配置原理决定单瓦通胀，单路冗余及秒级备电共同抬升单柜用量。800VDC架构落地，超级电容逐步由选配走向标配。超级电容既承担毫秒级大功率脉冲的快速响应，也提供秒级短时备电：毫秒级需求主要由峰值功率缺口、耐流、压降等共同决定；秒级备电进一步受能量缺口与补偿时长约束。随着AI机柜功率提升、波动幅度加大及备电冗余要求提高，串联数与并联数同步增加，推动单瓦搭载量持续通胀。我们测算GB300至Vera Rubin单千瓦对应超级电容颗数由1.52提升至4.36颗，2026-2028年AIDC超容需求量约2,177/10,796/24,481万颗，对应市场空间43.54/194.34/396.59亿元。

有效供给受技术/认证/产能三重约束，供给紧缺周期开启。超级电容名义产能与有效产能存在明显差异，大容量产品在低内阻、高温寿命、一致性及长期可靠性等方面门槛较高，同时客户认证、产线建设及良率爬坡均限制供给释放。LIC短期新增产能有限，EDLC虽具备扩产弹性，但大容量产品仍存在较长生产及验证周期，我们判断需求快速增长下，27-28年大容量超级电容有效产能将趋于紧缺，需求中性情况下供给缺口约为5,096/12,981万颗，具备产能和客户壁垒的龙头有望实现量价齐升。

AI资本开支及机柜出货节奏不及预期，技术变动风险，关键上游材料价格波动，贸易政策风险。

单一器件难以适配全部场景，电容分层配置实现不同功能。AIDC负荷侧变化使电源系统面对从纳秒级到分钟级的梯度功率波动。从响应时间由快到慢看，AIDC供电链路大致可分为五类功率缺口，每一层缺口都有其特定的频段特征和器件适配要求，单一器件难以覆盖全部场景，电源系统需按照响应时间进行分层配置。

► 毫秒级至秒级机柜大功率同步脉冲缺口：超级电容可填补功率空档。GPU集群同步运行时，整柜乃至多柜负载集中跃升，形成毫秒级至秒级大功率脉冲需求。受控制环路响应速度限制，PSU、HVDC及上游供电无法瞬时跟随负载，母线表现为电流骤增与电压下探，要求器件在极短时间内快速吞吐大功率并耐受频繁循环。超级电容响应快、功率密度高、循环寿命长，可部署于机柜或直流母线侧：负载上升时快速放电、补充瞬时功率并稳定母线电压，负载回落时吸收多余能量，再由上游电源完成补能，从而填补传统电容与电池之间的毫秒级至秒级高功率缓冲空档。

超级电容工程落地主要分为CBU 机柜内置、Sidecar 独立边柜两类形态，二者同属机柜级储能。核心承担 GPU 毫秒秒级功率削峰，同时具备秒级短时桥接备电能力；系统内锂电池 BBU（电池备份单元）作为配套储能单元，和超级电容形成分工配合，二者配套解决方案逻辑清晰：CBU   柜内 BBU 适合中高功率机柜，架构简单、布线改动小；Sidecar（集成超级电容   BBU）面向 600kW 以上超高功率机柜，完成电源、储能整体外移。超级电容只做瞬时缓冲，不替代 BBU 的长时间备电功能。场站级超级电容集中部署于机房 UPS 侧，仅实现整站桥接，无法响应机柜内部GPU毫秒级功率扰动，新一代AIDC少采用。

► CBU（机柜内置）：为英伟达 800V DC 架构原生方案，超级电容储能托盘部署在 AI 算力机柜内部，供电路径短、阻抗低、响应速度最优，但会占用机柜 U 位空间，发热留存于算力柜内。与之配套的 BBU 模块同样可内置在算力机柜内部，锂电池 BBU 负责秒分钟级断电备电，市电中断时支撑数据保存与服务器安全关机；CBU 与 BBU 柜内并联协同，超级电容承接高频瞬时尖峰，减少锂电池频繁脉冲充放电，延长 BBU 使用寿命。

► Sidecar （边柜方案）：将整流配电、超级电容模块统一集成至算力机柜旁的独立电源边柜，实现算力负载与储能单元热解耦，释放 IT 机柜内部空间，适配超高功率 AI 机柜；BBU 电池单元也可一并部署在 Sidecar 边柜内部，不再占用算力机柜空间。该方案需要配套设计 800V 高压直流互联线缆、直流保护器件，当前处于样机与小批量试点，属于下一代演进路线。

AIDC产业链各环节围绕机架级平抑功率尖峰的需求信号正逐层强化，超级电容作为潜在核心方案定位逐步清晰。

（1）英伟达：800VDC开始明确超级电容使用。从GB200未明确用电容，到GB300、VeraRubin明确引入更大容量电容以削峰填谷。作为未来趋势的800VDC架构下明确了超级电容部署，负责短时储能，需求趋势明确向上[3]。

