►AI芯片功耗3年翻近3倍，散热瓶颈金刚石是物理最优解。NVIDIA H100 SXM单卡TDP为700W，Blackwell代单GPU由B200的1000W升至B300的1400W；散热链路上，液冷解决的是从服务器到机房的“搬热”，而芯片结到冷板之间的“扩热”仍依赖铜均热板，铜的401 W/m·K在单卡千瓦级功耗与2.5D/3D垂直堆叠带来的局部热点面前已成瓶颈。金刚石热导率为铜的5倍以上（多晶1000-2200、单晶2000-2200  W/m·K），CTE约1.0-1.1 ppm/K，与硅的绝对失配仅约1.5 ppm/K，比铜与硅约14 ppm/K的失配小一个数量级，在“高导热 低热应力”组合上没有工程替代品。

►生长端国内已并跑，胜负手在后道，产业化落地进入验证兑现期。国内首条8英寸金刚石热沉片产线在河南长葛投产（一期3.6亿元、50台915MHz MPCVD）。差距集中在后道与键合：Element Six与Orbray于2024年6月结盟，2026年6月披露已建立可重复的3英寸单晶金刚石工艺、2英寸热键合用晶圆准备量产，其对表面粗糙度低于0.5nm的要求正指向晶圆级直接键合；E6并牵头DARPA超宽禁带半导体（UWBGS）计划下的金刚石衬底项目，目标4英寸器件级单晶衬底。界面热阻（TBR）若控制不住，材料本体的高热导率会被界面吃掉大半——这是从“卖片”走向“进BOM”的准入开关，这是产业链当前最关键的缺环，谁先形成绑定谁先拿到放量入场券。

►2030年全球金刚石散热规模乐观超300亿元，衬底化是更大期权。我们采用“出货量×渗透率×单颗价值量”框架测算：假设全球高端AI加速器（GPU ASIC）出货量2026/2028/2030年分别约800/2000/2800万颗；单颗金刚石散热价值量（复合盖板 热点区CVD高导片）随良率与规模由2500元降至2000元、1800元；中性渗透率为1.5%/12%/28%，对应AI加速器场景市场规模3.0/48.0/141.1亿元，2030年悲观/乐观情形为75.6/226.8亿元。叠加光模块与激光器热沉（中性15亿元）、射频GaN（18亿元）、功率器件模块（14亿元），2030年全球市场中性约188亿元、乐观约312亿元，2026-2030年中性口径复合增速约128%。更长期看，金刚石凭借超高击穿场强、高载流子迁移率与最高热导率，有望从“散热片”升级为第四代半导体衬底，该期权量级可与散热主市场相当甚至更大。

►投资建议

重点关注技术卡位核心、产能扩产落地等多条主线。我们认为以下标的受益：1）技术纵深最厚的国家队——国机精工：三磨所体系，单晶/多晶/金刚石铜复合三条路线全覆盖，具备MPCVD设备自研能力。2）后道加工与大尺寸卡位——沃尔德：超高精密刀具基因切入金刚石功能材料后道，CVD金刚石热沉已通过大功率激光器客户认证；3）设备与材料一体化、订单最接近落地——四方达：自研MPCVD合成及加工设备与生长工艺，CVD散热片热导率2000 W/m·K以上、已通过客户测试并进入小批量供货，2026年4月签约新疆沙雅年产2.5万片项目（投资约4.5亿元）；4）产业里程碑与弹性最大——黄河旋风：国内首条8英寸金刚石热沉片产线2026年2月28日投产，一期50台915MHz MPCVD、年产2万片，远期规划20亿元、300台设备、年产15万片； 5）HPHT微粉与颗粒端受益于复合材料放量——力量钻石、惠丰钻石，包头一期500台MPCVD、2026年7月投产）、中兵红箭（中南钻石，金刚石散热片已小批量生产）。

风险提示：下游GPU/ASIC及光模块采用率不及模型假设；客户、订单、性能与产能的公司口径与媒体口径存在偏差；相关公司扩产导致资本开支、折旧与现金流压力；海外供应链与出口管制政策变化；系统性风险，等等