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返回 当前位置: 首页 锴威特(688693) 2025-07-02 专家分析

锴威特(2025-07-02)炒作逻辑:解析锴威特今日受功率半导体国产替代及SiC技术突破驱动的炒作逻辑,预判明日冲高回落风险并提供具体操盘策略,重点关注38元压力位突破情况。

锴威特:功率半导体国产替代逻辑发酵,明日关注38元平台突破力度

来源:专家复盘组 时间:2025-07-02 18:32 关键词: 锴威特 688693 功率半导体 第三代半导体 国产替代 明日走势 操盘策略
  • 今日炒作逻辑
  • 明日走势预判
  • 明日操盘策略
  • 炒作逻辑说明
锴威特(2025-07-02)真正炒作逻辑:功率半导体+第三代半导体+国产替代+芯片

  • 1、功率半导体国产替代:锴威特作为国内功率半导体IDM企业,今日因行业国产替代加速逻辑被资金追捧。公司MOSFET/IGBT产品在工控、光伏领域技术突破,契合当前供应链自主主线。
  • 2、第三代半导体布局:公司在SiC功率器件领域取得研发进展,碳化硅芯片流片成功消息发酵,吸引资金押注第三代半导体赛道。
  • 3、行业景气度反转预期:近期功率半导体行业去库存结束,Q3需求回暖信号增强,机构资金提前布局产业链标的。
  • 1、高开概率大:今日放量突破年线且换手率达15%,技术面呈多头排列,早盘有望惯性冲高。
  • 2、警惕分化风险:半导体板块今日普涨后可能出现分化,若板块整体回落将引发获利盘抛压。
  • 3、关键压力位:上方38.5元平台为历史套牢区,需观察量能是否持续放大突破。
  • 1、持筹者策略:若早盘快速冲高至38元以上且量能不足(每分钟成交<5万股),建议分批止盈;若分时稳守36元支撑位可持股观望。
  • 2、持币者策略:开盘30分钟观察半导体板块强度,若板块指数涨幅>1%且换手率维持8%以上,可择机低吸;避免追涨超5%的脉冲。
  • 3、风控要点:设置35.2元为止损位(今日阳线实体50%位置),若跌破需果断离场。
  • 1、核心驱动验证:龙虎榜显示机构席位买入3200万,印证国产替代主线获大资金认可;公司光伏用高压MOSFET已通过客户验证,业绩弹性预期强化。
  • 2、板块联动分析:今日斯达半导/新洁能等功率半导体股同步大涨,板块效应显著,但锴威特因流通市值较小(仅18亿)获弹性溢价。
  • 3、技术面支撑:周线MACD金叉且站上所有均线,日内分时呈现阶梯式放量上攻,主力控盘迹象明显。
  • 4、风险提示:公司PE(TTM)达85倍高于行业均值,需警惕业绩兑现不及预期带来的估值修复风险;明日科创板新股申购或分流资金。
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