（2）CSP：潜在需求广泛，路径处于规划与备选阶段。谷歌、微软、Meta、甲骨文、亚马逊均已在官方报道中确认AI数据中心单机架功耗抬升[4]，以及电源系统升级的相关规划，但未明确使用超级电容。其中微软和Meta早期补充电源类专利中应用过超级电容，证明超级电容可能作为重要备选方案[5]。

（3）电源厂：新品端落地信号逐步清晰。伟创力、台达电子、麦格米特在其新一代电源架产品中，明确包含超级电容组件，具体路径包括LIC/HSC等[6]；光宝科技和维谛提到未来电源系统中高负载功率波动问题，显示超级电容的潜在应用场景，光宝在其800V新方案中明确了大容量电容[7]。

（4）ODM：提到大容量电容落地。ODM厂商对电源系统的相关表述较少，和硕和英业达在VeraRubin中采用额外的大容量电容，未明确超级电容[8]。

从原理讲单机柜用量测算：单支串联颗数×最小并联支数

从底层原理角度讲，进行超级电容配置需要考虑四个方面：1、电压需求；2、支路电流需求；3、压降校验；4、检测校核。

基于百毫秒级别补偿缺口测算显示，GB300之后新架构的超级电容单机柜用量显著抬升

（1）第一步计算单支路所需串联数。根据英伟达GTC，GB300/VeraRubin两架构额定电压均为54V[9]，英伟达AI时代的电源架构相关文章披露，RubinUltra将明确引入800VDC[10]。结合主流EDLC厂商代表性产品参数，超级电容单个电容电压为3V[11]，因此在三架构相应母线电压下，单支路需要串联18/267/267颗。

（2）第二步进行硬件耐流测算。需要用峰值时的功率缺口，计算此时超级电容模组需要流出的总电流，除以单个电容电流上限，得到最小并联支路数。计算功率缺口需要单机柜额定功率与瞬时波动幅度。除了单机柜额定功率带来的基数提高，峰值功率与稳态功率相比的峰值倍数也有所差异，导致新一代RubinUltra的瞬时功率波动幅度显著提高。计算得到三架构功率缺口分别为，除以三架构的最低压，计算出最大峰值电流。同样参考Maxwell产品参数，得到其电流上限为140A[12]，得到其最少并联支路数为10/1/2个。

（3）第三步进行压降校核。结合电容参数和单支路串联数，计算出极端老化情况下的单支路总电阻，结合机柜电压变化计算出阻性压降，得到最少并联支路数为3/1/2个。

（4）第四步进行能量校核。根据电容储能差公式，由单支路电容量和母线压差，可计算出单支路的可用储能。而整机柜峰值时的能量缺口，由功率缺口和补偿最大时长乘积得到。因此，用计算出的能量缺口除以单支路可用储能，得到最少并联支路数为1/1/1个。

理论测算显示，GB300之后新架构的超级电容单机柜与单千瓦用量显著抬升。并联支路数取最大下限，乘以单支路串联数，最终得GB300/VeraRubin/RubinUltra三架构整机超级电容的最小理论颗数分别为180/267/533颗；用各机柜的稳态功率除以理论最小超级电容数，得到每千瓦用量为1.27/1.21/0.89颗。

从GB300到RubinUltra平台迭代，机柜单位IT功耗对应的超级电容搭载量大概率上行

800V高压直流架构是超容用量上行的底层核心驱动。传统低压供电架构下，超级电容多为选配备电部件，应用场景有限；RubinUltra全面切换800V高压母线，超容直接并联母线，为匹配800V额定电压，超容单体串联数量从低压时代的十余颗跃升至三百颗量级，叠加耐压冗余、均压管理、故障备份支路，BMS、绝缘、结构件等配套系统价值量同步抬升，共同推高单瓦对应的超容系统投入。

新一代平台供电与备电冗余标准全面升级，进一步拉高配置阈值。相较于GB300，RubinUltra高密度AI机柜负载特性更趋极端：多卡同步训练产生毫秒级大幅功率尖峰，大模型海量缓存对断电数据安全要求更高。加码冗余后一是峰值功率冗余倍率显著高于行业最低规范，预留更大尖峰缓冲空间；二是断电hold-up补偿时长标准上调，保障数据安全落盘与设备有序关机。双重冗余升级直接推高超容所需总储能容量。另外超容长期在高温和高电压下运行时，容量会逐步衰减、ESR逐步上升，散热设计也会显著影响最终颗数。

我们采用自下而上的机柜口径测算超级电容在AI数据中心的需求，核心公式为：需求量=新增机柜总功耗×单瓦所需超级电容颗数×渗透率×单价。其中，新增机柜功耗分CSP厂商和型号，拆为AI机柜出货量×单机柜功耗。

