资本支出通常被视为大约十二个月后转化为半导体产能。对于安装在现有晶圆厂的设备而言，这可能是一个有用的规则。但对于从零开始建造的新晶圆厂来说，这种描述就不太准确了。

我选取了美国五个先进工艺节点项目进行测试，这些项目均有明确的开工日期和首批产品生产日期。这五个项目分别来自台积电、英特尔、三星和美光。从开工到首批产品生产，已公布的进度计划中位数滞后45个月，范围在39至60个月之间。

这并非行业新规。五个项目太少，多个日期只能精确到年，而且截至2026年8月，其中三个生产日期仍是目标日期。这确实解释了为什么资本支出滞后12个月和晶圆厂建设周期长达4年的情况可能同时存在。

较短的工期是从建筑主体、洁净室、公用设施和大部分工作人员到位之后开始计算的。在这种情况下，每一分钱都用于购买工具，而相关的延误则在于采购、安装和验证。

较长的计时从公司启动新建项目时开始。从项目发布到商业化运营，包括建设、公用设施连接、洁净室系统、设备安装、工艺验证和人员招聘等各个环节。工具交付周期仅涵盖了这一系列流程中的一部分。

台积电位于亚利桑那州的工厂清晰地展现了这种区别。其首座晶圆厂于2021年6月开工建设，并于2024年第四季度开始量产N4芯片。台积电表示，其位于亚利桑那州的第二座晶圆厂已于2025年竣工，N3芯片的量产目标时间为2027年下半年。然而，厂房竣工并不等同于产能的实现。

英特尔的Fab 52工厂的情况也类似。英特尔于2021年9月在亚利桑那州破土动工，扩建其两座晶圆厂。Fab 52于2025年10月全面投入运营，并准备在年底前实现英特尔18A芯片的大规模量产。整个过程耗时约四年。

三星和美光提供了前瞻性展望。三星计划于2022年为其位于泰勒的首座晶圆厂破土动工。在2026年第一季度财报电话会议上，三星表示该晶圆厂将于2026年投产，并于2027年开始量产。为了保持比较的一致性，我采用了2027年的量产里程碑。三星的第二座泰勒晶圆厂预计将于2026年底开工建设，并计划于2030年实现量产。美光于2023年10月正式宣布其位于博伊西的存储器晶圆厂开工建设，并计划于2027年开始生产DRAM。

这些里程碑事件并没有统一的标准。奠基仪式、正式开工建设、主体结构竣工、设备搬入和批量生产都是不同的事件，但公司并非总是会逐一上报。

美光科技就是一个最明显的例子。该公司于2022年在博伊西举行了奠基仪式，随后在2023年10月发布了一份题为“美光科技启动尖端存储器制造工厂建设”的新闻稿。我之所以选择后一个日期，是因为这是该公司明确规定的建设里程碑。如果使用奠基仪式的日期，则会使该项目的进度滞后大约一年。

三星仅按年公布部分里程碑事件。我将这些日期设定在年中或既定的年终日期，并以六个月的误差范围标记由此产生的时间间隔。这比凭空捏造一个季度要好，但仍然只是一个估算值。

该样本还混合了两个已完成的项目和三个公司的进度计划。未来的延误会延长后者的观察时间。因此，45 个月应理解为对这个已披露的小样本的描述，而不是一个过于精确的预测。

同样的分析还暴露了第二个问题。要比较资本密集度，一个项目需要一个基于相同标准的预算和一个计划的晶圆启动量。注册表中只有一行完全符合这个标准。

台积电2020年5月宣布，将在亚利桑那州投资约120亿美元，每月生产2万片晶圆。这意味着，每片新晶圆的月产量，台积电就将投资60万美元。计算很简单，因为这两个数字指的是同一份公告中提到的同一家晶圆厂。

近期披露的信息通常并非如此。英特尔最初在亚利桑那州的200亿美元投资计划涵盖了Fab 52和Fab 62两座晶圆厂，但并未公布这两座晶圆厂的晶圆投产目标。美光在博伊西的约150亿美元投资计划涵盖了本十年末的支出。台积电目前在亚利桑那州的投资计划涵盖了六座逻辑晶圆厂、两座先进封装厂和一个研发中心。如果不加入一些公司未披露的假设，这些数字都无法除以单个晶圆厂的产能。

这一限制很重要。工厂层面的投资额有助于衡量项目规模，但它并不能自动衡量晶圆产能的增量。

实际经验教训很简单。资本支出公告要作为供应信号使用，需要两个标签：支出是用于新建项目还是现有项目，以及披露的金额是否可以与具体的产能数据挂钩。

对于现有晶圆厂而言，设备交付大约十二个月的滞后时间或许仍是一个有用的工作假设。而对于本名录中的五个新建项目，从开工建设到首次投产，公司预计耗时近四年。将两者合并为一个总滞后时间会掩盖其中的差异。

该登记册规模较小，仅限美国地区，且依赖于公司披露的信息。它的价值并非在于提供一条普遍适用的45个月规则，而在于揭示预测实际采用的是哪种时间周期