zHBM及zNAND-O

近日，三星电子存储器产品规划部门副总裁Jangseok Choi（崔璋石）提出了“CUBE”策略，旨在推动3D架构发展，打造下一代3D存储器与存储解决方案（包含zHBM及zNAND-O），解决AI数据中心及端侧AI（on-device AI）不同环境下的瓶颈，大幅提升性能。

“CUBE”策略主要聚焦Capacity（容量）、Utilization（利用率）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（效率）四大关键维度。

Capacity是通过垂直扩展，在不增加印刷电路板面积的情况下提升容量；
Utilization是指3D不是单纯的堆叠，而是架构的优化，通过优化逻辑芯片与存储器的配置，降低延迟；
Bandwidth则指缩短芯片之间的距离，以垂直的高速通道取代水平传输，大幅提升带宽；
Efficiency则聚焦在功耗与散热技术，将单一位元数据传输所需的能耗降到最低，最大化每瓦性能（Performance per Watt）。

Choi Jang-seok表示，三星已出货业界首款12层HBM4E样品，当每个GPU配置4个HBM4E堆叠时，系统可提供高达16TB/s的带宽。相较于HBM4，HBM4E每瓦性能提升20%，热阻降低10%；至于下一代HBM5，三星则已着手开发。与HBM4E相比，HBM5的目标是性能提升2倍，每瓦性能提升20%，热阻降低20%。

目前传统HBM采用2.5D架构，将存储器与处理器并排放置，为了缩短两者之间数据传输的距离，三星以全新架构开发出zHBM，将存储器直接堆叠在处理器之上，通过大幅缩短数据传输的距离，实现性能与能源效率的跃进。三星表示，zHBM有望于2028年左右实现商业化。与HBM4E相比，zHBM目标是将性能最高提升8倍、每瓦性能提升3倍，热阻降低75%~90%。

至于三星最新一代V10技术，专为满足AI时代高容量、高性能和低功耗的需求而生，采用全新的键合（Bonding）技术，位元密度（bit density）比前一代大幅提高58%，I/O速度提升33%，功耗下降25%-26%。

Jangseok Choi指出，三星进一步提出3D存储解决方案zNAND-O，结合V10 BV-NAND以及硅通孔（TSV）技术。zNAND-O采用3D封装技术，通过TSV垂直堆叠多个V-NAND芯片。zNAND-O与神经网络处理器（NPU）通过UCIe标准接口，整合在单一封装之中，可满足严苛的AI工作负载所需要的扩展性与带宽。三星宣布，计划2028年开始推出zNAND-O样品。

除了上述产品外，在技术层面，三星则采用晶圆对晶圆键合（Wafer-on-Wafer Bonding）技术以突破间距的限制，并利用混合铜键合（Hybrid Copper Bonding，HCB）技术来降低热阻