中微公司发布2026年半年度报告。

报告显示，中微公司上半年实现营业收入66.91亿元，同比增长34.89%；归属于上市公司股东的净利润28.25亿元，同比增长300.22%。

中微公司表示，上半年该公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。

财报显示，中微公司上半年出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生投资收益约9.53亿元。

2026年上半年，中微公司研发投入约20.41亿元，同比增加约5.50亿元，增长约36.86%，2026年上半年研发投入占该公司营业收入比例约为30.51%。

报告显示，2026年上半年中微公司在研项目涵盖六大类设备、超20款新设备，包含新一代电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）、晶圆边缘刻蚀设备、低压化学气相沉积（LPCVD）及原子层沉积设备（ALD）薄膜设备、大平板设备以及多款新型MOCVD设备等。

关于新品研发及市场导入进展，财报显示在CCP刻蚀设备方面，中微公司针对超高深宽比刻蚀工艺开发的全新Primo XD-RIE已完成实验室马拉松测试，Beta机在客户端验证顺利；针对7纳米及以下逻辑器件更高选择比和均匀度要求的全新高选择比高均匀度刻蚀设备，预计2026年内付运客户端进行工艺验证。ICP刻蚀设备方面，低温高深宽比刻蚀设备Primo Nanova LUX-Cryo已在客户下一代产品产线上稳定量产，下一代高精度ICP刻蚀设备Primo Angnova Beta机在客户端认证顺利并取得多个重复订单。

在巩固刻蚀设备市场领先地位的同时，中微公司薄膜沉积设备产品矩阵持续丰富与完善。

2026年上半年，该公司钨系列薄膜沉积产品已全部通过关键存储客户端量产验证并获得重复量产订单；金属栅系列产品（ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽）已完成多个先进逻辑客户设备验证；金属硅化物集成系统Preforma Uniflash ®，包含原位高选择性前清洁产品SA & SU，等离子体增强化学气相沉积金属钛SPTi，和原子层沉积氮化钛ALD TiNM产品。该系列产品已交付多个先进逻辑、先进存储客户，现场验证顺利推进。

在泛半导体领域，中微公司已建立氮化镓LED外延装备的优势，在此基础上进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。今年上半年，该公司已付运新型氮化镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证，新型8寸碳化硅外延设备已进入国内头部企业进行生产验证并取得重复订单，红黄光LED应用的MOCVD设备样机验证进展顺利。此外，公司于上半年启动磷化铟（InP）材料体系专用MOCVD设备的开发，进一步拓展MOCVD设备应用版图。

目前中微公司的五十多种设备产品已经覆盖了超30%前道集成电路设备产品。中微公司表示，未来五年，将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，在规模上成为全球领先的高端设备平台型公司。

中微公司表示，存储器件从平面2D到立体3D架构的转换，显著提升了等离子体刻蚀和薄膜沉积工艺的关键性，相应设备的需求量大大增加。同时，光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜沉积设备的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性和市场空间持续提升，相关设备市场的年平均增长速度远高于其他种类的设备，为中微公司带来了强劲增长动力。

为应对全球半导体设备市场持续增长的需求，中微公司加速推进产能布局。

8月1日，位于上海临港滴水湖畔、建筑面积约10万平方米的总部大楼暨研发中心正式落成启用。与此同时，中微公司广州华南总部研发及生产基地一期项目主体结构已于2026年7月封顶，计划2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目主体结构已于2026年8月封顶，预计2027年建成投产。中微公司当前整体建筑面积达60万平方米，预计未来五年左右增至90万平方米，年生产能力将提升至700亿元以上。

中微临港产业化基地（二期）项目在半年报发布同日（8月19日），公告宣布拟投资建设。

公告显示，中微临港产业化基地（二期）计划总投资35亿元，达产后预计可实现年销售收入30亿元，将集研发、生产和销售于一体，聚焦刻蚀设备、量检测设备、薄膜沉积设备等优势产品，加快更多集成电路设备的开发，进一步拓展到泛半导体微观器件加工设备领域。