锴威特(2025-07-02)真正炒作逻辑:功率半导体+第三代半导体+国产替代+芯片
- 1、功率半导体国产替代:锴威特作为国内功率半导体IDM企业,今日因行业国产替代加速逻辑被资金追捧。公司MOSFET/IGBT产品在工控、光伏领域技术突破,契合当前供应链自主主线。
- 2、第三代半导体布局:公司在SiC功率器件领域取得研发进展,碳化硅芯片流片成功消息发酵,吸引资金押注第三代半导体赛道。
- 3、行业景气度反转预期:近期功率半导体行业去库存结束,Q3需求回暖信号增强,机构资金提前布局产业链标的。
- 1、高开概率大:今日放量突破年线且换手率达15%,技术面呈多头排列,早盘有望惯性冲高。
- 2、警惕分化风险:半导体板块今日普涨后可能出现分化,若板块整体回落将引发获利盘抛压。
- 3、关键压力位:上方38.5元平台为历史套牢区,需观察量能是否持续放大突破。
- 1、持筹者策略:若早盘快速冲高至38元以上且量能不足(每分钟成交<5万股),建议分批止盈;若分时稳守36元支撑位可持股观望。
- 2、持币者策略:开盘30分钟观察半导体板块强度,若板块指数涨幅>1%且换手率维持8%以上,可择机低吸;避免追涨超5%的脉冲。
- 3、风控要点:设置35.2元为止损位(今日阳线实体50%位置),若跌破需果断离场。
- 1、核心驱动验证:龙虎榜显示机构席位买入3200万,印证国产替代主线获大资金认可;公司光伏用高压MOSFET已通过客户验证,业绩弹性预期强化。
- 2、板块联动分析:今日斯达半导/新洁能等功率半导体股同步大涨,板块效应显著,但锴威特因流通市值较小(仅18亿)获弹性溢价。
- 3、技术面支撑:周线MACD金叉且站上所有均线,日内分时呈现阶梯式放量上攻,主力控盘迹象明显。
- 4、风险提示:公司PE(TTM)达85倍高于行业均值,需警惕业绩兑现不及预期带来的估值修复风险;明日科创板新股申购或分流资金。