中微公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD设备及其他设备。

如今，公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种高能和低能等离子体刻蚀机设备，24种各类薄膜设备、化学机械抛光（CMP）设备和量检测设备。刻蚀和薄膜设备的加工精度已经达到了原子级水平

从行业情况来看，据国际半导体行业协会（SEMI）2026年年中预测，全球半导体设备市场销售额2026年将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元。

在此背景下，为应对全球半导体设备市场持续增长的需求，中微公司正加速推进产能布局。

对外投资公告显示，中微公司全资子公司中微临港拟在临港新片区投资建设中微临港产业化基地（二期）项目，集研发、生产和销售于一体，聚焦刻蚀设备、量检测设备、薄膜沉积设备等优势产品，加快更多集成电路设备的开发，进一步拓展到泛半导体微观器件加工设备领域。

项目拟选址于闵联临港园区内，地块规划编号为J04-03，土地性质为工业用地，土地面积约70亩，项目计划总投资人民币35亿元，其中固定资产总投资17亿元，投资强度2428万元/亩。项目达产后可实现属地贡献销售收入30亿元，7年内获得专利数300个，预计人员入驻1500人—2000人，其中研发人员600人—800人。

公告称中微临港为项目唯一出资方，项目资金主要来源于自有资金及自筹资金，投入资金将用于项目用地购置、基地建设装修、研发投入、研发及生产工位搭建、厂务配套等。中微临港拟就该项目所涉的投资及政府扶持事项，与中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会签署《投资与扶持协议》。

值得注意的是，8月1日，位于上海临港滴水湖畔、建筑面积约10万平方米的总部大楼暨研发中心正式落成启用。与此同时，广州华南总部研发及生产基地一期项目主体结构已于2026年7月封顶，计划2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目主体结构已于2026年8月封顶，预计2027年建成投产。

据悉，公司当前整体建筑面积达60万平方米，预计未来五年左右增至90万平方米，年生产能力将提升至700亿元以上。

在AI算力需求爆发式增长、全球半导体设备市场持续扩容及国产替代进程加速的背景下，中微公司上半年实现营业收入约66.91亿元，较上年同期增加约17.31亿元，同比增长约34.89%；归属于上市公司股东的净利润约28.25亿元，同比增长约300.22%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约11.23亿元，同比增长约108.36%。

半年报对净利同比增长300.22%作了说明，主要原因如下：

第一，营收增长带动毛利增加。2026年上半年公司营业收入同比增长34.89%，毛利较去年同期增加约6.82亿元。公司在半年报中表示，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。

第二，研发投入持续加码。上半年研发投入约20.41亿元，同比增加约5.50亿元（增长约36.86%）；其中研发费用约13.10亿元，较上年同期增加约1.93亿元（增长约17.31%）。研发投入占公司营业收入比例约30.51%。

第三，公允价值变动收益和投资收益增加。经评估师评估，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于上半年产生公允价值变动收益和投资收益合计约10.29亿元，较上年同期的1.68亿元增加约8.61亿元。

第四，出售部分拓荆科技股票。公司本期出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生投资收益约9.53亿元。

扣除非经常性损益后，归母净利润同比增长108.36%。半年报指出，扣非净利增长主要源于营收增长34.89%背景下毛利较去年增加约6.82亿元，以及研发费用较去年增加约1.93亿元。

与此同时，中微公司还在通过外延并购加速补齐平台化版图。报告期内，公司完成对杭州众硅的控股权收购，实现对化学机械抛光（CMP）设备的覆盖，完成了从“干法”向“干法 湿法”整体解决方案的跨越。据悉，杭州众硅是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业。本次收购配套募资15亿元。

CMP是前道制造中唯一的全局平坦化工艺，与公司现有刻蚀、薄膜沉积等干法设备形成互补。收购完成后，中微公司成为国内同时拥有刻蚀、薄膜沉积、CMP、量检测四大前道核心工艺设备能力的综合设备平台厂商。

据尹志尧介绍，未来五年公司将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上、超100种半导体高端设备，在先进封装领域覆盖70%以上的关键设备