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股市情报:上述文章报告出品方/作者:招商电子;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

【招商电子】拓荆科技:Q2扣非净利润环比高增,PECVD及ALD等产品持续放量

时间:2026-08-22 23:08
上述文章报告出品方/作者:招商电子;仅供参考,投资者应独立决策并承担投资风险。

拓荆科技
事件:公司发布2026年半年报,26H1实现营业收入29.13亿元,同比 49.1%;归母净利润13.43亿元,同比 1324.1%;扣非归母净利润3.67亿元,同比 861.9%。公司多款先进工艺产品在客户端获得批量验收,PECVD、ALD等产品量产规模持续增长,在手订单饱满,

26H1收入快速增长,规模效应推动利润表现改善。26H1实现营业收入29.13亿元,同比 49.1%,主要系多款先进工艺产品获得客户批量验收,业务规模和收入快速增长;毛利率41.0%,同比 9.0pcts,主要系生产规模效应逐步释放,叠加新产品、新工艺设备量产应用,有效降低产品单位生产成本;归母净利润13.43亿元,同比 1324.1%,主要系交易性金融资产产生的公允价值变动收益同比增加约9.60亿元;扣非归母净利润3.67亿元,同比 861.9%。26H1期间费用率27.5%,同比-4.4pcts,其中管理费用率8.6%,同比 3.3pcts,管理费用中的股份支付费用为1.22亿元,同比增加0.96亿,主要系2022年股票增值权激励计划原3名董事及高管合计40万份股票增值权,授予数量增至87.62万份、行权价格调整为47.31元/股,26H1公司确认以现金结算的股份支付费用1.07亿元。公司26Q2实现营业收入18.00亿元,同比 44.6%/环比 61.8%;毛利率40.6%,同比 1.8pcts/环比-1.1pcts;归母净利润7.72亿元,同比 220.1%/环比 35.3%;扣非归母净利润2.65亿元,同比 21.4%/环比 159.7%。


薄膜沉积设备先进工艺持续突破,量产应用规模进一步扩大。截至26H1末,公司薄膜沉积设备可支撑先进存储、先进逻辑领域约100种工艺应用;累计出货超过3800个反应腔,进入约100条生产线;客户端设备平均稳定运行时间超过90%,累计流片量约6亿片。1)PECVD:Stack(ONO叠层)、ACHM系列工艺、OPN、SiB及Bianca等先进工艺设备持续扩大量产规模,α-Si工艺设备通过先进逻辑客户验证;公司进一步开发PF-300L平台及nX、kX反应腔,相关产品已出货至客户端验证。2)ALD:多台PE-ALD SiO2、SiCO设备通过客户验证,在先进存储领域量产规模快速攀升;Thermal-ALD持续拓展AlN、Al2O3、LaO、TiON等先进工艺,多台产品出货至客户端。3)HDPCVD、SACVD、Flowable CVD等沟槽填充设备:SACVD、HDPCVD及Flowable CVD持续获得批量订单及出货,其中SACVD PESAF设备已多台通过不同客户验证。


先进封装向三维堆叠演进,公司三维集成设备产品矩阵持续完善。公司目前已形成覆盖晶圆对晶圆、芯片对晶圆及配套设备的三维集成产品矩阵:1)晶圆对晶圆:混合键合产品Dione 300/200已实现产业化,关键技术指标、产能指标及设备开机率均达到国际同类产品量产水平,26H1持续获得客户订单;新一代高速高精度混合键合产品Dione 300 eX在客户端验证进展顺利;低应力熔融键合产品Dione 300F eX已出货至不同客户验证。2)芯片对晶圆:键合前表面预处理产品Propus已实现产业化、订单持续增高;混合键合产品Pleione 300可实现芯片顺序拾取并精准键合至晶圆,目前正在客户端验证;熔融键合产品Pleione 300 HS/200 HS已完成研制并获得不同客户订单。3)配套设备:键合套准精度量测及键合强度检测产品已通过客户验证并实现产业化,永久键合后晶圆激光剥离产品已完成研制并获得客户订单,键合界面空洞修复产品开发进展顺利。公司已由混合键合设备向键合前处理、混合及熔融键合、量检测和键合后处理等环节延伸,三维集成设备有望成为薄膜沉积业务之外的重要增量。


在手订单饱满产能扩张项目进展顺利,为全年交付与业绩增长提供支撑。截至26H1末,公司在手订单饱满,依托自主可控的创新技术、客户资源的积累布局、高效售后服务体系等多方面的核心竞争优势,持续提升产品综合竞争力,成功导入多家新客户、获得海外客户订单并出口至海外市场。产能方面,沈阳二厂已完成主体结构封顶,整体项目实施进展顺利,预计2028年完成建设并投入使用;建成后将提升PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备的产业化能力,并通过智能化生产系统提升生产运营效率。


投资建议。公司已形成“薄膜沉积 三维集成”产品布局,PECVD先进工艺设备持续扩大量产规模,ALD设备在先进存储领域快速放量,SACVD、HDPCVD及Flowable CVD等沟槽填充设备产业化应用持续推进;晶圆对晶圆混合键合产品已实现产业化,芯片对晶圆键合及配套量检测产品矩阵不断完善。公司在手订单饱满,沈阳二厂建设稳步推进。


风险提示:下游晶圆厂扩产不及预期,晶圆厂产能利用率下滑的风险,新产品研发及客户验证不及预期,行业竞争加剧的风险

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