DRAM 现货市场 "微涨迷局"：低交易量下的价格韧性何在？

电子发烧友网综合报道根据 TrendForce 最新发布的内存现货价格趋势报告，2026 年第三季度 DRAM 现货市场呈现出一组看似矛盾的现象：交易量持续低位运行，价格却走出小幅上行行情。以主流 DDR4 1Gx8 3200MT/s 芯片为例，平均现货价格从 8 月 12 日当周的 42.61 美元攀升至 8 月 18 日当周的 42.90 美元，周涨幅 0.67%。

这种量价背离并非短期扰动，而是 AI 驱动存储产业结构性重构的缩影。受 HBM 产能虹吸效应、原厂产能战略转型、长协订单锁价等多重因素影响，存储市场正在出现企业级与消费级、合约市场与现货市场的多重分化，本轮涨价周期的底层逻辑，已经和传统存储周期性行情存在本质差异。

现阶段 DRAM 现货市场的核心特征，是市场流动性枯竭与价格刚性并存。交易层面，现货市场买卖双方普遍保持观望：终端需求偏弱叠加前期库存充足，压制买方采购意愿；而原厂大部分产能已被长协订单锁定，仅有少量富余产能流入现货渠道，直接造成现货交易量持续低迷。TrendForce 判断，这种低成交状态或将贯穿整个第三季度。

价格端却展现出逆势韧性。虽然 DDR4 1Gx8 3200MT/s 本周 0.67% 的周涨幅，远低于 2026 年第二季度合约价动辄超 50% 的涨幅；但从价格基数来看，该规格现货价格较 2025 年同期涨幅超 500%，对比 2025 年 2 月行业低谷，涨幅更是超过 16 倍。NAND 闪存市场同样上演相似行情：消费端需求疲软令市场交投清淡，512Gb TLC 晶圆现货价格依旧维持微涨；MLC NAND 这类利基产品受原厂停产影响价格大幅飙升，32GB MLC 合约价相较 2024 年 9 月已上涨约 8 倍。

即便传统 DRAM 下游需求延续疲态，供给收缩幅度仍大于需求回落幅度，对价格形成托底支撑。SK 海力士会长崔泰源近期对外透露，当前 DRAM、NAND 库存仅剩余约 4 周水平；2026 年 HBM 产能早已售罄。三大存储巨头基本完成 2027 年 DRAM 及 HBM 全年产能分配谈判，多数客户最终获得的产能配额，仅为初始申请量的 60%‑70%，供应紧张格局短期难以缓解。

换言之，即便消费级 PC、智能手机需求持续走弱，服务器端的刚性需求依旧为存储价格筑牢底部。TrendForce 指出，伴随 CPU 供给持续改善，服务器整机高景气出货有望延续至 2027 年，带动 2026 年下半年 RDIMM 消耗与库存补建需求，第三季度服务器 DRAM 仍将维持供不应求格局；部分买方采购价格受长协条款约束，涨幅有所收窄，但整体价格趋势向上不变。

行业专家表示：“当下市场环境和过往的周期性衰退存在本质区别。并非需求大幅崩塌，而是需求结构迭代叠加供给端策略调整。AI 催生的内存变革才刚刚开启，传统应用领域的需求疲软或已临近底部。” 对行业参与者来说，跟踪 AI 服务器需求、原厂产能利用率，以及主要经济体货币政策，重要性远超以往。面对这场微涨 “迷局”，看懂深层结构性变化，比紧盯短期价格起伏更为关键。