中微公司发布2026年半年度报告，26H1实现营收66.91亿元，同比 34.89%；归母净利润28.25亿元，同比 300.22%；扣非归母净利润11.23亿元，同比 108.36%，先进逻辑及存储关键刻蚀产品放量推动业绩增长。公司刻蚀、薄膜沉积、MOCVD等核心产品持续推进客户验证和量产，并通过收购众硅补齐CMP设备，同时拓展量检测及先进封装设备布局，**“**”投资评级。

26H1收入稳健增长，扣非归母净利润同比翻倍。26H1公司实现营收66.91亿元，同比 34.89%；归母净利润28.25亿元，同比 300.22%；扣非归母净利润11.23亿元，同比 108.36%。收入增长主要受先进逻辑和存储器件关键刻蚀工艺高端产品新增付运量显著提升推动，公司多种关键刻蚀工艺已实现大规模量产，26H1毛利同比增加约6.82亿元。归母净利润大幅增长受到股权投资公允价值变动及投资收益增加、出售部分拓荆科技股票产生约9.53亿元投资收益的推动。26Q2实现营收37.76亿元，同比 35.48%/环比 29.55%；归母净利润18.95亿元，同比 382.32%/环比 103.63%；扣非归母净利润6.45亿元，同比 168.24%/环比 35.07%。

刻蚀设备持续向先进逻辑、先进存储及先进封装关键工艺纵深拓展。截止26H1，公司已经研发出26种刻蚀设备产品。CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60:1超高深宽比介质刻蚀设备已成为国内标配设备，面向更先进三维存储的下一代超高深宽比刻蚀设备Primo  XD-RIE已由实验室研发阶段进一步推进至Alpha机完成马拉松测试、Beta机客户端验证顺利。针对7nm及以下逻辑接触孔、通孔等工艺的新型高选择比刻蚀设备预计2026年运付客户端验证。ICP方面，下一代产品商业化进度进一步加快。低温高深宽比ICP刻蚀设备Primo Nanova LUX-Cryo已在客户下一代产品线上稳定量产；下一代高精度ICP设备Primo Angnova的Beta机在客户端认证顺利并取得多个重复订单。先进封装方面，公司持续拓展TSV刻蚀、等离子体切割及PVD设备布局。Primo TSV  300E持续服务2.5D、SoIC WoW及高深宽比深槽电容刻蚀等应用；第三代TSV刻蚀设备已取得多家客户订单，即将发往客户端验证；TSV CuBS PVD集成设备开发顺利，并新启动UBM PVD集成设备研发。

薄膜沉积产品矩阵加速完善，多款核心设备进入量产或客户验证阶段。钨CVD、HAR及ALD设备已覆盖存储器件钨应用，并在先进存储及先进逻辑客户取得重复量产订单；金属栅ALD已通过多个先进逻辑客户现场验证，其中ALD TiN进一步拓展至先进存储钨填充阻挡层、粘结层及先进存储/先进封装电容器极板等应用，并已交付多个关键客户验证。EPI方面，12英寸减压外延设备面向逻辑、存储、硅光及功率器件等关键工艺，已在成熟制程客户端验证成功并付运多家先进制程客户，其中28/22nm成熟制程推进量产验证，7nm及以下先进制程推进客户验证，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备已完成开发并进入晶圆验证阶段。

MOCVD全球领先地位稳固，功率半导体及新型显示持续突破。公司在国际氮化镓基MOCVD设备市场保持领先，并持续拓展Micro-LED、GaN功率及8英寸SiC外延等应用，其中Micro-LED设备已满足客户产线要求，8英寸SiC外延设备已进入国内头部企业生产验证并取得重复订单。针对光通讯等新兴应用需求，公司启动了磷化铟材料体系专用MOCVD设备开发，目前已取得良好进展；下半年将加快产品开发并尽早付运样机至客户端开展生产验证。

平台化产品布局持续拓展。公司完成众硅控股权收购，新增已实现量产的12英寸高端CMP设备能力，实现‘干法 湿法’整体解决方案延伸；量检测方面，公司通过超微重点开发电子束量检测设备，并持续扩大多门类量检测设备的市场参与和产品覆盖。

投资建议。公司刻蚀设备持续向先进逻辑、先进存储等关键工艺渗透，多款产品实现量产放量；薄膜沉积设备加快客户验证及订单导入，MOCVD保持领先地位。同时，公司通过收购众硅补齐CMP设备，并持续拓展量检测及先进封装设备，产品矩阵不断完善，平台化设备公司成长路径进一步清晰。

风险提示：半导体行业景气及下游资本开支不及预期、新产品研发及客户验证进展不及预期、国际贸易摩擦风险、外延并购整合及协同效应不及预期