锴威特：大基金三期+SiC升级双驱动，功率半导体国产替代加速

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锴威特（2025-07-01）炒作逻辑：锴威特受益国家科技攻关政策及六大行1140亿注资大基金三期，公司SiC产线升级至6寸优化工艺，Q1营收翻倍印证成长逻辑，功率半导体国产替代进程加速。

锴威特：大基金三期+SiC升级双驱动，功率半导体国产替代加速

来源：专家复盘组时间：2025-07-01 16:07 关键词：锴威特 688693 功率半导体大基金三期碳化硅国产替代

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炒作逻辑说明

锴威特（2025-07-01）真正炒作逻辑：功率半导体+芯片国产化+碳化硅(SiC)

1、政策驱动：国常会强调科技攻关加速关键核心技术突破，半导体产业获政策加码
2、资金扶持：六大行1140亿注资大基金三期，直接利好半导体产业链
3、国产替代：公司主营功率半导体，聚焦国产化替代契合国家战略方向
4、技术升级：SiC产线升级至6寸优化工艺，提升产品竞争力
5、业绩验证：Q1营收同比翻倍，亏损收窄印证成长逻辑

1、情绪延续：政策与资金利好发酵，早盘或惯性冲高
2、分化风险：半导体板块近期涨幅较大需防获利盘兑现
3、量能关键：若早盘换手率超15%且站稳分时均线，则有望维持强势

1、持筹策略：高开不破日内均线持有，放量滞涨则部分止盈
2、开仓策略：分时回踩5日线且量比＞1可低吸，避免追涨超7%
3、风控要点：若跌破今日最低价-3%或板块龙头跳水，果断止损

1、政策层面：国常会定调科技攻关+大基金三期落地，形成政策资金双驱动
2、产业趋势：新能源汽车/光伏带动SiC器件需求，公司产线升级卡位黄金赛道
3、业绩拐点：营收同比增100%验证新产品放量，亏损收窄显经营改善
4、替代空间：国产功率半导体自给率不足20%，公司深耕IGBT/MOSFET替代蓝海
5、技术壁垒：650V~1700V SiC MOSFET研发突破，6寸产线提升良率降成本

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