电源侧与负荷侧多重对冲机制能小幅压减超容需求，但整体空间有限。 存在一类潜在对冲逻辑：依托电源侧硬件升级叠加负荷侧调度优化，平滑GPU功率尖峰、减小母线波动，以此降低超级电容配置规模。包括电源侧方案及负荷侧方案，例如可通过GPU功率爬坡管控、集群功率包络限制、芯片DVFS等方式抑制峰值。但各类方案均存在天然约束：主动功率调控存在环路时延，无法应对微秒级突发芯片脉冲负载；算力SLA限制负荷侧的削峰上限；有源电力设备依赖市电输入，市电失电瞬间，母线电压快速跌落的短时缓冲仍需超级电容承担。因此，电源侧与负荷侧的多重对冲机制，仅能边际优化超容配置规模，远不足以抵消800V架构升级、冗余标准加码带来的增量需求。

当前超级电容的主要技术路线EDLC（双电层电容器）和LIC（锂离子电容器）。从电极结构看，EDLC采用对称式结构，正负极通常均以高比表面积多孔电容炭作为主要活性材料；LIC采用非对称混合结构，正极通常沿用电容炭，负极采用经过预嵌锂处理的石墨、硬碳等可嵌锂碳材料，因此兼具电容型电极和电池型电极的特征[13]。

EDLC与LIC均可满足AIDC短时功率支撑需求，实际应用中综合多种要素进行评估。从器件性能来看：LIC优势在于能量密度与系统集成效率更高；EDLC则功率密度突出、等效内阻更低。参照公开超级电容器参数对比：LIC拥有更高单体工作电压与能量密度。在同等储能指标要求下，所需单体数量更少，能够有效压缩模组整体体积，同时减少接线支路、均压回路与状态监测点位。与之相对，EDLC能量密度偏低，但凭借低内阻、高功率密度特性，更加适配高频次、极短时长大电流削峰应用场景。功能层面，两类器件均可实现快速充放电、高功率输出，均能够承担AIDC负载削峰任务。从成本上看结合我们调研数据分析，武藏LIC单体单价300元以上，大幅高于国产300F等级EDLC单体（30\~40元）。以SkeletonSCA0300EVO（EDLC）[14]和武藏CPQ3300SD（LIC）[15]对标测算：实现同等储能量大约需要12颗SCA0300EVO，电芯总体积0.64L，是单颗CPQ3300SD体积的2.9倍。电芯数量、体积提升会额外增加连接件、均压管理、监测电路与散热设计成本。叠加LIC循环寿命相对更短的短板，系统集成费用与全生命周期运维成本将进一步上行；同时还需要统筹BBU配套适配等工程问题。综上，我们认为在EDLC与LIC之间选型，需要对性能、初始投资、系统集成复杂度、运维成本、配套设备兼容性等多重因素综合评估。

我们的超级电容供需缺口测算采用总产能—AIDC有效供给—参数折算—需求匹配的测算框架。首先，根据各超容厂商已披露的扩产规划，梳理未来各年份理论产能；其次在理论产能基础上，进一步考虑超级电容在不同下游领域的分配情况，剔除传统工业、电网、轨交等其他应用需求，并结合产线良率、产能爬坡速度以及AIDC客户导入节奏，测算实际可用于AI数据中心场景的有效产量。最后，由于不同厂商电芯规格存在差异，需求端按照3.0V/142A/3000F的大容量超容单体进行测算，并通过供给系数对各厂商不同容量、参数及大规格产品放量速度进行折算。

产能规划：我们预计27-28年超级电容产能约为16,610/18,610万颗。

AIDC有效产量：我们预计27-28年超级电容AIDC有效产能约为10,780/15,360万颗。剔除其他下游所需量、良率及产能爬坡进度综合测算，即便部分厂商可用于AIDC下游的偏少，但依然按照其他产线转移顺利乐观测算。

供给系数：考虑到参数差异及各厂商大容量上量速度进行参数匹配测算，折算得27-28年有效产能为5,700/11,500万颗。需求测算中我们采用3.0V/142A/3000F规格，日本武藏因LIC产品容量较大、规格匹配度较高，按照1.1倍折算；思源电气、江海股份具备成熟大容量EDLC技术，随着AIDC客户导入及产能爬坡，供给系数由0.5逐步提升至1.0；Skeleton虽具备领先超容技术，但受限于AIDC适配及产能释放节奏，按照0.3-0.7逐步提升；其他厂商由于产品规格偏传统、AIDC适配度较低，统一按照相对较低参数测算。

根据我们测算，2027-2028年有效产能预计紧缺，供需缺口较大。基于3.0V/142A/3000F的电容规格下的需求测算，中性情况我们预计2027/2028年供给缺口约为5,096/12,981万颗。

我们预计28年缺口在悲观/中性/乐观预期下为4,949/11,500/24,426万颗。对比三种情形，可以看到三种情形全程紧缺，最保守情境下供需缺口率仍有27%，且缺口在2027年均出现跳升，反映未来紧缺是行业确定性特征而非仅仅情景假设。虽然EDLC国内企业产能扩张的理论时间只有半年到一年，但是有效产能预计仍然短缺的原因：（1）3000F级别大容量电容产能上量速度较慢，需要长时间的研发；（2）超级电容成熟产线调试需要时间，初期良率较低；（3）EDLC生产设备厂商供给短缺。