引言：AI算力集群的放量增长正驱动光模块向800G/1.6T及更高速率迭代，磷化铟战略地位已从“普通光通信衬底”跃升为“AI基础设施的核心瓶颈”。当前全球磷化铟需求与实际产能之间存在鸿沟，叠加上游铟资源伴生属性与出口管制、高纯红磷极度依赖海外，以及中游衬底极端寡头垄断、下游EML芯片严重短缺等多重约束，材料 衬底/外延已成为决定AI光互联能否放量的关键变量，战略权重空前。
磷化铟在光通信中作用无可替代，下游放量与原料制约形成错配。
磷化铟衬底是可生长晶格匹配、低缺陷有源层的基底，精准输出1310nm/1550nm 两个低损耗波长，适配500米级到10公里以上的长距离数据中心互联场景，而砷化镓存在距离不够 单通道速率到顶的问题，故随着大规模AI集群快速发展，磷化铟的作用愈来愈难以替代。据英伟达预测，2026-2030年全球磷化铟晶圆整体需求将激增20倍左右，而当前磷化铟衬底的供给弹性或仍严重受制于原材料的有效释放节奏，形成显著错配。我国原生 再生铟产量均充分,高纯铟环节正加速国产替代。
铟通常以伴生形式存在，绝大部分原生铟是锌矿冶炼过程中的副产品，故供应弹性极低。我国凭借自然储量丰富以及显示面板的产业积淀和较高的ITO靶材消耗，于原生和再生铟层面均形成供应优势。尽管我国不缺铟资源，但铟产品尚集中在中低端，7N级高纯铟仍需要通过国外再加工反向输入，进口依赖度达68%。如今我国锡业股份、豫光金铅、株冶集团、锌业股份等企业正在上游铟资源把控、或稳定成熟的6N、7N级高纯铟生产技术层面加速赶超，国产替代确定性较高。
高纯红磷为磷化铟衬底命脉，国产替代紧迫性显著更高。
伴随AI算力瓶颈收束至上游原材料，7N级高纯红磷已不可或缺。目前，全球高纯红磷被日本长濑化学、日本RASA工业两家公司垄断，短期内我国无法解决技术壁垒、设备壁垒、危化审批、客户认证等问题，伴随日企收紧高纯红磷供应，当前供需矛盾已极度突出，亟待国产化突破。我国以威顿晶磷、兴发集团、拓材科技、先导科技等为代表的企业正在加速实现国产化，6N已形成量产，7N产能建设/小试亦在稳健运行，后续有望逐步形成商用落地替代，补齐关键基础材料短板。衬底是真正的“卡脖子”之王，外延晶圆正加速大尺寸升级。
①衬底环节，由于InP单晶生长工艺复杂、扩产周期漫长、投资巨大，以及关键原材料供应受限，供给侧扩张缓慢，是当前供需最紧张的环节。当前日本住友电工、美国AXT、日本JX金属合计占全球90% InP衬底产能；国内以云南锗业（鑫耀）、先导微电子等企业为第一梯队，正快速扩产与技术升级。目前2-4英寸的中低端场景已实现国产替代；6英寸高端场景则正在经历海外资本投入放大，国内亦在加速验证。②外延环节，技术 资本铸就高企壁垒，外延市场被IQE、住友电工、AXT等主要竞争者高度垄断。同时6英寸及以上大尺寸晶圆对降本意义非凡，海外亦在通过成熟的大尺寸衬底优势加速卡位升级机遇。
投资建议：如需获取完整报告，欢迎联系国投证券化工&新材料团队或对口销售。
风险提示：下游资本开支波动与需求预期下修风险；技术路线迭代风险；上游材料供给与成本波动风险；工艺良率爬坡与国产导入不及预期风险；地缘政治与出口管制风险等
VIP复盘网
